半导体更新：两存+设备+元器件...

①长鑫科技IPO将于5月27日上会。

②阿斯麦CEO称，首批High-NA EUV芯片将数月内投产。台积电因设备超4亿美元推迟采用，SK海力士和英特尔已拥有该设备。

③隔夜美股存储上涨，美光科技涨4.76%，希捷科技涨2.42%。

IPO进程如何展望？

1）按照IPO流程：5月27日正常过会；

2）1-2周时间提交注册并获批文；

3）1-2周时间进行询价定价，资金募集。 乐观来看，如果顺利，6月底有望正式上市。

对设备影响如何？ 对于设备板块中长期绝对是利好，后续市场对于存储的扩产招标信心更足，此前预期很混乱、口径繁杂，设备板块的关注度会更高，能容纳更多资金。

长鑫上市会是设备高点吗？ 长鑫上市后还有长存，下半年还有先进逻辑进展，今年是大周期第一年。

19日长存IPO辅导备案，20日长鑫确定上会日期，两存近期进展全面加速，半导体大时代到来。

相关再梳理（不构成投资建议）

存储弹性：精智达、中微公司、拓荆科技

逻辑弹性：北方华创、精测电子

去日化：芯源微、华峰测控

零部件：富创精密

长鑫科技科创板IPO将于5月27日上会。

深度受益存储涨价大周期，预计26H1业绩爆发式增长！

招股书披露预计26H1收入1100-1200亿元，净利润660-750亿元，归母500-570亿元，扣非后520-580亿元。

相关：1）深度合作：兆易创新、晶合集成等；2）设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、芯源微、微导纳米、精智达、华海清科等。3）Dram产业受益： 国科微。4）封测：长电科技、深科技等。

通过对全球主要半导体代工及封测企业1Q26业绩的分析，我们看到：为满足AI芯片需求，头部fab一方面加大设备投资，一方面加大于成熟工艺代工与先进封装合作，硅光有望成为新增长点。

我们预计2026年全球半导体企业capex同比或增长32%，全球WFE收入同比或增长 27%。

我们主要看到以下四个机会：

观点1：AI需求外溢推动成熟工艺代工企业（中芯/华虹）进入量价齐升的上升周期

观点2： 2026全球晶圆厂资本开支有望增长32%，利好海外设备商收入增长和中国国产化率提升

观点3：AI需求外溢推动先进封装成为热点，关注 Intel，日月光，盛合，长电的机会

观点4：硅光技术成为全新增长极，关注GFS，Tower、中芯和华虹的机会

长鑫科技科创板IPO定于5月27日上会。

长川科技：存储测试机今年预计15e+，去年以CX为主，今年武汉、晋华等均会开始放量。

强一股份：存储采用2.5D MEMS探针卡，目前在两存积极验证，将贡献公司第二增长曲线。

精智达：半导体订单35e+，以合肥客户为主，包含IDBA、CP和FT设备，武汉客户、H今年有望实现订单突破；18Ghz存储测试芯片流片已经完成。

联讯仪器：高速FT存储测试机在合肥客户验证，正在由10Ghz节点迈向12Ghz节点。

微导纳米： ALD优势明显，CVD持续拓展，存储设备敞口80%+，26年预计35-40e订单，同比翻倍，其中武汉客户占大头。

精测电子：CX敞口高，膜厚、OCD、电子束等在合肥客户竞争优势明显。

迈为股份：25年约8e前道设备订单，其中存储约三分之二，26年前道目标20e。

矽电股份：探针台在两存积极验证，下半年有望出结果。

1、零部件研究不充分，供需缺口将持续拉大

1）海内外设备龙头毛利率45%-50%，其中零部件占成本比重超85%，25年全球市场超4000亿元，是一个大容量赛道；

2）应材交期已经延长到8个季度，零部件供给短缺，简单测算：本轮全球WFE新增900亿美金，对应超3000亿零部件，全球零部件扩产保守且需要较长时间，潜在缺口极大。

