半导体更新：存储+SiC+设备...

①隔夜海外存储厂商闪迪、美光、希捷收盘创新高。

②华尔街投研机构Melius Research在一份报告中指出，存储需求可能在本十年末前都保持高位；Reitzes预测，闪迪股价未来12个月内还将再涨36%。

③英特尔涨2.97%刷新高，高通涨0.95%。

④费城半导体指数跌1%，终结18连涨。

⑤台积电：正以“二倍速”推进扩产 2nm，首年产出将提升约45%。

1）国内SSD市场规模更新：约113EB，互联网占比80%，头部互联网占比接近90%，运营商占10%（80%以外），其中字节采购45EB，百度最少，最多2EB；

2）供应商份额更新：solidigm25%，预计2026可能下滑，三星15%～20%，华为，铠侠与亿联并列，大普微，其他；产品梯队：solidigm第一，三星和亿恒创源、大普微第二梯队）

3）价格趋势更新：25Q4-Q1涨幅80%～100%，预计Q2再涨30%，Q3 15%，Q4 5%，大客户具备议价权（约为市场价66%）；#三星海力士27年底之前无扩产计划，#长存28年底前产能已经全部签完长协；

4）大普微：今年可以支撑5eb出货，快手预计1.5eb，字节2eb，运营商1eb，剩下京东等，今年海外CSP突破，Google和NV交付QLC，增速最快；

5）需求：头部客户需求旺盛，大量寻找颗粒和盘，眼部以下中小客户需求缩了1/3，价格敏感度高，部分转向云服务，我们判断对于原厂和模组而言今年收入结构会加速向头部大厂倾斜，同时判断对于需求方而言也是如此。

关注海外原厂+国内模组厂。

DeepSeek-V4发布首日即完成与国产算力的适配，与下游芯片厂完成工程化适配以保障使用效率，标志着国产大模型与国产算力正式开启“正向循环”。

1）模型性能定价双突破，超高性价比构筑行业壁垒

近期半导体及国产算力板块持续走强，核心催化来自 DeepSeek-V4 实测落地、性能与定价体系全面超预期。实测显示，模型综合实力大幅领先国内开源模型，整体能力对标 Claude 3.5 Sonnet，代码能力比肩国内顶尖模型，百万级超长上下文形成独有优势。

成本端优势更为突出，同等测试场景下，V4 成本仅为海外模型的十分之一、国内同类模型四分之一，五一限时 25 折进一步放大商业化吸引力，后续昇腾超节点上架后价格将维持低位。

凭借性能持平、成本碾压的差异化优势，国产大模型正式具备全球竞争力，成为半导体算力需求增长的核心支柱。

2）架构迭代实现极致降本，国产算力迈入商业化新阶段

DeepSeek-V4 搭载 CSA、HCA 双压缩机制，单 Token 推理算力降至前代 27%，推理成本节约 60%-70%，降本幅度超市场预期。

架构创新大幅降低硬件带宽门槛，完美匹配国产芯片算通比。目前昇腾全系列、寒武纪、海光均完成原生适配，多家国产芯片厂商同步快速跟进。技术适配彻底打破国产算力商用瓶颈，告别单纯爱国采购属性，正式转型高性价比商业化选型，长期成长逻辑稳固。

3）算力需求全面扩容，芯片替代引领配置方向

当前板块核心投资逻辑切换为大模型架构创新与国产芯片大规模替代双轮驱动。需求端来看，采购主体从传统头部互联网大厂，拓展至智谱、MiniMax 等二线模型厂商，商业化采购动力全面释放，国产 AI 芯片行业空间显著扩容。

供给端，华为 2026 年芯片销量目标翻倍，全年产能已被提前预定，行业供需格局持续偏紧；同时头部模型厂纷纷复用 DeepSeek 稀疏注意力架构，带动全行业推理成本下行，进一步拉动国产算力硬件增量需求。

