半导体：台积电+光刻机+存储更...

①台积电2纳米制程价格拟提涨至少50%。9月23日晚，台积电股价涨超3%创新高。美股半导体股多数上行， 英特尔涨超4%，美光科技 、阿斯麦涨近2%。

②全球存储巨头美光科技Q4营收同比大增46%，称当前DRAM供应趋紧。

③利弗莫尔证券显示，中微半导体（ 深圳）股份有限公司向港交所提交上市申请书，独家保荐人为中信建投国际。

事件：据媒体报道，台积电2nm制程价格相比3nm至少上涨50%，末代3nm CPU价格较前代涨约20%；供应链推估2nm旗舰芯片单价上看280美元，三星、SK海力士等存储巨头已先行涨价，半导体通胀与国产替代逻辑共振。

通富微电：国内先进封装龙头，深度绑定AMD等大客户，Chiplet技术国内领先。公司有望承接AMD、英伟达等客户的HPC、AI芯片订单，直接受益于先进封装需求提升。

赛腾股份：国内少数具备HBM检测设备量产能力的公司，通过收购日本OPTIMA掌握全球领先的HBM全制程检测技术，已获得国际头部客户的批量订单。

北京君正：存储+模拟芯片双赛道布局，业务直接受益；其CPU/GPU芯片适配AI算力场景，随着高端芯片涨价凸显算力价值，公司业绩迎来“存储复苏+AI算力”双重驱动。

1）本届工博会首次打造【集成电路】专区，上海微以及芯上微装各自都展出重磅产品，背后对应的是今年产业端重磅的0-1突破，#先进封装机台正式量产、干法DUV近期将进入量产测试阶段、国产EUV进入原理机搭建阶段（本次展出为EUV概念验证机），国产GKJ产业进入爆发元年！

2）年初至今，我们一直强调三大产业趋势：低端量产、高端DUV突破、国产EUV技术定型！对于上游公司而言，今年属于供应链配套元年，量×价齐升的投资大年，核心公司持续向市场印证这一观点；

3）展望后续，预估近期国产整机将进入量产线验证、前道I线验证进入尾声，上游核心公司具备潜在加单机会。

产业链相关梳理（不构成投资建议）

1）汇成真空：EUV、DUV核心供应商，大客户近期明确上修订单预期，10-11月份即将向上海大客户发货，第一批批量订单有望落地！坚定看300e，核心铲子股弹性巨大。

2）茂莱光学：深度绑定SHW，前道I线订单存在上修机会，今年DUV配套、海外大客户持续突破阶段！

9月中旬我们观点鲜明的推了以eSSD模组为代表的存储行业，近期就产业调研及路演反馈，重申观点：AI拉动存储需求、26年超级大年，随之衍生的上游设备、材料亦同样值得重视。

1）NAND起涨，26年迎Supercycle

北美几大云厂商从HHD向SSD切换趋势明确，拉动NAND缺货、eSSD开始涨价。 闪迪报价涨15%、三星报价涨20%

国内云厂建设有望加速，国产存储替代需求迎来快速增长 国产存储需求放量也才刚刚开始！

eSSD模组厂德明利、江波龙，RDIMM内存厂开普云、香农芯创均是受益标的。其中德明利eSSD占比高、增速快，是绝对中军。

2）存储缺货或带动原厂扩产、设备材料受益

NAND缺货，有望带动原厂扩产，海外设备厂#存储收入占比较高的LAM/泰瑞达/爱德万涨幅领先，而含“存”量低的AMAT等涨幅一般

从供需看，国内存储扩产理应更加积极！国产Nand产能远远落后全球，国产产能仅占全球1/10、需求占1/3，#国内NAND厂商扩产动力更足、扩产至少2-3倍现有规模

今年以来，受IPO规划&制程迭代影响，两存扩产较缓，#近期长存三期设立&长鑫IPO在即或成为积极扩产的信号

3）存储工艺变化带动刻蚀、薄膜、CMP需求

存储相对逻辑，对于刻蚀、薄膜需求更多样化（高深宽比、高选择比、ONON等），对于刻蚀设备、薄膜设备的需求也更多

受先进光刻机进口限制，国产DRAM工艺或需要多重曝光工艺解决，对于刻蚀次数需求更多

HBM、HBF、WOW等堆叠存储方案的出现，对于CMP工艺、测试需求更多，带动CMP设备材料、测试设备增长

重视存储大周期+上游扩产浪潮

存储模组厂：德明利、江波龙、开普云、香农芯创等

含“存”量高：中微公司、拓荆科技、华海清科、北方华创等

存储测试设备：精智达（测试机）、矽电股份（探针台）、金海通（分选机）等

材料环节：雅克科技、鼎龙股份、安集科技等

业绩概览

1）当季营收113.2亿美元（同比+46%，环比+22%），高于公司Q3指引的104-110亿美元（略高于8月上调后111-113亿美元的指引），高于彭博一致预期的111.5亿美元。

