**三星电子（005930.K...

**三星电子（005930.KS）**

三星电子（005930.KS）：亚洲Communacopia+科技大会核心要点；存储业务前景依然乐观；买入评级 作为亚洲Communacopia+科技大会的一部分，我们于5月21日邀请三星电子与投资者举行了线上小组会议。核心结论如下： 重申对存储芯片供需和价格的乐观展望。 长期协议（LTA）将提供可持续的中长期利润率。 重申对HBM4的信心。 P4计划可能会加剧传统存储芯片的短缺。 今年资本支出更高，包括大量的基础设施工程投入。 我们维持对三星电子的“买入”评级。 核心财务与估值摘要 12个月目标价（普通股）：320,000韩元，当前股价299,500韩元，潜在上涨空间6.8%。 12个月目标价（优先股）：245,000韩元，当前股价187,800韩元，源头信息加微Macro_Guru潜在上涨空间30.5%。 市值：1,984.1万亿韩元（约1.3万亿美元）。 企业价值：1,775.8万亿韩元（约1.2万亿美元）。 3个月月均成交额：6.6万亿韩元（约45亿美元）。 行业：韩国科技行业。 并购排名：第3位。 租赁与债务：净负债和企业价值包含租赁。 关键要点详解 1.重申对存储芯片供需及价格的乐观展望 公司重申了对存储芯片供需关系的积极看法，预计存储短缺将在今年持续，甚至在明年加剧。 针对今年，三星电子评论称，预计行业DRAM供应增长将低于其对DRAM位元需求增长的预期，因此预计价格在2026年下半年将呈现上涨趋势。 我们的观点与三星电子基本一致，预计今年行业DRAM位元需求将增长25%，并预计传统DRAM价格在2026年下半年将呈现上涨趋势（高盛预测：2026年第二季度环比增长10%-15%左右，第四季度环比增长5%-9%左右）。 2.长期协议（LTA）将提供可持续的中长期利润率 公司表示正与客户讨论设定灵活的LTA价格范围，但指出底价将显著高于以往合同，并预计更有利的合同结构将提供可持续的中长期利润率。 虽然三星电子目前仅签署了少量LTA，但公司表示多家客户正积极寻求签署LTA，且更倾向于长期协议。 3.重申对HBM4的信心 公司重申了其HBM指引：HBM4将在2026年第三季度实现切换，且HBM4将占HBM销售额的一半左右，并对确保最高级SKUHBM4的主要供应商地位充满信心，预计该产品相比其他HBM产品具有价格溢价。 对于明年，公司预计HBM与常规DRAM利润率之间的巨大差距将缩小，因为去年设定的今年HBM价格尚未充分反映出严重的存储芯片短缺情况。 我们还认为，当前通用DRAM价格的强势将成为明年HBM定价的上行驱动力，并预计明年HBM价格将同比增长15%左右，考虑到HBM与通用DRAM价格间的巨大价差，HBM价格仍有显著的上行空间。 4.P4计划可能加剧通用存储器的短缺 三星电子表示，由于公司预期明年HBM需求将强劲增长源头信息加微Macro_Guru，计划将P4洁净室的大部分空间分配给基于1c工艺的HBM4和HBM4E。 鉴于P4实际上是三星电子中长期唯一可以大幅增加晶圆产能的区域，我们认为三星电子的P4计划可能会加剧通用存储器的短缺。 5.今年资本支出更高，包括大量基础设施工程 存储器：公司表示今年将大幅增加存储器资本支出，主要用于DRAM/HBM，并表示大量资金将用于P4洁净室建设和P5动工等基础设施工程。我们预计三星电子今年的存储器资本支出将同比增长28%，达到52万亿韩元。 代工：公司表示还将大幅增加泰勒（Taylor）工厂的代工资本支出。值得注意的是，公司在代工资本支出指引中表示，将于2027年开始2nm量产。我们预计三星电子今年的代工资本支出将同比增长129%，达到16万亿韩元。