2、很多领导认为是逻辑yy，但产业却不断兑现！

1）最直接的就是涨价，AE射频电源普涨20%、阀门等调价函明确，供需紧张已经实打实开始影响；

2）gasbox是重要大单品，国内两家龙头均反馈开始挑单做，而且现在产能交付才是竞争力，大家可以想象制造业生态下客户的地位，现在能够挑高毛利单子已经说明了很多！

3、国内高增叠加出海增量，行业迎来拐点。

1）4月零部件板块订单增速40%-50%，后续将进一步加速；2）本土零部件已经大规模出海，过去海外敞口1/3，供需紧缺背景下、中期利润率有望重估。

相关：富创精密，以及恒运昌、京仪装备，正帆科技、珂玛、新莱等。

0520半导体板块表现强势，中芯华虹等龙头大幅上行，带动EDA板块底部跟涨。

多重曝光特色工艺之下，需国产EDA配套研发。

此外传言某头部互联网公司大笔购入EDA，的确该公司有EDA购买需求，但金额待查证。

概伦电子： 0519激励授予落地，短期压制因素解除。市场预期物理IP龙头锐成芯微及纳能微并购近期落地，若并购落地，公司营收预计大幅增长。

AI用高阶被动元件爆缺，被动元件巨头纷纷启动新一轮调涨，日本松下、美商基美分别在贴片型固态电容（SP CAP）、钽质电容自6月启用新价，涨幅介于5~65%; 由于主要国际大厂产能已满，随Vera Rubin平台放量，加剧高阶被动元件供给缺口，排挤中低阶产能之下，转单潮正式拉开序幕。

1）4月开始正式涨价，渠道平均10%左右，直销客户以前签的单没有变化，新拿货的部分执行新的价格，渠道目前季度调整价格，直销客户看拿货节奏

2）AI Server占公司出货量的1%-2%，由于ASP是普通产品10X以上，销售额角度已经占到10%以上，未来会持续提升

3）AI Server的料号流延面积是普通产品4X以上，良率远低于普通产品，对产能消耗目前是普通产品的10X左右，所以消费类需求下滑影响不了AI Server带动的产能消耗，缺口可能持续扩大，未来良率提升可能能弥补部分缺口

4）产能扩张积极，目前天津工厂（占50%+）逐月都有新的流延面积增加，但也无法满足客户需求，本轮景气度有望持续

结论：MLCC行业经过20-21年景气周期、22-23年下行周期后，行业产能扩张放缓，AI Server起初带动并不明显，但到了25年我们测算产能消耗已经来到5%，随着AI Server继续爆发式增长，CPU开始爆发，今年达到10%，明年20%，带动缺口持续扩大，目前主流玩家均满产，未来价格具备较强弹性，三环集团、风华高科、天利控股集团。

需求端AI服务器GPU功耗与频率提升，直接拉动MLCC用量增长。据Trendforce预测，2026年全球通用服务器出货约1500万台，AI服务器约350万台。通用服务器主板的MLCC用量约1800~2500颗（取中值2150计算），AI服务器的MLCC用量高达约2.8万颗，2026年仅服务器领域MLCC用量将达1302.5亿颗，按MLCC单价0.25元/颗测算，市场规模约为325.6亿元。

供给端：本轮周期的核心逻辑在于：高容MLCC对产能的消耗远超普通产品。生产一颗高容产品所占用的设备时间，是普通产品的5到10倍。因此，尽管AI用高容MLCC在数量上仅占全球总需求的5%-10%，却实际消耗了全球近30%的产能工时。

价格端：目前海外龙头（村田、三星电机、太阳诱电）产能已接近满产。由于高容产品需求过旺，厂商正主动调减中低容产量转产高容，导致全系产品供应收紧。5月起，海外大厂相继调价10%-30%不等。现货价格涨幅更快，终端抢单现象凸显，MLCC已正式进入“量价齐升”的加速上行通道。

技术端：MLCC粉体为MLCC制造环节技术壁垒最强核心原料，内电极镍粉占MLCC成本的20%-30%。MLCC要实现高容、高压和小型化，目前高端纳米级镍粉（如PVD工艺）生产壁垒极高，供应持续偏紧。

