半导体更新：刻蚀设备+存储/模...

9月21日，市场开始发酵英特尔高管的观点，即在GAA和CFET等3D晶体管结构下，芯片制造的核心将从对EUV光刻的依赖转向刻蚀技术。

这一路线转变意味着，在EUV受限和3D堆叠趋势下，通过DUV多重图案化和原子层刻蚀等方案实现先进制程，将为国产刻蚀设备及零部件厂商打开长期成长空间。

根据Wccftech报道，英特尔高管表示，未来晶体管设计可能降低芯片制造对先进光刻设备（尤其是EUV光刻机）的依赖，而刻蚀技术将取代光刻成芯片制造核心。

我们认为，随着当前半导体的器件设计和整体设计均在走向立体结构化，这种变化正在发生。

我们预计，至少以下三方面的技术趋势，将推动刻蚀设备的用量和重要性提升：

1）光刻多重图案化路线的采用-当前EUV光刻技术路线受限，DUV多重图案化成为国产突围关键，带动刻蚀设备用量成倍提升；

2）三维堆叠存储和近存计算需求——存储层数提升扩大刻蚀用量，近存计算增加TSV刻蚀需求

3）底层晶体管结构升级：先进制程GAA晶体管导入，带动刻蚀设备占比提升，新增原子层刻蚀设备需求。

长期看，半导体设备国产化方向明确：一方面，国内晶圆厂在全球市占率从10%若提升到自给自足情形下30%，有3倍扩产空间；另一方面，设备国产化率从当前20%若提升至未来60%～100%，有3～5倍空间，发展趋势明确。

短期来看， 2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡，但随着国内头部存储厂商新一期项目有望启动、且先进逻辑厂商加大扩产力度，半导体设备有望进入新一轮快速增长期。

半导体刻蚀设备以及相关的配套设备、及零部件环节相关梳理

1）刻蚀设备：中微公司、北方华创、屹唐股份；

2）相关配套设备厂商：京仪装备，其温控设备用量与刻蚀设备数量密切相关，同时新一代超低温温控将带来约3倍价值量提升。

3）刻蚀设备相关的零部件环节：富创精密、珂玛科技等，均为前述设备厂商的零部件供应商。

4）全球厂商：泛林半导体（Lam Research）、东京电子（TEL）、应用材料（Applied Materials）等。

1）普通DDR4产品从Q2起价格逐季攀升，Q3涨幅约40%，Q4预计有30%-40%的涨幅。DDR5上半年价格回调6%-7%，Q3反弹幅度约2%-3%。

2）Q3开始，LPDDR4X因韩系两家减产价格上涨40%, LPDDR5X价格有15%-20%的涨幅, 预计服务器LPDDR5 Q4有5%-10%价格涨幅。

3）国产模组厂企业级SSD的出货量达12-13EB；在客户拓展方面，德明利订单量大，客户有阿里、字节，佰维走分散客户路线，江波龙有一些银行和政府客户。

1）反倾销事件利好国产模拟芯片，客户对国产模拟芯片的终端需求变多，上游产能会因需求增加而紧张，小厂受影响可能更大。

2）不带功能安全的隔离驱动产品国产化率较高，带功能安全的隔离驱动产品目前已经研发出来了，但是没有上车。

3）比亚迪每年的采购额是2亿+，主要供货隔离类、磁电流产品；H每年的采购额是7000-8000万，算上通讯领域供货不足3亿。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！