2）当季Non-GAAP毛利率45.7%（同比+9.2ppts，环比+6.7ppts），高于公司Q3指引的41%-43%（高于8月上调后44%-45%的指引），高于彭博一致预期的44.3%。

3）当季Non-GAAP净利润34.7亿美元（同比+158%，环比+59%），对应EPS为3.03美元，高于公司Q3指引的2.35-2.65美元（高于8月上调后2.78-2.92美元的指引），高于彭博一致预期的2.84美元。

4）业绩指引：公司预计FY26Q1营业收入122-128亿美元，高于彭博一致预期的119.1亿美元；预计Non-GAAP毛利率50.5-52.5%，高于彭博一致预期的45.7%；预计Non-GAAP EPS为3.60-3.90美元，高于彭博一致预期的3.05美元。

业务概况

1）DRAM：当季营收90亿美元（环比+27%），占总营收的79%。当季bit出货量环比增长low-teens，ASPs环比增长low-double-digit。

2）NAND：当季营收23亿美元（环比+5%），占总营收的20%。当季bit出货量环比下降mid-single digit，ASPs环比增长high-single digit。

HBM

1）营收：当季营收增长至近20亿美元，年化Run rate近80亿美元，主要得益于HBM3E产品产能提升。

2）市场份额：公司HBM市场份额正稳步回升，有望在CY25Q3达到与公司DRAM市场份额相当水平。

3）HBM4 12H：仍按计划推进，近期已向客户交付HBM4样品。

4）HBM4E：公司将推出标准款产品，同时提供基底逻辑芯片的定制化选项，其中基底逻辑芯片制造环节与台积电达成合作。

5）客户及订单：公司HBM目前合作客户数量已达6家；针对CY26绝大部分HBM3E产品的供应，已与几乎所有客户签订定价协议；公司目前正与客户就HBM4产品的规格参数及采购量展开积极磋商，预计将在未来数月内完成剩余CY26 HBM总供应量的销售协议签订。

市场展望

1）需求：公司预计CY25 DRAM bit需求增速将处于high-teens区间，NAND bit需求增速将处于low-to mid-teens区间，均高于此前指引。强劲的数据中心需求推动DRAM市场进入紧平衡状态，并助力NAND市场环境改善；此外，各终端市场需求的全面扩张，也进一步加剧了DRAM的供应约束。公司维持预计中期内DRAM以及NAND bit需求复合增速将处于mid-teens区间。

2）供给：公司预计CY25自身在Non-HBM DRAM和NAND领域的bit供给增速将低于行业需求增速；公司预计CY26全球DRAM行业供应紧张态势将进一步加剧，NAND市场环境将持续向好，其中存在多重限制DRAM供应增速的因素：供应商库存维持低位、行业为支持D4与LP4延长产品生命周期而放缓制程节点迁移进度、全球范围内新晶圆产能的交付周期延长，且成本有所上升等。

今年以来，长存长鑫因筹划IPO控制费用及节点迭代等因素，实际扩产力度较为温和，同比去年有所下滑，展望明年随着长江存储3xx产品和长鑫的HBM3等最新产品逐渐突破，叠加数据中心对于SSD及HBM需求快速提升供需错配，长存及长鑫扩产的动能十足，相对于今年来讲，我们判断明年有望是两存扩产大年；

先进逻辑扩产持续加速，中芯南方、华力、ICRD及永芯等产线在先进制程节点取得不同程度突破，今年可以定义为国内先进逻辑扩产元年，明年有望在今年基础上扩产力度进一步提升；

我们看好明年两存&先进逻辑扩产加速带来的上游产业链机会，主要包括：

长存产业链：中微公司（长存敞口40+%，90：1高深宽比刻蚀单万片价值量大幅提升，ONON薄膜堆叠PECVD有望0到1）、拓荆科技（长存敞口50%、+%，ONON薄膜堆叠PECVD设备单万片价值量大幅提升）#安集科技（长存敞口30+%，抛光液需求持续增长）、中科飞测（明场检测设备值得期待）、芯源微（四代机有望实现突破）；