后续催化：

1）扩产订单：近期两存的订单在陆续落地，框架订单持续超预期；先进逻辑预计Q3加速下单，未来先进客户订单会持续超预期。

2）IPO进展：两存的IPO在持续推进，等待合适时机落地，继续对板块情绪带来强催化。

3）海外扩产：三星、海力士等有望推动新一轮存储扩产落地，带动国内市场情绪提升。

存储相关的设备商，订单确定性强：京仪装备，拓荆科技、 中微公司、微导纳米；零部件：珂玛科技，恒运昌。

其次，全球供应链公司，全球扩产受益：富创精密、 江丰电子、亚翔集成。

国产化率弹性相关：芯源微、 长川科技、华峰测控、中科飞测、精测电子等。

设备板块压舱石：北方华创。

近期SiC关注度回升，市场仍停留在过剩、价格战、没需求的旧观念中，实际上产业链景气度近期已经大幅提升，这也是Wolfspeed上涨的主要原因。如晶升股份近期公告提到的，部分衬底厂商已收到其下游客户的新增订单需求。行业供需格局得到明显改善。

未来需求远超想象

根据yole等公开信息推算会发现未来的需求有望爆发式增长。

-博世扩产彰显未来巨量市场空间

根据博世官网信息推算，未来博世的SiC器件产能有望提升近40倍，25年博世年产能预计在10万片（等效六吋）的量级，如按40倍增长，#仅博世一家就将消耗五个以上天岳先进25年的产能。与此同时，英飞凌、安森美、意法等也在积极扩产应对AI电源等新增需求。

-下游大扩产，供给紧张情况可能加剧

根据公开信息不完全统计，估算仅近半年新增的8英寸下游扩产需求就已超200万片，而当前全球8英寸衬底产能估算不足20万片。据产业链反馈当前各家8吋基本均为满产状态，随着下游扩产需求释放， 未来供给紧张的情况可能会进一步加剧。

我们认为行业近期已经开始展现大反转趋势，而市场仍停留在旧观念中，SiC短期的业绩仅仅反映了过去的需求，在未来巨大的增量对比下仅仅处于起步阶段。下游大扩产的情况下，#未来衬底和设备需求均有望倍数级增长。重视市场认知预期差、产业大趋势！天岳先进、晶升股份等。

以下为公开资料整理，不构成任何投资建议！

1Q26公司实现营收14.61亿元（yoy+19.5%，qoq+4.4%），归母净利润8.47亿元（yoy+61.3%，qoq+40.5%），扣非归母净利润6.04亿元（yoy+20.1%，qoq+9.0%），非经常性损益主要为投资收益及公允价值变动收益（2.33亿），#剔除股份支付费用影响后扣非归母净利润6.99亿（yoy：20.7%，4Q25剔除股份支付费用影响后归母净利润5.04亿元，非经常性损益约0.5亿元）。

点评：

-营收：1Q26内存接口芯片市场需求持续向好，公司上游产能紧张有所缓解，DDR5 RCD芯片出货量显著增加；同时，MRCD/MDB、PCIe Retimer、CKD及CXL MXC芯片收入攀升（合计达2.69亿元，yoy+94%），推动互连类芯片收入创新高（14.17亿元，yoy+24.4%，qoq+8.5%）。

-毛利率：得益于①DDR5第三子代、第四子代RCD出货占比进一步提升；②MRCD/MDB、PCIe Retimer、CKD及CXLMXC等新品收入占比增加，公司互连类芯片毛利率达71.5%（yoy+7.0pct，qoq+3.8pct）。

Agent AI加速落地驱动CPU/内存条需求快速增加，内存接口芯片市场保持高景气度；虽然DDR5渗透率已达到较高水平，但子代迭代尚处于中期阶段，仍持续推动公司产品平均ASP及毛利率保持良好水平。此外，公司PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD、CXL MXC以及在研PCIe Switch等多款新品有望逐步进入快速增长阶段，亦将带来显著收入贡献。

2025年：营收227.66亿元，同比+30%，归母净利润14.23亿元，同比+185%，分业务来看，嵌入式存储营收100.12亿元，占比43.98%，固态硬盘营收55.7亿元，占比24.46%，移动存储营收48.94亿元，占比21.5%，内存条营收22.16亿元，占比9.74%。2025年公司企业级业务营收17.83亿元，同比+93.30%，Zilia品牌营收29.24亿元，同比+26.49%，Lexar品牌收入47.41亿元，同比+34.53%。

