半导体更新 1、2026年存...

存储价格复盘：2025年存储市场的第一轮涨价潮始于4月初，彼时闪迪向客户发出涨价函，打响今年存储芯片涨价第一枪。2025年9月，存储市场的第二轮涨价信号枪再度打响。

1）9月闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上。

2）近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。从9月12日起，所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，暂停报价一周。

存储价格展望：年末降价格局已被打破，2025Q4季度环比增幅优于之前预期。

1）TrendForce预计2025Q3和2025Q4一般型DRAM (Conventional DRAM)价格将季度环比增长10-15%和8-13%，若加计HBM，季度环比涨幅将扩大至15-20%和13-18%，其中HBM渗透率为8%和11%。

2）TrendForce预计NAND Flash在2025Q3和2025Q4分别上涨3-8%和5-10%。

NAND Flash：服务器NAND发生巨大变化，企业级eSSD逐步向HDD渗透，企业级eSSD爆发。由于AI基建的爆发，传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点，特别是大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。

DRAM：全面涨价。由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，2025Q4旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品DDR5涨势相对温和。

存储行业超级周期全面开启，看好2026年价格趋势，

1）存储模组：德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储、万润科技、开普云等； 2）利基型存储：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份等； 3）存储封测：长电科技、深科技、通富微电等； 4）接口芯片：澜起科技、聚辰股份等； 5）存储设备材料：长川科技、精智达、中微公司、北方华创、雅克科技、鼎龙股份等。

9月28日，台湾存储模组大厂威刚宣布停止DDR4报价，印证了因三大原厂转向高阶产品导致供给收缩、下游长尾需求持续的背景下，DRAM和NAND缺货情况比预期更为严峻。这一行为标志着产业链正式进入停止报价、惜售挺价的加速上涨阶段，市场预期将从Q4涨幅超预期进一步延伸至2026年，整个存储板块的盈利预测具备持续上修空间。

产业链相关：兆易创新/东芯股份（利基型存储龙头，受益于DDR4/NOR等产品价格超预期上涨和国产替代），德明利/江波龙/佰维存储（存储模组厂，受益于库存增值和产品涨价带来的业绩弹性）

据台湾工商时报消息，DRAM及NAND闪存市场都出现缺货，且缺货情况较此前预测更为严峻，预计今年四季度及2026年行业价格将进一步上升。

由于全球云厂商大幅上调2026年订单，现阶段存储三大原厂（SK海力士、美光、三星）库存已经不足，未来产能或无法满足客户需求。

传统HDD大厂相继减产，业内人士认为也可能造成至少半年的供应不足，迫使部分订单转向SSD，进一步加剧NAND供应链紧张。

在这一背景下，全球存储行业多家厂商都相继开启调价。

继闪迪、美光、三星及西部数据宣布涨价之后，存储模组大厂威刚在日前宣布，自29日起停止DDR4报价，DDR5与NAND闪存优先供应主要客户；NAND闪存控制芯片大厂群联则已在近日恢复部分报价，价格涨幅约10%，被看作NAND闪存市场的“开涨信号”。

业内人士多认为存储第四季度涨价已成定局。虽然10月合约价尚未正式敲定，但上游原厂涨价态度更为强势，涨幅可能超过原有预期——根据原有预期，DDR5合约价上涨10%-15％、现货价15%-25％，DDR4合约价涨幅逾10％、现货价逾15％。

DRAM目前受限于电容物理特性，传统光刻难以微缩，过去十年密度提升速度较慢。为突破成本与性能瓶颈，DRAM行业内聚焦4F²垂直晶体管架构与CMOS Bonding技术等新技术。

4F² DRAM: 4F²技术可使单元面积缩小，同时兼具高速与低功耗特性。未来有望在2027年落地，国内厂商长鑫存储2023年也发表了相关4F² DRAM的专利。

CBA技术：CBA技术通过分离式制造工艺，通过将CMOS电路转移至专用Logic晶圆，CBA架构有效释放了存储阵列的平面空间资源。Yole预计4F²+CBA技术相结合的方案将于2028年实现应用。

长存依靠Xtacking技术在3D NAND上优势，在全球NAND的份额逐步提高，其NAND层数也达到国际领先水平。未来DRAM技术发展路径或将借鉴NAND技术演进，国内厂商有望通过新技术方案，在高端DRAM领域实现份额突破。

随着CBA架构的兴起，对于逻辑芯片的代工需求也随之提升。产业链相关：晶合集成 、中芯国际、华虹公司；CBA架构需要混合键合，需求有望爆发，拓荆科技等在这方面重点布局。

NAND Flash：小容量，本周64/32/2/1Gb均价为6.153/3.529/1.043/0.936美金，相较上周同增0.33%/0.26%/0.58%/0.21%，相较上月同增-2.13%/-0.14%/0.68%/2.63%，稳中有升。

大容量，本周1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLC wafer均价为5.1/5.7/3.5/3.2美金，相较上周同增2.0%/1.8%/2.9%/3.2%，相较上月同增2.0%/1.8%/12.9%/8.5%，稳中有升。

DRAM：本周DDR5 16G/DDR4 16G/DDR3 4G均价为7.475/19.56/2.3美金，相较上周同比+9.22%/+8.91%/+10.15%，相较上月同比+24.23%/+25.18%/+19.79%，维持上涨趋势。

NOR Flash：本周512k-2Gb主流料号价格无变动。

数据来源：dramexchange、CFM、贸泽电子等。

外媒报道合肥存储大厂可能要上市报材料，武汉存储大厂也完成股改，叠加数据中心对于SSD及HBM需求快速提升供需错配，一方面存储颗粒价格持续上涨，肌肉记忆下关注存储模组公司。

此外，晶圆厂扩产预期也在不断强化，且上游供应链国产化率在国内晶圆产线中也处于领先地位，对国产设备材料的拉动弹性可观。

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