260209--高盛：DRAM...

其次HBM需求落地的预期已经非常充分，供需两旺。而NAND在英伟达新架构、存算一体的未来技术迭代方向的需求增量还没充分定价，故事能讲到27-28年。另外NAND更像是大宗商品而不是高科技产品，留 。上周英飞凌的功率开关涨价，这周士兰微的MOS涨价，见微知著，再不囤货年后封测也涨价了。

12号铠侠业绩即将公布，如果能顺利完成顺价，那么他就是全球估值最低的存储。业绩空间层面NAND＞半导体设备＞DRAM&HBM，三星海力士后劲不如闪迪铠侠。

我们在主要存储器厂商2025年第四季度财报发布后更新了供需模型，目前预计2026E/2027E年DRAM、NAND和HBM的供需将进一步紧张。随着供需趋紧，我们认为存储器公司将继续享有显著的价格上行空间，因此预计盈利/利润率将达到历史高位。

• ：我们现在预计2026E/2027E年DRAM供需缺口将扩大至 （此前预期为3.3%/1.1%的缺口）。我们预计2026E年的供应短缺将是过去15年中最严重的一次，主要受服务器相关应用（DDR、LPDDR、HBM、SOCAMM）需求强劲且无放缓迹象、产能扩张有限以及全行业库存水平健康所推动。

• ：我们现在预计2026E/2027E年NAND供需缺口将扩大至 （此前预期为2.5%/1.2%的缺口）。与DRAM类似，我们预计NAND行业在2026E年将出现历史上最大的短缺之一，主要受企业级SSD需求强劲增长以及供应商支出和产能扩张有限所推动。

• ：我们将2026E/2027E年的TAM（总可寻址市场）预估上调 ，至 （此前为500亿美元/690亿美元），主要反映了来自GPU和ASIC的HBM需求改善。我们上调HBM需求预估更多归因于ASIC需求的增加，现在预计ASIC将在2026E/2027E年占HBM需求的 （此前为28%/34%）。我们现在预计2026E/2027E年HBM行业供需缺口将扩大至 ，而此前预测为0.7%/1.6%。

• ：在本报告中，我们还进行了BOM（物料清单）成本分析，以考察存储器成本负担上升的程度以及潜在需求破坏的影响。我们的结论是，尽管更高的存储器成本可能导致PC/智能手机需求下降以及这些产品的DRAM搭载量减少，但鉴于我们预计今年将出现显著的供应短缺，即使在极端负面情景下，DRAM行业供需仍将保持紧张。

我们强调 是主要受益于我们预期的存储器行业供需趋紧的公司。