26Q1：营收99.09亿元，同比+133%/环比+64%，毛利率55.5%，同比+45.15pcts/环比+24.69pcts，净利率40.16%，同比+43.52pcts/环比+27.93pcts；归母净利润38.62亿元，环比+443%，扣非归母净利润39.42亿元，环比+387%。公司与多家原厂顺利续签LTA与MOU，深度锁定核心供应链资源，为未来的长远发展夯实了资源基础，截止26Q1末公司库存达180亿元，环比25年末增加63亿元。

嵌入式存储：UFS4.1产品与多家晶圆厂达成深度合作，已导入多个头部手机客户，目前已实现规模化出货。

企业级业务：企业级PCIe SSD与企业级SATA SSD两大产品系列已完成与鲲鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威多个国产CPU平台服务器的兼容性适配。企业级DDR5内存条完成了AMD Threadripper PRO 9000WX系列兼容性认证，加深了与AMD 和Intel AVL官方认证合作，并在国产鲲鹏、海光、飞腾等多个国产CPU平台实现服务器兼容性验证。

端侧AI：公司ePOP4x产品已经批量应用于北美智能穿戴科技巨头的智能穿戴设备中，相关产品也同时应用于小米、 阿里夸克、XREAL、Rokid等国内外头部厂商的智能可穿戴产品。公司发布的mSSD产品已顺利进入头部PC厂商的导入测试阶段，预计将于2026年对传统SSD产品实现规模化替代。

股权激励：公司发布2026年股权激励计划，拟授予481.747万股，约占公司总股本的1.149%，授予价格为192.92元/股，激励对象总计638人。业绩考核目标方面，2026年营收不低于320亿元，2027年营收不低于352亿元或2026-2027年累计营收不低于672亿元，2028年营收不低于388亿元或2026-2028年累计营收不低于1060亿元。2026-2029年股权激励费用预计分别为3.61、3.99、1.59、0.41亿元。

事件：公司发布2026年第一季度报告，26Q1实现营业收入29.15亿元，同比+34.13%；归母净利润9.30亿元，同比大幅增长197.20%；扣非净利润4.78亿元，同比+60.09%。

点评：

1）26Q1业绩超预期，盈利能力与现金流显著改善。公司一季度营收保持超30%的高速增长。归母净利润的爆发式增长（+197.20%）主要得益于主营业务规模扩大带来的毛利提升，以及公司出售了部分持有的拓荆科技股票，产生税后净收益约3.97亿元。扣非净利润表现同样亮眼，同比增长60.09%，展现了极强的主业创收能力。

2）持续加大研发投入，期间费用率管控良好。管理费用率：26Q1管理费用率为3.44%，同比下降0.62个百分点；销售费用率：26Q1销售费用率为4.54%，同比略增0.20个百分点；研发费用率：26Q1费用化研发为5.24亿元，研发费用率为17.99%，较25Q1的21.37%同比下降3.38个百分点。整体来看，在收入规模快速放量的情况下，公司费用管控能力优秀。从整体研发强度来看，公司持续加大研发投入，26Q1整体研发支出高达9.08亿元，同比增长32.15%，研发支出占营业收入的比例达到31.14%，有力支撑了公司涵盖六大类、超20款新设备的研发进程。研发投入资本化虽然有所提升，但资本化均严格按照研发项目进度归集，资本化比例提高，证明公司研发的新机台达到可以资本化的条件，研发进展顺利。

3）刻蚀设备基石稳固，超高深宽比技术实现行业领跑。截至26Q1，公司累计已有超过8300个反应台在国内外180余条生产线全面量产。其中，CCP刻蚀方面，下一代90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端验证，全面覆盖存储器刻蚀中各类超高深宽比需求。ICP刻蚀方面，第二代PrimoAngnova在3DDRAM中取得了140:1的高深宽刻蚀结果并交付领先客户；全新化学气相刻蚀设备PrimoDomingo实现大于700:1的业界领先SiGe/Si高选择比，满足GAA和3DDRAM关键工艺要求。

4、薄膜与MOCVD新品多点开花，打造更多增长曲线。薄膜设备（LPCVD、ALD、EPI、PVDCuBS和PECVD等）在先进存储和逻辑市场新增付运量快速增长。其中，减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功。

公司26Q1营收为10.2亿元，yoy+23.8%，主要系抛光垫、抛光液营收大幅增长，以及3月并表皓飞新材；我们测算若剔除皓飞新材，预计公司营收增速在15~20%之间。