我们认为：本轮MLCC不是简单的季节性回暖，而是由AI硬需求驱动的超级周期。我们看好产品向高阶升级，龙头厂商与上游原材料环节（镍粉）率先受益。

射频电源是半导体零部件中量价齐升的环节、受益微观结构复杂化

射频电源的功能不是供电，而是实现对等离子体方向性、选择性、均匀性等多指标的控制，是芯片微观形貌控制中最核心的部件。从量来看，刻蚀与薄膜沉积步骤到先进制程步骤会有非线性提升，从价来看，复杂波形调制、反射功率控制、脉冲控制等带来整体ASP和BOM占比稳步提升。

设备大周期、零部件先行

从节奏看，顺序为Fab土建、下单、零部件采购、零部件确收、设备move in、投产，目前正在零部件采购的前夕。海外节奏更快，AMAT本周业绩会表示多家零部件厂商已经进入已达产能上限，我们了解部分零部件厂商已经开始涨价（AE），国内需求上行有望在三季度开始体现。

英杰电气：主业反转、射频电源放量元年。公司射频电源自23年底开始起量，当前在上量的起点，今年半导体1-4月订单同比+70%；光伏去年新签订单仅7000万，当前1-5月新签订单已超5亿；通用电源业务今年预期增速超40%。

恒运昌：射频电源高景气度、扩产+研发布局多客户。公司此前主供拓荆，当前公司在中微与华创取得进展，收入空间有望打开，从质地来看，公司是国内SKU最全的射频电源厂商，稳态高市占率可期。当前公司产能约为10000台套，稼动率为100%，预计未来5年产能翻5倍，叠加产品ASP提升，收入空间更高。

高景气度上行：当前行业稼动率高位，价格优化上升。先进工艺良率&产能爬升为确定性趋势，有望受AI应用等催化。

中芯国际：国内代工龙头，先进制程核心。

华虹半导体：功率/电源管理等特色工艺龙头，产能满载。

燕东微：稼动率高位，深耕功率领域，受益行业复苏。

风险提示：下游景气度不及预期；行业竞争加剧。

中泰电子：王芳/杨旭/冯光亮

硅片是芯片制造之基，大尺寸发展趋势明确。半导体硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料，根据SEMI统计，2024年九大类晶圆制造材料中硅片占比30%。相同工艺条件下，300mm硅片可使用率（即单位硅片可生产芯片的数量）是200mm硅片的2.5倍左右，其单位面积的单价更高，从而附加值高、制程更先进的芯片采用12英寸硅片生产能获得最大经济效益。

AI持续高景气，GPU、HBM带来12英寸硅片增量需求。根据SUMCO测算，AI服务器对12英寸硅片需求量是通用型服务器的3.8倍。新产品新技术催生12英寸硅片更多消耗，同等存储容量HBM对12英寸硅片需求量是主流DRAM产品的3倍。NAND Flash堆叠层数提升至400层，厂商会切换至通过2片晶圆键合制作1个NAND Flash完整晶圆的工艺，相当于12英寸硅片需求翻倍。根据SEMI预计，2030年全球半导体硅片市场规模预计超过200亿美元。

海外大厂展望12英寸硅片市场持续复苏。

1）Sumco：2025年300mm硅片全年复苏趋势延续，中长期来看，300mm硅片方面，AI数据中心的先进逻辑芯片和DRAM需求旺盛；传统产品方面，客户将全面去库存并调整采购量；

2）信越化学：与AI相关需求持续强劲，其他领域需求也开始回升，展望未来，AI半导体领域客户正加紧扩产。此外目前DRAM供应已出现短缺，存储器厂商在需求增长节奏驱动下，已开始表现出保障未来硅片供应意愿，预计未来AI相关硅片出货量将大幅增长；

