260319--美光业绩:都挺...
发布者:Vito的行研札记
我插个题外话,如果自己训练Agent或者知识库的时候一定要设置人格独立的battle模式,比如你用语料都是卖方研报,那就需要另外从买方角度挑毛病。 。
从这个业绩来看,还是完美符合昨天AI给的利多出尽先止盈落袋的范式。 ,2027财年与建设相关的资本支出将同比增加逾100亿美元,让很多人担心供给拐点提前到来,DRAM价格回落压力更大。(注:A股半导体设备同样有两厂扩产明确业绩支撑,纯属被市场风偏下降拖累)
担心得对,DRAM的确就是三阶段特征,所以我维持相对看多NAND的观点,这个扩产压力小得多。但是我还得补一句,现在讨论存储周期结束实在是为时尚早,不要听公众号上那帮人瞎BB什么“内存条奸商囤货崩盘”,我拿脚趾头都能一天水出20篇这种狗屎。利多出尽之后的下一个上行验证节点,请参考图1。涨是涨微观业绩,跌都是跌宏观环境,宏观有任何一点预期好转的时候,韩国和美国存储上行弹性都很好。
• 业绩表现强劲,业绩指引更为亮眼,因AI驱动的需求以及 。
• ,受全行业洁净室产能限制、HBM贸易比率上升、节点迁移带来的每晶圆芯片收益下降等因素影响,芯片出货量增长保持温和。
• 值得关注的是,本季度还标志着MU客户对内存产品的态度发生转变—— ,这一点从MU签署首份 得到印证,这与传统的1年期长期协议(LTA)框架形成显著差异。
• 四大业务部门的收入和盈利能力均创历史新高,其中 。
• 意味着盈利水平将再上一个大台阶,单个季度的收入现已超过MU截至2024财年的所有全年收入。
• 我们注意到投资者担忧,在毛利率达到约81%的情况下,后续利润率扩张速度可能放缓,这一判断在方向上可能是正确的。但我们认为更重要的是, :支撑当前定价的结构性供应限制(洁净室瓶颈、节点过渡带来的每晶圆芯片收益下降、HBM贸易比率上升)在2028财年之前不会因新增产能上线得到解决;向HBM和高价值数据中心NAND产品的结构转型持续带来利好;转向多年期SCA的举措也将客户承诺有效锁定在远超传统1年期LTA的周期内。
• 在我们看来, ,因新增产能仍需数年才能落地,且AI驱动的需求正持续拓展至训练、推理和边缘工作负载等领域。
• :尽管收入在同一时期近乎翻倍,但运营支出从2025财年第二季度的约10亿美元温和增长至2026财年第二季度的约14亿美元;5月季度指引显示,收入环比增长约40%的情况下,运营支出基本维持在约14亿美元的水平,这意味着即使毛利率在当前水平附近企稳,运营利润率仍将持续扩张。
• 在供应端,管理层正全力推进各项举措——提前完成铜锣DRAM工厂收购、在爱达荷州、纽约州和新加坡新建工厂破土动工、扩大印度组装/测试工厂产能——但 。
• ,2027财年与建设相关的资本支出将同比增加逾100亿美元,反映出产能扩建的紧迫性和规模需求。