今日重点关注:半导体芯片自主可...
发布者:乐晴
1、美方据称将出台新一轮对华半导体出口限制措施 2、先进制程是核心管控目标 3、HBM高频宽存储芯片限制预计在12月对外公布 4、HBM是AI算力芯片最重要升级方向,也是国内AI发展的胜负手,目前国产化率基本为0,国产替代空间广阔 5、HBM产业链及核心厂商梳理(附:HBM精选深度研报) ------------------------------
12月2日,外交部发言人林剑主持例行记者会。路透社记者提问,据报道,美方正在准备出台新一轮对华半导体出口限制措施。
美方对华出口管制或进一步加剧,先进制程是核心管控目标。
美国全国商会的电子邮件表明美方对华出口管制或进一步加剧,新规定可能会将多达200家中国芯片公司列入贸易限制名单,禁止大多数美国供应商向目标公司发货。
同时另一套限制高频宽存储(HBM)出口到中国的规定,也预计在12月间对外公布,该规定或主要限制中国AI芯片厂商获取高带宽内存芯片,进而影响产品内存容量和带宽。 ------------------------------
HBM全称为High Bandwidth Memory,即高带宽内存,是数据中心等应用场景的新一代内存解决方案。
每一代HBM产品的推出都比上一代有几倍的性能提升。
目前HBM已经来到了HBM3E量产的节点,下一步将朝着HBM4进发。
HBM产业链涵盖上游的材料和设备厂商,中游的IDM厂商,下游的CPU/GPU/TPU等厂商。
上游设备商主要提供生产HBM所需的原材料和设备,如硅晶圆、光刻机、刻蚀机等。
中游制造商则负责将原材料加工成HBM芯片,包括晶圆制造、切割、封装等环节。
下游是HBM芯片的应用领域,如数据中心、AI芯片、固态硬盘等,参与厂商包括英伟达、AMD和谷歌等。 -------- HBM产业格局:
目前 HBM 市场仍以韩国和美国公司为主导,我国公司正在积极布局。
国内武汉新芯和长鑫储存两家公司步伐较快。
武汉新芯发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目,利用三 维集成多晶圆堆叠技术,打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国 产高带宽存储器(HBM)产品,拟新增设备 16 台套,拟实现月产出能力>3000 片(12 英寸)。
长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了 HBM 样品,并向潜在的客户展示。
目前我国国产 HBM 尚无法实现量产,但在材料、技术等领域已有突破。
国内产业链核心布局厂商:
1、设备端:赛腾股份(检测)、精智达(检测)、芯源微(临时键合+解键合)、华海清科 (减薄+CMP)、中微公司(刻蚀+沉积)、拓荆科技(沉积+混合键合)、北方华创(刻蚀+沉积)、盛美上海(电镀+清洗)、新益昌(固晶)
2、材料端:联瑞新材(Low-α球硅球铝)、华海诚科(环氧塑封料)、雅克科技(前驱体)、强力新材(PSPI)
3、封测端:通富微电(先进封装)、佰维存储(先进封装)、长电科技(先进封装)、晶方科技(先进封装)
4、代工厂:武汉新芯(IPO问询)
附3篇HBM深度研究报告,帮助你更好地了解学习HBM。(在知识星球网页端下载阅读报告,体验更好)