**三星着手开发用于移动DRA...

**三星着手开发用于移动DRAM高带宽内存的“超高深宽比铜柱”封装技术**

三星电子正在开发下一代高带宽内存封装技术，以在移动设备中实现高性能端侧AI。 该方法对现有垂直铜柱堆叠技术进行了演进，将超高深宽比铜柱与扇出型晶圆级封装相结合。 据业界12日消息，三星电子正在开发“多层堆叠扇出型晶圆级封装”技术，目标是在智能手机、平板电脑等移动设备中实现大容量、高带宽的高带宽内存。 尽管服务器高带宽内存已能提供高带宽，但移动应用在尺寸、厚度、功耗和散热性能方面面临远为严苛的限制。 传统移动内存（低功耗双倍数据率内存）封装采用铜线键合，该技术在输入/输出端子数量上受限（128-256个），信号损耗显著，且散热和功耗效率较差。 为解决这些局限，三星电子此前推出了垂直铜柱堆叠技术，以阶梯状配置堆叠DRAM裸片，并用铜柱填充间隙，这项新技术则进一步利用超高深宽比铜柱，将这一方案向前推进。 三星电子已将垂直铜柱堆叠封装所用铜柱的深宽比从现有的3-5:1大幅提升至15:1-20:1，从而进一步拓宽带宽。 然而，当铜柱直径缩小到10微米以下时，弯曲或断裂的风险显著增加。 为缓解这一问题，三星采取了将该结构与扇出型晶圆级封装工艺相结合的策略，源头信息加微Macro_Guru扇出型晶圆级封装是一种先将芯片塑封，再将布线向外延伸的技术，可为铜柱提供结构支撑。 这种方法允许在相同面积内布置更多输入/输出端子，预计可实现15-30%的带宽提升，内存堆叠层数也可达到1.5倍或更高。 由于该技术仍处于开发阶段，尚难明确量产或商用时间，但部分预测认为最早可能在Exynos2800后期版本或从Exynos2900开始部署。 这一技术路线图被视为三星电子已将其内存业务定位为围绕性能和可靠性的高附加值技术，而非低成本和高效率的证据。 业界认为，移动高带宽内存的技术领先性是决定未来高端AI智能手机市场份额以及GalaxyAI差异化成功与否的关键变量。 话虽如此，由于服务器、数据中心和AI加速器领域的高带宽内存需求预计短期内仍将保持强劲，也有意见认为移动高带宽内存的开发和量产可能会比计划路线图有所延迟。 一位业内人士解释称：“在服务器和数据中心高带宽内存需求依然爆发的情况下，三星很难将所有资源集中在移动高带宽内存开发上。如何平衡技术成熟度与量产时机，将是关键问题。”