**1H26长鑫净利润有望达7...

**1H26长鑫净利润有望达750亿，深度受益存储Surpercycle**

国产DRAM迈入爆发期_利润弹性加速释放 ——2025年全年扭亏，1Q26业绩快速爆发。2025年收入617.99亿元，归母净利润18.75亿元，扣非归母净利润53.16亿元，扭亏为盈；1Q26收入508.00亿元(同比+719%)，归母净利润247.62亿元(+1688%)，业绩爆发。 ——1H26净利润预测中枢705亿元，线性外推全年至少1400亿。1H26公司预测收入1100-1200亿元，净利润660-750亿元，中枢705亿元（同比1825%），假设线性外推全年至少1400亿，且随着存储景气度持续上行，实际有望进一步打开利润想象空间，假设以模组厂商20XPE估算，市值有望达3万亿。 产能利用率达95.7%_资本开支三年累计1646亿元 ——公司产能利用率连续3年持续上行，2023/2024/2025产能利用率分别为87.06%、92.46%、95.73%。 ——上市后资本开支有望进一步加速，2023/2024/2025资本性开支分别为437亿元/712亿元/497亿元，3年累计1646亿元。 ——据Omdia统计，长鑫在4Q2025全球DRAM销售额份额升至7.7%，中国第一、全球第四，我们认为公司已进入“产品升级+规模效应+价格上行”三维共振阶段。 我们前瞻判断存储Supercycle_存储比预期会紧缺更久 ——我们于3月22日发布的硅谷随笔中强调“存储比预期会紧缺更久，只要AI保持渗透与进步，需求上需要担心的不多，供给投入的时间也比较长，目前肯定是supercycle''。 ——海外存储大厂业绩强增长，持续供不应求。铠侠FY26Q1预计，non-GAAP净利润8700亿日元、环比+112.2%，并预计到27年行业仍将持续供不应求；SK海力士26Q1营业利润37.61万亿韩元，营业利润率高达72%；三星电子26Q1的DS半导体部门营业利润53.7万亿韩元，再创新高；美光FY2Q26收入238亿美元，环比74.89%，净利润137亿美元，环比163%。 ——国产存储产业链设备或材料：中微公司（TSV刻蚀）、北方华创（TSV刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积+键合，键合环节预期差大）、强一股份（探针需求大）、精智达（测试设备）、长川科技（测试设备）、联讯仪器（测试设备）、迈为股份（磨划+键合）、华海清科（减薄机）、京仪装备（真空泵逐步开启验证）、亚翔集成（洁净室）、圣晖集成（洁净室）等。 ——海外存储原厂：SK海力士、闪迪、美光、三星、铠侠等。 AI需求不及预期，市场竞争加剧，宏观经济波动等。