半导体更新：电子特气+MLCC...

①隔夜美股半导体股多数走强，纳微半导体涨16.1%，存储普涨。

②中国加强对日钨出口管制，日本近30%产能或断供，全球六氟化钨涨价。

③外媒：长鑫有可能推迟其第四代高带宽存储HBM3的商用化时间表。

④韩媒DigitalToday：台分销商Future Electronics将三星电机MLCC交货期定为24周。

据悉，六氟化钨和三氟化氮是市场规模最大的两类电子特气，是先进逻辑与存储芯片制造的核心材料。

根据DiMarket预测，到2033年全球六氟化钨市场规模将超过20亿美元，2025年至2033年期间CAGR将达到17.6%。

根据TECHCET，全球六氟化钨的需求量从2020年的4620吨增长至2025年的8901吨，年均增速达到14%。

另据FortuneBusiness Insights数据，2025年全球三氟化氮市场规模为21.5亿美元，预计将从2026年的24.2亿美元增长到2034年的64.5亿美元，CAGR高达13.01%；预计2025年全球三氟化氮需求达到6.37万吨，对应2020—2025年CAGR约为15%。

中信证券指出，2025年2月中国加强对钨出口管控后，在钨成本中占比60%—70%的钨粉价格持续上涨，传导至下游六氟化钨持续涨价。

2026年1月，中国加强对日本的钨出口管制后，原材料供应中断或将导致日本全球占比近30%产能断供，预计全球六氟化钨价格将进一步大幅拉升，同时大幅加速六氟化钨国产替代以及出海业务进程。

三氟化氮方面，三井化学退出三氟化氮业务以及关东电化涩川工厂三氟化氮装置爆炸事件将为全球带来数千吨供应缺口，有望为国内三氟化氮供应商带来量价齐升的市场机遇。

中船特气 ：三氟化氮产能达 12500 吨，位居国内第一、世界前列，是国内电子特气龙头。‌

昊华科技 ：在特种气体领域拥有深厚积累，被市场视为三氟化氮概念龙头之一，营收规模较大。

南大光电 ：通过收购山东飞源气体布局该领域，三氟化氮产能已提升至 3800 吨/年，规划产能全球领先。‌

华特气体 ：国内唯一通过 ASML 认证的气体公司，提供包括三氟化氮在内的特种气体，客户网络广泛。‌‌

据韩国专业科技前沿媒体DigitalToday 4月21日报道，台湾分销商 Future Electronics 将三星电机制造的 MLCC 交货期定为长达 24 周。

另一位台湾分销商 Nichidenbo 则表示高端 MLCC 的供应交货期为 14 至 16 周。供应交货期是指客户下订单到收到货物的时间，而生产交货期是指工厂生产产品所需的时间。由于生产交货期约为 8 周，因此实际收到供应的时间延长了 2 至 3 倍

全球MLCC巨头村田和三星电机，其利用率持续高位运转，正集中生产用于人工智能（AI）服务器的产品。这也造成了溢出效应，通用产品的订单流向了二线供应商。

然而证券行业表示“真正的供应短缺尚未开始。”值得注意的是近期日本厂商太阳诱电（Taiyo Yuden）宣布上调部分MLCC价格（5月起），行业龙头村田（Murata）已率先引导涨价趋势，三星电机预计将跟进。背后驱动：AI需求提升、原材料成本上升，被动元件进入新一轮涨价周期

​点评：供应偏紧，国产MLCC厂商或承接溢出订单、有望延续一季度涨价趋势 长期看好MLCC从周期向景气成长属性转换的戴维斯双击行情！相关：风华高科、三环集团、博杰股份、博迁新材等。

全球半导体行业维持高景气，光刻材料等半导体材料需求持续提升。

根据SIA数据，2026年1-2月全球半导体销售额合计约1713亿美元，同比增长53.8%；中国大陆同期半导体销售额合计约465亿美元，同比增长52.1%。

光刻工艺是集成电路晶圆制造中难度最大、耗时最长的关键工艺环节，光刻工艺成本约占晶圆制造工艺的1/3，耗时占晶圆制造工艺的40%-50%。

光刻材料在晶圆制造材料成本中占比约13%-15%。根据Frost & Sullivan预测，预计2028年中国大陆光刻材料整体市场规模增长至319.2亿元，对应2023-2028年期间CAGR约为21.2%。

从实际工艺流程来看，光刻并非仅由光刻胶单一材料决定，SOC、BARC、TARC/Top Coating等配套层材料在光刻工艺中同样不可或缺。

根据Frost & Sullivan预测，2028年中国大陆SOC市场规模预计将增长至43.7亿元，对应2023-2028年期间CAGR为26.8%；2028年抗反射涂层市场规模预计将增长至96.9亿元，对应2023-2028年期间CAGR为26.9%。

两者增速均高于光刻材料整体21.2%的年复合增长率，主要系伴随先进制程的推进，SOC和抗反射涂层的用量提升更为显著。

SOC国产化率约10%左右，BARC国产化率约1%-2%。

目前，国产光刻胶厂商在布局半导体光刻胶产品的同时也在陆续布局SOC、BARC等配套产品。2024年恒坤新材SOC营收为2.32亿元，预计中国大陆市占率已超过10%。彤程新材抗反射涂层、EBR等光刻配套产品系列已通过国内多家客户验证并开始放量，同时也在推动旋涂碳材料、特种EBR、负性显影液、development rinse等光刻配套材料的研发。