由于26Q1大幅增长的均为高毛利业务，Q1毛利较上年同期增长6.1pct，毛利率创下上市以来单季度新高，毛利润yoy+39.4%。扣非归母净利润为2.4亿元，yoy+75.2%。

抛光业务Q1增长亮眼。抛光垫实现营收3.8亿元，yoy+71%，当前月产能5万片，我们预计当前产能利用率超过80%，公司第二工厂已启动建设。抛光液与CMP后清洗液实现营收0.9亿元，yoy+54%，钨抛光液持续上量，铜、high k铝抛光液预计验证后开始放量。

半导体显示材料受OLED下游影响，Q1表现不佳，营收为1.3亿元，yoy-2.6%；预计中小尺寸OLED需求Q2放量，全年保持增长预期。光刻胶目前3款KrF/ArF进入稳定批量供应阶段，预计26年盈利。

公司大幅优化经营结构，建议积极关注：

1）从Q2开始，传统打印业务中低毛利的硒鼓、墨盒业务将剥离不再并表。这部分业务营收占26年1~2月营收的27.6%，但归母净利润贡献预计不足1%。

2）3月开始并表头部动力及储能电池辅材供应商皓飞新材（持有其70%股权），皓飞26Q1营收为1.6亿元，yoy+41%，预计这部分净利率15%左右。经营结构的改善有望优化经营结构，提升公司整体毛利率及净利率水平。

事件：公司发布26Q1财报，实现营收7.02e，同比+66.5%；实现归母净利1.05e，同比+577%。

公司盈利能力大幅提升，26Q1毛利率47.66%，同比+1.23个百分点；26Q1净利率15.01%，同比+11.23个百分点。

26Q1增长主要来自泛工业、汽车、泛通信等下游应用；产品方面实现信号链与电源管理芯片产品双轮驱动。

公司多款产品已在光模块应用中规模化出货，其中模拟前端（AFE）芯片为高速光模块关键组件，公司已建立从研发到量产的完整能力并实现稳定交付。

公司将持续保持研发投入力度，围绕工业、汽车电子、通信、消费等领域不断丰富产品布局。26Q1公司研发投入1.64亿元，同比增长27.66%。

结论：模拟芯片市场出现明显复苏，有望受益周期回升，叠加海外涨价加速国产替代及AI相关第二增长曲线持续放量。

公司披露2026年一季报，实现营收7.75亿元（+6.11%），归母净利润9106万元（+33.21%），扣非归母净利润8898万元（+46.57%）。在消费电子一季度受存储涨价挤压、产业链普降砍单压力的背景下，公司营收稳步微增，但利润弹性远超收入，标志着公司正式告别“果链单一驱动”，进入半导体设备盈利兑现的爆发期。

1）盈利结构质变：从“代工逻辑”向“设备逻辑”跃升。

营收与利润的严重非线性增长，底色是毛利率的大幅拉升。我们判定：以Optima为核心的半导体检测设备、以及HBM先进封装设备在26Q1进入了密集的订单验收窗口。高毛利业务对冲了传统电子组装线的波动，公司正从资本密集型向技术溢价型转型，半导体业务已从“逻辑验证”转向“真金白银”的报表贡献。

2） 周期属性重塑：淡季不淡，打破季节性魔咒。

传统一季度为电子制造淡季，但赛腾凭借半导体设备长周期、高单价的验收特性，成功熨平了行业波动。在下游客户因AI算力需求倒逼封测扩产的背景下，公司存量订单结构优异，抗风险能力显著增强。

投资建议： 赛腾股份正处于估值中枢上移的拐点。随着AI手机新周期与半导体国产化双轮驱动，预计公司全年高盈利质量将持续验证。维持“买入”评级，重点关注中报及三季报订单交付带来的持续超预期可能。

1）2025年营业收入35.91亿元，+16.1% YoY；归母净利润-1.42亿元，亏损收窄46.4%.