3）Slitronic：展望2026，预计库存调整前硅片需求同比增长约6%，主要由服务器需求驱动。

相关：立昂微、沪硅产业、西安奕材、上海合晶、TCL中环

风险提示：下游需求不及预期，市场竞争激烈

高景气度已经毋庸置疑

其实不管是海外一季度封测涨价，国内一季度封测稼动率满产，都说明封测的高景气。而季节性来看，一季度就是每年的底部，未来逐季度提升预期确定性非常的高。

至于为什么在消费电子下行情况下能保持高景气度，因为AI相关需求在爆发！

多点开花

通富微电：AMD CPU逻辑+国产算力

长电科技：海外AI算力客户突破+高资本开支

晶方科技：CPO/NPO光引擎封装+硅透镜

甬矽电子：国产算力+SoW封装

5月19日，据知情人士透露，全球模拟芯片巨头ADI正就以约15亿美元现金收购硅谷AI电源管理芯片初创公司Empower Semiconductor进行深入谈判。Empower Semiconductor年营收约为5400万美元，按15亿美元的收购价格计算，收购价相当于年收入的 约28倍。

Empower是全球垂直供电及IVR（集成稳压器）的核心企业：Empower的核心竞争力在于IVR，即之前在观点及报告中提到的集成稳压器，可以类比为是电源中的“CPO”。其解决方案是将集成稳压器安装在AI芯片的下方或者内部，甚至是嵌入载板，核心思想是#将模块尽可能地靠近芯片，形成垂直供电的概念。ADI本次对于Empower的拟收购动作，极大程度上验证了#垂直供电趋势的确定性及必要性，同时再次强调三次电源是整个“AI&电”大背景下精细程度最高，弹性最大同时技术变化最明显的环节。

同时关注功率器件潜在的机会：AI服务器功耗最高可达传统服务器的15倍，这不管#从数据中心设计还是供应链格局层面都会产生比较大的影响，而在AI驱动的背景下，海内外的功率器件都已经出现多轮涨价（TI两年四次提价，国内新洁能等今年亦出现涨价）。根据新洁能年报，PSU和VRM目前占AI服务器功率半导体需求的70%，功率器件及其上游（重掺硅片等）亦有可能在今年呈现出量价齐升的逻辑。

垂直供电核心卡位：中富电路，同功率器件条线：新洁能、士兰微等及其核心上游重掺硅片：立昂微等。

由于 “持续的结构性因素”，需求继续超过供应，美光科技公司现在预计 HBM、DRAM 和 NAND 的紧张状况将持续 “远超 2026 日历年”。

自 3 月财报电话会议以来，财务前景有所增强；管理层表示，美光有望在第三财季再次实现创纪录的自由现金流季度，资产负债表 “从未如此强劲”，且三大信用评级机构今年均上调了美光评级。

未对 5 月季度指引进行正式的季度内更新；当被问及分析师提及的约 335 亿美元营收、约 81% 毛利率和约 19 美元每股收益的中位数时，管理层表示该季度将在几周后结束，具体细节将在下一次财报电话会议上公布。

需求持续超过美光及整个行业的供应能力；管理层预计 HBM、DRAM 和 NAND 的供应紧张状况将持续 “远超出 2026 日历年”。

定价表现符合或优于预期，但更重要的增量变化在于，受 AI 工作负载从人机交互向代理型及机器对机器交互转变的推动，需求依然 “非常非常强劲”。

推理在 AI 工作负载中的占比日益增大，提升了内存和存储的强度；管理层强调，内存正成为更具战略价值的资产，因为更高的性能、可靠性和容量能提升模型准确性。

供应限制是结构性的，而非仅周期性因素：DRAM 和 NAND 的节点迁移带来的位元增长效率低于前几代，限制了行业仅通过技术迁移来增加供应的能力。

HBM 在结构上减少了可用的 DRAM 位供应，因为更大的芯片尺寸需要超过 3 倍的晶圆数量才能提供相同数量的位，而这种交换比率从 HBM3E 到 HBM4 和 HBM4E 进一步恶化。

客户供应短缺问题尚未解决；此前有评论称，关键客户仅能确保中期位需求的约 50% 至三分之二，管理层表示需求驱动因素已增强，而供应仍极难增加。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！