半导体更新 ①英特尔股价大涨...

①英特尔股价大涨逾6%，该公司正与苹果公司接洽寻求进行投资。

②存储芯片巨头美光科技股价下跌近3%，机构称其财报与指引未能令投资者满意，市场对AI相关交易的信心仍存疑虑。

③华天科技自9月25日开市起停牌，筹划关联收购华羿微电。在中国大陆半导体封测市场中，华天科技排名第三，仅次于长电科技和通富微电。

逻辑：展望2026年，我们看到先进逻辑扩产需求旺盛，国内或将开出至少5w片/月先进产能，按照每万片7nm产能20亿美金Capex测算，对应至少100亿美金资本开支增量，其中70-80%用于购买设备，叠加先进制程国产化率提升，2026年先进逻辑扩产对国产设备订单拉动可观。

存储：25H1国内两存产线扩产有限，国内设备板块表现有所震荡，但伴随长存三期公司成立和长鑫启动IPO进程，2026年两存扩产预期逐步强化，考虑到存储产线为了规模效应和经济效益等，一般以4-5万片/月产能起扩，因此2026年两存扩产有望加速。同时，长存3D NAND层数预计将进一步增加，长鑫DRAM节点迭代，将进一步提升设备价值量。

后道：国内封测厂商经过22-23年低谷之后，24年至今国内封测厂商稼动率持续复苏，资本支出逐季恢复；同时各家新品突破，进一步加速国产替代。

产业链再梳理（不构成投资建议）

长存链：中微公司、拓荆科技、北方华创、中科飞测、京仪装备、矽电股份、安集科技、神工股份、华特气体、上海新阳等；

长鑫链：北方华创、华海清科、精智达、矽电股份、广立微、安集科技、广钢气体、神工股份、万业企业等；

先进逻辑：北方华创、中微公司、拓荆科技等；

后道：长川科技/华峰测控/精智达/金海通/矽电股份等；

H链：长川科技等。

涨原因：市场对先进逻辑&存储在未来一年半时间里的加速扩产预期更加乐观，产业催化不断+半导体板块前期上涨平缓，资金高切低

行情演绎逻辑推断：国产AI芯片需求爆发➡️先进逻辑+存储晶圆代工需求上行/扩产➡️先进封装扩产➡️半导体设备资本开支上行+晶圆代工耗材（材料等）需求增加➡️零部件需求上行

行情演绎方向推断：这一轮行情将沿着头部晶圆厂➡️头部设备厂➡️核心零部件➕材料供应商的顺序演绎

产业链再梳理：

1）G设备：福晶科技（已覆盖），宝光股份

2）晶圆代工：华虹公司、中芯国际

3）设备中军：北方华创、中微公司、拓荆科技

4）低国产化率量检测环节：精测电子、中科飞测

5）后道封测国产替代加速：长川科技，矽电股份

6）平台优势加成：芯源微

7）先进封装LDI设备：芯碁微装

受益于存储涨价传导及情绪扩散，半导体材料板块首日大涨（指数+6.35%）。

我们认为无论是短期情绪还是长期产业链趋势，后续将持续受益两存、先进制程扩产 、GKJ、先进封装等行业变化，建议持续关注。

逻辑1：存储涨价→两存扩产预期增强→前后道设备CAPEX→材料OPEX

逻辑2：AI扩容+非AI复苏→硅片需求提升→部分硅片涨价

逻辑3：光刻机各种催化→零部件+光刻胶、掩膜版等光刻配套

产业链相关梳理（不构成投资建议）

①两存链：神工、雅克、鼎龙、安集、兴福

②先进封装/HBM：联瑞、华海、飞凯

③硅(片)链：立昂、沪硅

④GKJ链：彤程、路维、容大

⑤先进前道：新阳、晶瑞

半导体扩产进行&产业链国产化加速推进。

当前算力国产化诉求下，对国内高端半导体制程的产能需求或快速增长。

出于防范海外流片风险以及预先抢占国内先进制程产能的角度考虑，下游设计厂将对国内先进制程产能的需求大幅提升。

半导体扩产时点临近，叠加国产化诉求不断蔓延，看好半导体材料国产化份额提升+扩产带来量增的趋势。

半导体材料龙头（份额提升+下游产能提升），已有成熟供应的、卡位好的公司，如已在海外供应链证明过自己，并向国产产能转化的雅克科技；已在国内拥有相当市占率的鼎龙股份、安集科技等。此外，包括上海新阳、南大光电、彤程新材、飞凯材料、艾森股份、德邦科技、华海诚科、兴福电子等。

1）科技自立自强是国家安全之要，存储芯片安全是信息安全的核心

2025年Q1，中国长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）季度营收均突破10亿美元大关。这一里程碑式的成就，标志着国内存储企业在全球舞台上正逐步崭露头角，打破了长期以来由国际巨头主导的市场格局。

长鑫存储与长江存储的崛起，带动了整个产业的技术升级与发展。同时也有助于提升我国在全球半导体产业链中的地位，降低对进口存储芯片的依赖，保障国家信息安全。

2）国产存储双雄崛起，存储芯片国产化持续进行

市占率方面，Counterpoint预测称，到2025年末，长鑫的按比特出货量计市占将从一季度的6%提升到8%。在技术迭代方面，长鑫存储今年的产能将从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5过渡，反映到出货量上就是DDR5/LPDDR5的市场份额将从一季度的1%左右分别提升到7%和9%。

技术创新方面，长鑫存储成功量产本土DDR5模组，长鑫存储正寻求追赶HBM，长鑫2024年下半已开始量产HBM2，长鑫正研发HBM3并计划最快2026年量产；目标是在2027年宣布HBM3E，并推动量产，颇具雄心壮志。

长江存储已成功实现294层3D NAND量产，并积极推进300层NAND开发，层数已逼近三星，其采用自研Xtacking4.0与先进CMOS Bonded Array（CBA）架构，同时导入PLC技术提升密度。

长鑫存储与长江存储正持续扩建先进制程产线，未来12至24个月内，是观察中国存储是否进一步跃升为全球存储强权的关键指标。

精智达：公司半导体收入股权激励目标25年相比24年公司半导体收入翻倍增长，主力配套合肥长鑫，1季度已落实FT测试机正式订单和产品技术验证，并配合开发HBM用设备）。

神工股份：硅零部件产品已经进入长江存储、北方华创等中国领先的本土存储类集成电路制造厂商和国产半导体设备厂商），终端存储业务占比收入比重高，未来或进入其他国产存储厂配套。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！