鼎龙股份于2026年3月建成年产300吨KrF/ArF光刻胶量产线，同时还布局了数款配套的BARC、SOC等光刻辅材。

相关“彤程新材、鼎龙股份、兴福电子、恒坤新材、晶瑞电材、南大光电。

风险提示：下游需求不及预期，客户导入进度不及预期，产能建设风险，研发风险。

瑞芯微：26Q1实现营收12.05e，同比+36.2%；实现归母净利3.29e，同比+57.15%。

公司RK3588、RK3576、RVI1系列为代表的AIoT一系列算力平台增长强劲，毛利率随产品结构进一步优化，RK182X系列首批客户已进入产品发布、量产阶段，导入速度超出预期。AIoTSoC算力平台＋协处理器的双轨制发展，有望驱动公司业务持续增长。

全志科技：26Q1预计实现营收9.12e，同比+47%；实现归母净利2.03e，同比+122%。

公司持续积极拓展各产品线业务及推动新产品量产，叠加下游客户因涨价预期增加备货。公司对产品销售价格进行上调，主要应对存储等上游原材料及封装成本上涨影响。

结论：AIOT下游应用广泛，随着终端AI渗透与新品推出升级，AIOTSOC量价齐升趋势不变。目前市场整体预期较低，业绩释放有望带动SOC板块修复。

AI SOC相关：星宸、瑞芯微、晶晨、全志、乐鑫、恒玄、炬芯、中科蓝讯、富瀚微等。

李双亮/程如莹

中国长鑫存储技术（CXMT）越来越有可能推迟其第四代高带宽存储（HBM3）的商用化时间表。

该公司最初计划在今年上半年实现商用化，但尚未向相关材料和组件供应商下达量产级订单。

据业内人士 20 日消息，长鑫存储的 HBM3 量产计划原本针对今年上半年，但目前正遭遇挫折。

长鑫存储是中国最大的 DRAM 制造商。

虽然其全球 DRAM 市场份额仍未进入顶级行列，但该公司因技术进步迅速而备受认可，已成功商用化包括 DDR5 和 LPDDR5X 在内的最新 DRAM 标准。

长鑫存储也正在叩开 HBM 市场大门 —— 这是用于 AI 数据中心的性能型 DRAM。

HBM 是一种内存半导体，通过硅通孔（TSV）将多个 DRAM 芯片垂直堆叠并连接。

它在前端和后端工艺上均要求高度先进的技术。

长鑫存储专注开发的产品是 HBM3，这是第四代 HBM，属于相对成熟（传统）工艺范畴。

三星电子、SK 海力士和美光等巨头今年正全面启动 HBM4 的量产。

⚠️ 然而，业内评估显示，长鑫存储的 HBM3 仍处于测试阶段。

⚠️ 尽管最初计划最早在今年上半年实现量产，但时间表持续延后。

⚠️ 据悉，HBM3 所需材料和组件的订单仍停留在样品生产水平。

一位半导体业内人士解释称：“长鑫存储的技术进步很快，但 HBM3 量产时间表不断推迟。从开发进度来看，今年内实现量产的可能性不大。”

⚙️ 与此同时，长鑫存储已采用 G4（16nm 级）DRAM 作为 HBM3 的核心芯片。

⚙️ 这是去年开始全面量产的 DRAM 节点，代表长鑫存储的最先进工艺。

在 DRAM 芯片堆叠的后端工艺上，长鑫存储采用了 Mass Reflow-Molded Underfill（MR-MUF）技术。

MR-MUF 是一种在堆叠过程中用热量临时粘合每个 DRAM 芯片的技术，然后在完整堆叠完成后施加热量（回流）以最终固化粘合。

随后施加液体 EMC（环氧树脂模塑料 —— 一种将环氧聚合物与无机二氧化硅混合的模塑料材料）。

目前，SK 海力士正在使用 MR-MUF 工艺。

持续关注存储，看好超级成长而非超级周期【中信电子】

我们持续看好存储超级成长趋势。

成长性一看token：Agent AI时代存力为核心，KV Cache显存容量和上下文长度呈线性增长关系，当序列长度从1k提升至128k token时，KV Cache占用从0.5GB提升至64GB，需求远超硬件配置增速，存力为核心卡点。

成长性二看长协： 更多巨头/csp谋求和原厂签订长协，存储转向AI时代战略资源，预计存储原厂保持高毛利率的持续性强于以往任何一个周期。

供给端扩产瓶颈明确，短期供给紧缺逻辑强化：昨日日本地震，铠侠2家NAND工厂（全球NAND产能占比5%-8%）计划停工检查1~3天；由于良率及同容量晶圆消耗多，HBM4进展放慢，原厂回退供给HBM3E为主，同时三星EOL LPDDR4/LPDDR4X，强化供给紧缺逻辑。

我们再次重申观点，在AI强需求驱动下，本轮存储是超级成长而非超级周期，行业迎长周期范式转移，预计供不应求至少持续至2027年，涨价贯穿2026全年。佰维存货由25Q4末79亿提升至26Q1的121亿，长期趋势更乐观；当前仍看好存储核心资产，海外看好原厂，国内看好两存、兆易创新、北京君正（车规存储补涨）等，持续性强于预期业绩亮眼的模组公司佰维存储、德明利等。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！