半导体更新：封装+MLCC+射...

据台媒报道，业内人士分析称，CPO或将成为未来AI服务器主流架构，英伟达不排除通过长约、预付款甚至策略合作等方式，提前锁定高阶基板产能，以避免重演过去CoWoS与HBM供应紧张情况。

随着 AI GPU 运算需求持续爆发，尤其 2 纳米以下制程、CoWoS 与 SoIC 等先进封装产能建设周期长，叠加 AI 芯片功耗与复杂程度快速提升，全球头部 AI 芯片企业都在积极提前锁定未来三至五年产能，避免再度出现此前 AI 芯片供不应求的局面。

据报道，德国设备制造商 SCHMID 在财报电话会上表示，预计到 2030 年该市场规模可能扩大 3 到 4 倍，并重点提到了台积电公司（TSMC）、英特尔公司和三星公司的进展。

第一梯队：晶圆代工厂及主要半导体企业：台积电（310×310 毫米，2028 年量产）、英特尔（510×515/600×600 毫米玻璃基板，2026-2030 年间商业化）、三星（415×510 毫米面板，用于系统级面板先进封装）。

第二梯队：基板与面板合作伙伴：Unimicron（中国台湾）、Innolux（中国台湾）、Shinko Denki（日本）、Ibiden（日本）、SKC/ Absolics（韩国，全球首个玻璃基板生产地在美国佐治亚州）、Samsung Electro-Mechanics（玻璃基板样品，目标 2027 年供应苹果）。

英伟达、AMD 等 AI 芯片巨头正在推动面板级封装需求，以适应更大的裸片尺寸。

AI服务器驱动MLCC量价齐升。MLCC覆盖AI服务器一到三级电源全链路，我们测算2030年服务器MLCC出货量有望达4000+亿颗，2026-2030年CAGR约40%，占全球出货量5-10%、 占市场规模20-30%。

涨价周期已至。村田预计2026年电容ASP同比+5%至+10%，服务器相关销售同比+85%至+90%，产能利用率已达90-95%；三星电机预计AI服务器强需求致供应紧张，混合ASP随高端产品组合改善而提升，战略性推动5%-10%涨价；太阳诱电亦将从5月起上调MLCC等部分元器件价格。

看好本土厂商受益本轮上行周期。看好本土厂商受益海外龙头产能挤出外溢，初期获份额提升，后续有望跟进涨价。相关：三环集团、风华高科，以及昀冢科技、信维通信。

中信电子 徐涛/胡叶倩雯/夏胤磊/叶达

本轮 MLCC 行情来自 AI 需求驱动的结构性长景气，三大核心逻辑：

1.刚性供需缺口长期确立：AI 服务器高端 MLCC 用量呈指数级增长，而高端产能扩产周期长达 18-24 个月，核心设备供给高度垄断。当前头部厂商高端品交期拉长，供需缺口持续扩大；

2.供需矛盾全产业链蔓延：日韩龙头将产能优先向 AI 高附加值产品倾斜，中低端产能持续收缩，行业供需紧张已从 AI 高端品，逐步传导至车规、工控、消费级全品类，全行业涨价氛围已经形成；

3.国内厂商迎来双重红利：涨价潮呈现「日韩带头→台系跟涨→国产承接」的清晰传导路径。太阳诱电已经提价，三星电机明确了下半年涨价的信号，台系厂商大概率跟进。国内具备MLCC 量产能力的龙头，将同时享受涨价带来的盈利修复，与国产替代加速的份额提升，业绩确定性极强。

MLCC：昀冢科技、三环集团、风华高科

上游原材料：博迁新材、洁美科技、国瓷材料

AI等高端被动元件供需持续紧张，涨价预期较为明确。

从需求侧看，AI服务器对MLCC的需求强度，已经推动高端MLCC价格上涨，单台AI服务器MLCC用量相比传统服务器预计要增加3倍以上，AI用GPU周边需要大量高频去耦电容，HBM供电系统对高容值MLCC需求暴涨，高功率VRM模块需要更高耐压MLCC，此外AI加速卡数量增加导致PCB电源层MLCC密度持续提升。

成本侧看，上游原材料成本自年初以来持续攀升，叠加供需关系的逆转，行业定价逻辑已由“以价换量”转向“成本加成”。我们认为，国内厂商如三环、风华高科等厂商凭借成熟的工艺控制与成本优势，加速承接从日韩厂商溢出的订单需求。

从本次涨价趋势看，2026年MLCC市场已经呈现明显“K型发展”：高端AI相关MLCC供不应求，而中低端消费类MLCC则面临价格压力。

而AI对被动元件需求增长远大于消费电子，高端被动元件供给出现明显结构失衡，后续多品类产品均有望实现涨价。我们预计后续日韩系厂商有望率先涨价，后续国内厂商凭借产能与技术优势跟随涨价或抢占高端市场，进一步增强利润弹性。

风险提示：下游需求不及预期、市场竞争风险、原材料价格上涨等。

背后是AI对元器件拉动范围持续加大（尤其是AI电源升级），涨价品种也在持续扩散（从存储到mlcc，后续铝电解薄膜也有涨价可能）

继续看好被动功率、模拟等细分板块：

1）被动：mlcc三环，以及风华 昀冢等弹性品种，薄膜铝电解超容方向法拉、江海 、艾华

2）模拟：在ai电源/光模块进展顺利的纳芯微 圣邦 思瑞浦 南芯等

3）功率：天岳先进 晶盛机电 英诺赛科 芯联集成 斯达半导等

以上仅梳理，不构成投资建议！

此前我们提到射频电源远期市场规模超200亿，部分领导对此质疑，我们对此进行了详细测算，结论是远期市场规模的确是在200亿左右。

先看公开数据：根据恒运昌招股书，2025年中国射频电源市场规模为135亿元，预计到2029年有望达到215亿元，其中半导体达133亿元。

测算逻辑1:Fab-capex自上而下测算

从Fab capex到WFE再往下测算到干法刻蚀、PECVD、PEALD等市场规模及其采购成本。按此测算，明年射频电源市场规模超200亿（含海外设备），考虑到明年设备国产化率约35-40%，国产射频电源厂商可触及市场约80亿，2030年有望达140亿元。

测算逻辑2:设备公司营收自下而上测算

从设备公司相关产品营收进行细分测算，其中毛利率假设60%，刻蚀BOM占比15%，薄膜BOM占比12%，测算下来明年国产半导体设备射频电源市场规模约75亿，2030年到132亿，加上非半导体200亿。

测算逻辑3:从出货腔数量测算

预计中微明年生产刻蚀腔设备2000腔，明年3000腔，单腔上下两套射频电源系统，ASP 30万，对应TAM约21亿，华创同理；预计拓荆今年生产540台，明年800台，单台平均5腔（逐步提升），射频系统ASP 20万，对应9亿TAM，往明年看，上述三个部分共50亿TAM，其余占比24%，共66亿TAM，远期半导体130亿TAM。

结论:射频电源是三重Beta叠加的高景气度赛道

射频电源受益设备国产化率提升、射频电源国产化率提升、微观结构复杂化带来的BOM占比提升，未来几年市场规模有望实现非线性提升。中期维度零部件将会先于设备交付，从今年三季度有望迎来景气度向上。相关：英杰电气、恒运昌、北方华创（华丞）、神州半导体（拟IPO）

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！