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**Intel的EMIB封装正在快速增长——硅电容器也在起飞**

硅电容器有望在AI半导体领域迎来爆发式增长。据悉，Intel计划从明年开始大规模采用硅电容器，以提升其内部2.5D封装技术“EMIB”的性能。 最明显的需求来源是Google。Google计划在明年下半年推出其下一代AI加速器“v8e”，并为该芯片采用了内嵌硅电容器的EMIB基板。随着亚马逊等其他大型科技公司目前也在应用EMIB，分析师表示需求可能会急剧增加。 据27日行业消息，Intel计划从明年开始将硅电容器应用于其2.5D封装。 Intel为2.5D封装采用“硅电容器”……GoogleAI芯片率先应用。 2.5D是一种在半导体与基板之间插入薄膜中介层的先进封装技术。与仅使用基板的传统封装相比，它能以更高密度连接电路，因此在AI和HPC领域的需求不断上升。 为了提高2.5D封装的成本效率，Intel设计了自有技术EMIB。EMIB不需要大面积铺开的放置中介层，而是通过小型硅桥连接芯片。由于只需在需要芯片间连接的位置放置桥接，芯片可以更灵活、更高效地排布。 近期，EMIB作为台积电的替代方案备受关注，源头信息加微qun3800台积电此前一直主导现有的2.5D封装市场。这是因为在AI产业快速发展的背景下，台积电的先进封装产能正面临供应短缺。 事实上，全球大型科技公司Google也在关注EMIB。Google已决定为其计划在明年下半年推出的内部AI半导体“v8e”采用EMIB。在此架构下，台积电负责芯片量产，联发科负责设计与制造支持，Intel负责封装。 然而，一直有人担心EMIB在为功耗巨大的AI半导体提供稳定供电方面逐渐显现局限性。因此，Intel计划引入硅电容器和硅通孔等新技术，以确保v8e的封装稳定性。 电容器是在电子电路中储存和释放电能的元件。就硅电容器而言，其电容是多层陶瓷电容器的100倍以上，能最大限度地减少高性能半导体中出现的信号损耗。它们还可以基于硅晶圆设计成超薄结构，实现高密度集成。 一位半导体行业官员解释称：“由于AI芯片内部高频区域出现的电压下降很难用MLCC解释，我们了解到Intel内部正在采用硅电容器作为解决方案。”该官员补充道：“相关供应链现已到位，量产将于明年正式开始。” EMIB-T已步入增长轨道——相关生态系统和市场同步扩张。 Intel还在硅桥中插入了用作供电通道的TSV。关键在于，通过使用TSV缩短基板与芯片之间的供电路径，Intel提高了电源效率和信号完整性。Intel将此称为“EMIB-T”。 业界预计EMIB-T和硅电容器市场将快速增长。 然而，源头信息加微DYXZ0524该公司推迟了该计划，并在今年首先决定正式将川岛工厂转为EMIB-T基板量产线。投资额为2200亿日元。 并补充道：“EMIB-T基板产能目前远不能满足需求。然而，增加更多产能相当困难，因此我们正在与客户讨论各种方案。” 该官员补充道：“这表明基于EMIB-T的AI半导体未来将大幅增长，而硅电容器很可能随之扩张。”