长鑫产业链：北方华创（长鑫敞口15-20%）、#精智达（DRAM测试机持续突破）、雅克科技（前驱体份额持续提升）、百傲化学（HBM混合键合设备）；

先进逻辑产业链：北方华创（卡脖子环节设备布局最广）、中微公司（涉及到多重曝光环节的卡脖子的刻蚀、薄膜设备有望突破）。

受长川科技发布三季报业绩预告（预计Q3扣非净利润为3.9~4.4亿元，yoy+189.6%~226.4%）影响，EDA板块表现突出。尽管广立微昨晚公告询价转让价格为65.0元（锁仓6个月），较当日收盘价折让28%，但市场对半导体设备行业的乐观预期依然让公司跑出超额。

概伦电子市场较为关注并购及投资进展：

1）今年3月28日，公司发布公告，拟通过发行股份及支付现金的方式购买锐成芯微100%股权及纳能微电子45.64%股权，并募集配套资金，市场对近期并购进展保持关注；

2）国家大基金在上海联合产权交易所挂牌转让鸿芯微纳38.7%股权，转让底价为13.2亿元，市场对最终转让所得方以及价格保持关注。若上述两项直接或间接的投资并购进展顺利，公司或将补齐物理IP、布局布线等环节。

光模块PCB液冷存储之后，硅片蓄势待发。

立昂微硅片涨价在即，25Q4起大幅受益，映射全球硅片公司短期大涨

半导体硅片价格有望在25Q4起大幅上涨，AI芯片带动巨大增量需求之外，非AI族群强势复苏，具体包括：

1.通用服务器25年增长20%；

2.成熟制程方面，台积电、联电25Q4稼动率持平，中芯国际25H2增长未放缓，表现超预期。

基于涨价预期，全球半导体硅片公司短期内股价大幅上涨。

环球晶圆（6488.TW）股价7日内上涨50%，美系券商提升EPS/评级/目标价；胜高（3436.T）股价7日上涨30%；世创（0R8P.L）股价5日上涨40%；合晶（6182.TW）股价5日上涨35%。

1）AI驱动的存储供应紧缺程度或将达到历史级别

相比此前减产带动供应紧缩的小周期，本轮存储周期还更具需求确定性（AI需求板上钉钉，SSD渗透HDD，汽车工业等需求底部回暖等），且存在HBM带来的供应挤出影响，我们近期产业交流显示缺货或将至少持续到2026年。

2）海外市场已开始对存储扩产进行“定价”、扩产的预期在逐步提升

近一月ASML/应材/泛林/东京电子/爱德万/unitest/ASMI分别涨29/22/29/29/33/61/23%，Unitest作为韩国存储设备公司，涨幅最高，且剔除carry trade和Intel收购的影响，可视为存储扩产的定价锚。

3）2025年是两存扩产低于预期的一年、同样是国产上游设备需求的底部

相比而言，国内存在今年的扩产节点上执行节奏慢于市场预期-短期看是负面，但长期看创造了被压抑的补产需求。

我们近期产业交流显示长存已经开始下明年订单，明年将move in的订单量已超今年，且国产化程度将会更高，考虑到长存通常不会一次下所有订单，我们认为长存2026年扩产或将达到较高的同比增速。同样，长鑫明年订单也将至少持平，HBM封装产线则将带来额外的增量。

总结而言：海外资金已行、国内需求有望在“补产+国产化率提升”驱动下迎来加速、建议重点关注国产上游设备+下游模组。

产业链相关再梳理（不构成投资建议）：

上游设备：中微、华创、拓荆、飞测、华海清科、精智达等；

模组厂商：德明利、香农芯创、江波龙、佰维存储等。

公司推出的车载AI系列芯片主要应用在前装智能摄像头、行车记录仪、流媒体电子后视镜、电子外后视镜、摄像头监控系统、驾驶员疲劳监测系统、座舱监控系统、前视ADAS一体机等产品上，公司2025年上半年推出新一代满足AEC-Q100Grade2的车载AI芯片已回片并点亮，AEC-Q100的相关验证正在进行中，目前在积极推广。

公司将持续研发新的产品，计划三年内形成200万至800万、算力从低到高的全系列车载AI芯片。此外，公司的Wi-Fi61T1R+蓝牙的Combo芯片正在进行回片调试，目前芯片功能和性能正常，有望在2025年Q4开始客户导入。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！