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**摩根大通-台积电：2026年科技研讨会要点**

台积电于本周举办年度北美科技研讨会，本次会议核心要点如下。 台积电正式发布A13工艺节点，面向下一代人工智能、高性能计算与移动应用。 A13是A14的直接缩微版本，芯片面积优化6%，同时保持设计规则完全向后兼容，方便客户快速迁移至新节点。 A13计划2029年投产，晚于A14一年，与高性能计算和智能手机客户的年度产品节奏保持一致。 台积电重申A14与A12工艺路线图，A12是A14平台的增强版，搭载超级电源轨技术，为人工智能与高性能计算应用提供背面供电。 A12同样计划2029年投产。 台积电表示A14节点预计不会采用高数值孔径极紫外光刻技术，符合市场预期，高数值孔径极紫外光刻或仅在2030-2031年的A10节点使用。 台积电推出N2U工艺，作为2纳米平台的最新延伸版本。 N2U通过设计工艺协同优化，相较N2P可实现3%-4%的性能提升或8%-10%的功耗降低，逻辑密度提升1.02-1.03倍。 N2U定位为人工智能、高性能计算与移动应用的均衡选择，计划2028年量产。 这一进展再次印证台积电在先进工艺的领先地位，有望维持其在高性能计算、人工智能等先进应用领域95%以上的市场份额。 台积电未提及CoPoS技术，将CoWoS封装扩展至14倍光罩尺寸及以上。 为满足人工智能对单封装算力与内存容量的需求，台积电持续拓展CoWoS封装能力。 目前量产5.5倍光罩尺寸CoWoS，计划2028年量产14倍光罩尺寸版本，可集成约10个大算力裸片与20组高带宽内存堆叠，超出当前9.5倍光罩尺寸的行业认知上限。 2029年CoWoS将进一步拓展至14倍光罩尺寸以上，同步推出40倍光罩尺寸的SoW-X晶圆系统级技术。 光罩尺寸能力提升对英特尔EMIB产业链形成利空，其核心优势就是封装尺寸大于CoWoS。 未提及CoPoS技术令先进扇出型封装产业链略感失望，但该技术仍处于工程阶段，此情况合乎情理。 预计2026年底CoWoS产能同比增长约69%至11.5万片/月，2027年底同比再增约35%至15.5万片/月。 CoPoS预计2028年初步导入，取决于工程进度，CoWoS光罩尺寸扩大或降低迁移至CoPoS的紧迫性。 SoIC技术持续精进，2027-2028年产能将大幅提升。 台积电宣布将SoIC技术拓展至最先进平台，A14对A14的芯片间SoIC堆叠计划2029年量产。 该架构相较N2对N2SoIC，芯片间输入输出密度提升1.8倍，支持堆叠芯片间更高带宽的数据传输。 持续看好SoIC产业链，预计2028年及以后主流人工智能芯片将加速采用SoIC，包括英伟达费曼GPU、谷歌TPUv9、亚马逊Trainium4等。 该表态利好GPTC、科磊等SoIC设备厂商。 COUPE第二代技术2026年下半年量产。 台积电紧凑型通用光引擎计划2026年下半年投产，将光引擎直接集成在封装内部，相较电路板插拔式方案，功耗效率提升2倍，延迟降低10倍。 该技术搭载200Gbps微环调制器，是紧凑节能的数据中心机架间传输方案。 这与3月GTC大会上英伟达SpectrumX6ScaleOutSwitch采用共封装光学的预期一致。 台积电发布N16HV工艺，2026年即可供货，核心面向显示驱动芯片应用。 相较N28HV工艺，N16HV栅极密度提升41%，功耗降低35%，显著提升密度并降低功耗。 关键看点是iPhone显示驱动芯片何时迁移至16纳米FinFET平台。 若苹果决定采用，需在2026年下半年前确定，以支持2027年机型上市，可能重塑联咏、菱耀半导体在iPhone显示驱动芯片市场的份额格局。 晶圆生产转向台积电N16FinFET，对联电形成利空，联电目前是iPhoneOLED显示驱动芯片的主要供应商，采用22/28纳米高压工艺。