半导体设备+封装更新 1、存...

国产存储产线有望开启“自主可控+超级周期+技术迭代”三重逻辑共振，3D NAND和 4F2+CBA DRAM 有望进一步增加沉积、刻蚀、键合等设备用量。

拓荆科技披露25年第三季度报告，三季度收入22.7亿元，同比增长124.1%，归母净利润4.6亿元，同比增长225.1%，显著超市场预期。公司产品竞争力持续提升，基于新型设备平台（PF-300T Plus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等先进制程的验证机台顺利通过客户认证，进入规模化量产阶段。

中微公司三季度收入31亿元，同比增长50.6%，归母净利润5.1亿元，同比增长27.5%。

公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，其中CCP方面，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。

广发电子 王亮/耿正/焦鼎

存储板块交易了涨价、扩产、新工艺的代工，一代工艺，一代设备，市场近期开始交易新工艺对应的新设备了，混合键合设备将是未来5年先进封装领域最核心的设备之一，但应用不局限于封装。

1）混合键合是什么？键合作为实现电气互联的关键步骤始终中后道最关键的工艺之一，从性能来讲，封装技术一直在向着更高的I/O密度和更短的trace length演进，目前2.5D/3D封装主流的键合工艺路线是TCB，伴随着I/O密度提升，尤其是bump pitch进入10微米以下，混合键合成为必须（主流的TCB必须使用助焊剂，更小的bump pitch容易产生短路，无助焊剂的TCB可以作为过渡方案，但是10微米以下必须使用混合键合）

2）上一阶段混合键合备受关注是为何？此前市场对混合键合关注度最高的阶段是在2023-2024年上半年，因为预期SK 海力士和三星将在HBM4及以后的工艺中使用混合键合，但伴随着JEDEC 把 HBM4 封装厚度从 720 μm 放宽到 775 μm，TCB仍然具备量产优势，因此混合键合在HBM上的应用时间表有所延迟。

3）混合键合的技术分类：包括了w2w和d2w两种路线，前者应用成熟度较高但是无法提前识别失效颗粒，后者速率较慢但是可以提升整体良率。

4）当前的产业进展以及有哪些应用场景？-先进工艺、先进封装、先进材料、先进显示均有应用

-CIS领域，渗透率100%：当前量产的CIS工艺领域，混合键合是100%的渗透率；

-NAND领域，渗透率逐步提升中：当前只有长江存储大规模量产应用，铠侠于2025年在其218L的产品中引入混合键合；三星和SK海力士预计于2026年在其4xxL产品中引入混合键合，伴随大厂入局，NAND领域混合键合工艺渗透率有望快速提升。SEMI预计到2029年，混合键合将占据NAND 三分之二的市场应用。

-DRAM领域，新架构预计迎来混合键合从0到1的应用。在新架构方面，制程微缩使得DRAM厂商考虑转向4F2架构，4F2+CBA成为最有可能量产的技术路线，而对于国内来说，缺乏高精度光刻机使得3D架构的商业化更为紧迫，相关产业信息已经指向比较明确的量产节点，4F2+CBA类似长存的x-tacking的立体架构，同样需要使用混合键合。

-先进封装领域，SOIC已有应用，HBM方面，混合键合预计在HBM5（20层）中成为必选项。台积电是在先进封装领域引入混合键合最早的玩家，已应用于AMD V-Cache，近期产业信息显示，NV的下一代rubin将首次使用台积电SOIC工艺。HBM方面，在HBM4E中，各家原厂积极导入混合键合的量产验证，20层的HBM5中，混合键合成为必选工艺（预计在2028年）。

-先进逻辑领域，背面供电&CFET预计使用混合键合。

-其他： SOI材料、micro led巨量转移、光电共封装等。

5）市场规模有多大？BESI中性预测2030年全球混合键合设备市场规模大约12亿美元，对应了350台套。此数字建议仅作参考，产业爆发非线性。

6）竞争格局：BESI和EVG相对入局最早，国内厂商也在积极导入验证，进展相对较快的公司为芯慧联芯和拓荆键科，前者绑定长鑫，后者和长存合作紧密。当前下游正在前期研发/量产验证中，机构正在关注密切配合大客户的验证的设备厂。

7）核心梳理（不构成投资建议）：拓荆科技（拓荆键科，大基金三期入股）、百傲化学（芯慧联&芯慧联芯）、北方华创（北京诺合键维）。

存储方面

短期维度，市场平均预期大致为2026年两长各5万片下单，我们认为存储大周期背景下有上修空间（存储敞口/弹性测算私信） ；中长期维度，两长合计产能目标120万片/月，当前静态有效产能约为40万片/月，仍具备两倍扩产空间。

先进逻辑方面

供给思维主导，静态来看，本土企业端侧+云侧对应先进逻辑芯片对wafer需求超过20万片/月，当前本土有效供给小于5万片/月，动态来看，我们认为本土供给端会逐步扩产至显著超过20万片/月，仍有数倍空间。

继续看好半导体设备板块

一方面，下游大客户融资进展持续催化（两长+盛合），另一方面，得益于存储+先进逻辑的催化，2026年半导体设备是明确处于景气上行的板块，即使在中性预期下，大多数前道前设备公司订单都有望同比加速增长，当前应是交易估值扩张的窗口期，核心企业当下均具备不错的空间。

产业链相关梳理，不构成投资建议！

龙头：北方华创

长存链：中微公司、拓荆科技、京仪装备

长鑫链：精智达、骄成超声

CoWos/HBM：芯源微、华海清科

据台湾经济日报，存储供不应求热潮延续，力成、南茂、华泰等多家存储后段封测厂获得主要客户追加订单，多家厂商开始计划涨价，涨幅根据不同产品线与客户，从高个位数百分比到二位数百分比不等，最快今年底至明年陆续启动。

5、Amkor大涨17%，先进封装引市场关注【华西中小盘】

11.03 全球封装龙头Amkor大涨17%。

根据中国台湾新闻通讯社，黃仁勳周日接受福斯商業頻道訪問時，提及總部位於美國亞利桑那州坦佩的半導體封裝與測試服務商Amkor Technology。

SiC有望成为未来先进封装新材料

根据集邦，3D IC封装的碳化硅应用有两个可能方向，首先是散热载板，将以「导电型 SiC」优先测试；下一阶段则可能在硅中间层（Silicon Interposer）导入半绝缘型 SiC。产业链相关：晶升股份、晶盛机电、三安光电、天岳先进、长电科技、通富微电等。

风险提示：新技术推进不及预期等。

1) NAND：

云厂商从HDD向SSD切换；KV缓存；HBF技术等。共同助力NAND的在AI推理时代的崛起。

德明利 上游深度绑定国产NAND原厂，下游与阿里等云厂商有密切合作。我们后续亦会组织公司交流，解答市场疑惑。此外，江波龙、佰维存储 等我们也继续看好。

2) 利基存储：

NOR：8月中大容量涨价，10月中旬小容量涨价，涨幅在10-20%。

2D NAND：近期三星逐步停产MLC，MLC有望迎来新一轮涨价

普冉股份1102公司发布股东询价转让计划书，但实控人不参与此次询价转让。同时，公司收购全球2D NAND龙头企业SHM，深度绑定海力士。

除上述外，还包括并购重组方向的时空科技、海力士深度合作的香农等。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！