半导体碳化硅更新 事件：特朗...

据日本富士经济统计，2024年SIC衬底市场中，Wolfspeed市占率38.4%。

Wolfspeed破产有望带来近40%供给缺口，SiC行业其余公司有望承接这部分缺口。并且相比6寸SiC市场，8寸SiC全球供给格局更好。

碳化硅衬底位于产业链上游，分为导电型和半绝缘型两类。

以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。

在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD 法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步制成器件。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类。

在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。

在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于 5G 通讯、雷达等领域。

碳化硅衬底制造工艺难度较大，存在较高的技术门槛，美国企业在碳化硅衬底产业格局中占据龙头地位。

据 Yole 数据，海外厂商占有全球碳化硅衬底的 86%以上，Wolfspeed 公司排名第一，Rohm 排名第二。

国内企业天科合达、天岳先进分别占据 5%和 3%的市场份额。天岳作为全球少有的能够量产8寸SiC的厂商，大幅受益。天岳先进布局高景气AR赛道核心环节光波导材料环节，第二增长曲线强劲。

中国企业的技术持续突破和产能集中释放，导致价格下跌与国际产品形成较大价差，国内企业市场份额有望持续提升。

外延片市场集中度较高，中国厂商瀚天天成市场份额为全球第三。外延片的国际供应商大多是 IDM 环节的延伸，国内市场外延环节多以单环节为主，企业数量不多但规划产能较大。

据 Yole 数据，全球外延片市场 CR3 为 74%，Wolfspeed 以 37%的份额位居第一，中国厂商瀚天天成市场份额为 15%，位居第三。

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