**【新大陆】收单拓新设备出海...

**【新大陆】收单拓新设备出海，强α属性凸显**

hcdx三祥新材：锆铪分离技术构筑壁垒，半导体高纯铪迎来爆发，海外价格已经爆发～ 铪（Hf）用于28nm及以下先进逻辑芯片栅极介质层、3DNAND存储器介质层。铪基氧化物（HfO₂）的介电常数约为25，远高于传统二氧化硅（约3.9）。在晶体管尺寸缩小至28nm以下后，二氧化硅层过薄会导致严重的漏电流问题，而HfO₂可以在保持等效氧化层厚度的同时，显著抑制漏电，是制程微缩的必选方案。 公司技术绝对领先。目前国内4N以上高端氧化铪供给稀缺且稳定性差，公司凭借顶尖的锆铪分离技术，成功研发出5N级别的氧化铪，产品已通过下游核心合作伙伴验证。 供给刚性，产品涨价预期强。铪作为锆的伴生金属，产出比例极低（约1:50）。海外垄断龙头（如ATI）因扩产铪必须同步消化大量锆，会冲击国际核级锆价，因而扩产谨慎。随着半导体国产替代需求爆发，目前下游客户已在提前锁定公司产能。国内高端氧化铪当前售价高达1000万元/吨，预计2027年国内价格将进一步向海外高价（单价8000万）靠拢，具备强烈的涨价预期。 极致成本优势带来巨大业绩弹性。行业现有生产成本高企，而公司凭借工艺优势，氧化铪生产成本仅约小几百万元/吨，国内售价1000万元+/吨的售价，海外售价到达8000万/吨，盈利空间极其显著。公司规划氧化铪总产能140吨，预计今年7月投产，可以看10亿利润弹性。 铪金属供需结构性紧张、价格持续上行的背景下，公司2万吨锆铪分离项目投产后将带来显著的业绩弹性，传统工业锆和核级锆量利齐升，稳定贡献2-3亿利润，此外固态电池进展顺利，建议重点关注！