2026Q1营业收入9.99亿元，+21.8% YoY，+5.0% QoQ；归母净利润0.07亿元，同比环比均扭亏；毛利率15.6%，同比提升2.5ppts，环比提升10.1ppts。受益于12英寸硅片产销量大幅增长以及产品结构优化升级，2026Q1公司单季度收入创历史新高且盈利能力显著改善。

2）硅片业务：2025年收入23.8亿元，+25.1% YoY，毛利率5.6%，同比提升7.5ppts。

2026Q1收入6.8亿元，+20+% YoY，其中12英寸硅片收入3.0亿元（外延2.0亿元，抛光1.0亿元），+88% YoY。

12英寸重掺接近满产（12 英寸重掺砷、12 英寸重掺磷衬底外延片等多款产品用于AI服务器电源，12英寸MCZ超低氧抛光片精准切入国内外高压IGBT市场并成功上量），12英寸轻掺产品线坚持高端化、差异化发展路线，加速导入客户（逻辑电路用轻掺硼外延片，BCD工艺、PMIC电源用轻掺硼硅片快速上量，成功实现CIS器件应用领域28nm制程标志性突破）。

3）功率芯片业务：2025年收入8.4亿元，-2.7% YoY，毛利率23.0%，同比降低6.8ppts。

2026Q1收入2.1亿元，-2.9% YoY，销量53.0万片，+4.3% YoY。

立足自身特色工艺路线，持续聚焦车规级市场，已形成显著的差异化竞争优势，FRD方面某重点客户应用于大型风光储能1200V项目的产品顺利实现量产。

4）化合物半导体业务：2025年收入3.3亿元，+10.8% YoY，毛利率7.3%，同比降低5.8ppts。

2026Q1收入1.0亿元，+92.1% YoY，销量1.33万片，+99.4% YoY。

与速腾聚创、禾赛科技、瑞识智能等达成战略合作，车规级VCSEL芯片大批量出货；pHEMT芯片用于低轨卫星，已进入航空航天与卫星通信领域，应用于“千帆星座”、“星网”等项目，通过铖昌科技、华芯天微、臻镭科技、安徽矽磊、苏州宜确等实现大规模出货；HBT芯片通过昂瑞微、唯捷创芯、康希通信、慧智微等进入手机供应链。

在 AI 热潮中，台湾领先的代工厂台积电因其专注推进亚纳米级代工工艺路线图而备受关注。

台积电计划明年进入 1 纳米节点，此后每年逐步推出更先进的衍生节点。

相比之下，三星电子正专注于优化其 2 纳米工艺，而非激进地推进更先进节点，这是一种相对谨慎的尖端工艺开发策略。

据业内消息人士 27 日透露，三星电子和台积电的亚纳米级代工策略预计将从 1 纳米节点开始出现显著分化。

台积电在最近的 Q1 财报电话会议和北美技术研讨会上公布了其尖端代工工艺路线图。

根据披露，台积电将从 “A16” 开始，于 2027 年量产 1 纳米级先进节点。“A” 代表埃（0.1 纳米），因此 A16 对应 1.6 纳米。

台积电随后计划于 2028 年量产 A14，2029 年量产 A13。本月新披露的 A13 相比 A14 面积缩小 6%。

据报道，它还通过 DTCO（设计 - 技术协同优化）提升了能效和性能。

下一代 A12 也计划于 2029 年量产。基于 A14，A12 的特点是应用了 “Super Power Rail”，这是一种面向 AI 和高性能计算（HPC）行业的背面供电网络（BSPDN）技术。

BSPDN 是一种将信号处理和供电分离的技术 —— 这两者此前都位于晶圆正面 —— 通过将供电网络移至晶圆背面来实现。

台积电的主要竞争对手三星电子则采取了略有不同的策略。

三星此前优先考虑工艺微缩，于 2022 年成为全球首家基于 GAA（全环绕栅极）架构量产 3 纳米节点的公司。

然而，在去年公司公布代工工艺路线图的 “SAFE Forum” 上，三星将其 1.4 纳米（SF1.4）量产目标推迟了约两年 —— 从原计划的 2027 年推迟至 2029 年。

三星的策略并非激进地进入 1 纳米节点，而是专注于优化和推进现有节点，如 2 纳米。

行业预计三星将在今年 5 月底于美国举行的 SAFE Forum 上再次提出以 2 纳米工艺为中心的策略。

一位系统半导体行业消息人士表示：“三星尚未明确展示其 2 纳米后工艺路线图的完整图景。随着通过获取内外客户确认 2 纳米利用率将显著提升，该公司目前正全力投入优化和良率提升。”

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！