**三星电子实现全球首款“90...

**三星电子实现全球首款“900层V-NAND”…1000层时代倒计时**

三星电子成为全球首家成功实现900层级V-NAND技术原型的公司，向“1000层NAND”时代迈出又一步。 在与竞争对手层数竞争日益激烈之际，这一成就被视为三星一跃获得决定性技术领先。 据半导体行业25日消息，三星电子最近利用“单元多重键合（CMB）”技术，将两个450层单元晶圆连接成一个，实现了集成化的900层级V-NAND系统。 存储数据的NAND闪存是AI服务器、智能手机和数据中心存储（固态硬盘）的核心组件。 就像在公寓大楼中堆叠楼层一样，层数越高，就能在有限的芯片面积内容纳更多容量，从而存储更多数据，同时最大化功率效率。 它被视为赢得AI服务器和设备端AI市场主导地位的关键技术，这些市场需要高容量、高效率的组件。 在当前量产市场中，SK海力士以其321层4DNAND保持最高层数。 然而，三星电子——在今年准备量产第10代V-NAND（V10，400+层）的同时——在研发阶段一跃达到900层，在下一代NAND市场中占据有利位置。 关于这些研发成果，三星表示“验证了正常单元操作特性”，强调这超越了单纯的理论堆叠，展示了实际可运作的能力水平。 自2013年全球首次商业化3DV-NAND以来，三星持续演进其工艺以克服堆叠极限。 过去，它采用“单次堆叠”方法，即一次性钻孔并堆叠细孔，但随着层数增加，遇到了晶圆翘曲和对准误差等物理限制。 在实现900层器件时，三星通过采用先进的上卡盘设计，解决了晶圆翘曲这一最大障碍。 键合过程中发生的错位误差，则通过其专有的“新型叠加校正”技术得以克服。 新引入的位线和字线结构也带来了显著收益，同时降低了功耗和芯片尺寸。 在全球范围内，以长江存储为代表的中国公司正在300层级NAND量产门槛上追赶韩国公司。 在政府支持和设备本地化下，它同时追求产能扩张和技术进步。 如果长江存储在年内成功量产300层以上产品，价格竞争可能加剧，并对韩国公司的盈利能力造成压力。 因此，三星的900层成就被高度评价为一种战略举措，以在中长期建立技术壁垒。 一位业内人士表示，“900层NAND技术不仅仅是300层的三倍——它改变了堆叠工艺的范式”，并补充道，“这向全球客户传达了三星仍是技术领导者的信息，并将限制中国公司的产量和价格攻势。”