半导体更新 ①中芯国际、华虹...

①中芯国际、华虹公司一季度业绩公布。

②电子级氢氟酸据悉对三星电子、SK海力士 6-7月大幅涨价。

③住友电木涨价函：6月1日发货的批次起，半导体封装用环氧树脂涨价10-20%。

一季度收和毛利率略超指引，二季度收入指引环比增长14-16%大超预期，同时基于客户需求及在手订单公司对全年整体运营更加乐观。

1）受益于下游需求及订单强劲，公司一季度收入和毛利率均略超指引：

-- 公司2026Q1收入25.06亿美元，环比增长0.7%，略高于持平的指引，毛利率20.1%，略高于指引上限（18%-20%）；

-- 具体来看，公司销售晶圆250.9万片约当8英寸，环比持平略降0.2%，春节销量淡季不淡；ASP计算得约938美元/片，环比提升约2.5％，ASP提升是收入和毛利率均亮眼的主要贡献；

-- 从下游结构来看，和去年Q1对比，非手机类的消费电子（从40.6%提升至46.2%）及工业与汽车（从9.6%提升至14%）等领域占比提升较大，智能手机占比有所下滑（从24.2%降到18.9%）；

-- 一季度产能利用率93.1%，考虑到一季度有年检岁修的因素，产能利用率依然保持这么高水平表明下游客户需求十分旺盛；

2）二季度收入指引环比增长幅度大超预期且对全年经营情况更加乐观，判断是先进制程产能增加&涨价等因素共同推动，半导体超级周期持续上行：

-- 公司Q2指引收入环比增长14-16%大超预期，判断主要系1）先进制程产能在一季度开始环比快速增长、二季度产出将显著提升；2）受部分原材料涨价及供需关系持续紧张、公司部分工艺平台涨价；3）稼动率环比继续提升；

-- 毛利率20-22%，环比继续稳健提升，判断主要系下游需求和客户订单强劲、稼动率持续提升叠加部分工艺平台涨价；

-- 基于下游需求和在手订单，相较于Q1公司对全年整体运营情况经营情况更加乐观，半导体超级周期持续上行；

3）产能持续提升，资本开支有序推进，确保中长期增长动能：

-- 截至2026Q1末，公司月产能达到107.8万片约当8英寸，环比增加2万片约当8英寸；产能利用率93.1%，保持高位；

-- Q1资本开支15.63亿美元，保持健康，前期公司指引2026年资本开支同比大致持平，维持较高水平，公司先进制程和成熟制程的产能持续增长，确保公司中长期的增长动能；

4）我们持续看好中芯国际作为国内代工厂龙头和算力中军，先进制程产能和良率正发生积极变化，在当下国产算力产能为王的产业背景下，公司将持续深度受益。

1Q26收入6.609亿美元，同比+22.2%，环比+0.2%，主要得益于付运晶圆数量上升及ASP上涨。毛利率13.0%，同比上升3.8pct，环比持平，符合指引。分领域看，嵌入式非易失性存储器表现最强劲，收入同比大增41.7%，主要受MCU及智能卡芯片需求驱动；模拟与电源管理同比+25.8%，独立式非易失性存储器同比+33.2%，主要受闪存产品需求拉动。12英寸收入占比提升至62.7%，产能利用率99.7%。

展望：2Q26指引乐观，看好行业需求外溢下的ASP增长

公司指引2Q26收入6.9-7.0亿美元，毛利率14%-16%，较1Q26环比提升，预示盈利能力提升。管理层对全年ASP趋势持乐观态度，预计全年平均涨价幅度约10%-15%，BCD/PMIC等热门平台涨幅或达20%-25%；NOR Flash亦预期实现10%-15%的价格上涨。

业绩会核心要点：关注硅光和先进封装业务，多维布局AI机遇

产能方面，无锡Fab9A扩产预计3Q26完成，年底或明年初达满产出货；Fab9B已于2026年3月开工，预计4Q26装机，2027年开始产出，2028年满产，总资本开支约60亿美元，主攻40nm特色工艺。行业层面，AI驱动PMIC（BCD工艺）需求持续爆发，欧美头部客户"China for China"策略为公司带来增量；公司已启动GaN研发（TD阶段），并将以合资方式切入SiC赛道；硅光子业务规划正在推进，预计近期披露详情。高密度深沟槽电容器（Deep Trench Capacitor）预计很快贡献收入；Interposer业务亦在早期探索中。设备采购方面，公司明确Fab9B至今未受美国出口管制影响，特朗普访华带来的贸易改善对公司属于"锦上添花"。

1）中芯国际、华虹两家代工龙头披露财报，收入均超预期。更为关键的是对于二季度的收入和毛利率都很乐观，且中芯国际表示对全年整体运营更加乐观！！！半导体景气超级周期正在持续上演！

2）半导体芯片需求正面临全面景气，产能为王是今年半导体的核心逻辑，代工厂是半导体产能的核心资源，不仅仅是先进制程，成熟制程现在同样是稀缺资源！！！美股的晶圆fab厂商联电和格罗方德都是近一个多月底部涨了一倍左右，目前估值在接近3.5倍pb 水平，联电和格罗方德最先进的制程基本是14nm水平，并没有7nm 及以下的技术能力；

3）如何看中芯和华虹的估值？

中芯具有7nm和5nm的工艺能力，华虹（目前表外）具有7nm的能力，这种先进制程的工艺能力是非常稀缺的，是联电和格罗方德不具备的，所以理论估值应该高于联电和格罗方德！中芯（港股）3.4倍pb和华虹（港股）4.3倍pb，均和只有成熟制程的联电格罗方德估值相当，是显著被低估的。

上限在哪里？台积电目前接近12倍pb，是因为最牛的先进工艺能力可以支撑公司做到超过40%的ROE或者接近50%的净利率水平，中芯华虹远期先进制程ROE水平我们认为有机会做到30%区间，和台积电当前12pb估值对比，有机会对对应9倍pb水平，未来随着先进制程占比持续提升，中芯华虹整体估值（成熟制程和先进制程加权）有望向上限靠拢，对应当前3-4倍pb 有较大向上空间。

电子级氢氟酸（EL/UP级，纯度≥99.999%，金属杂质ppt级）是半导体晶圆蚀刻、清洗及光伏制绒的核心湿电子化学品，产业链上游为萤石矿→无水氟化氢（AHF）→电子级HF，中游为纯化、分装与检测，下游直接供给晶圆厂（台积电、中芯国际、三星等）。

海外龙头主要为日本Stella Chemifa（ Stella-Chemifa，全球市占率约40%）、森田化学、关东化学、大金工业，三家合计垄断全球约80%产能。

国内布局厂商包括多氟多（已量产G5级并向G6推进）、巨化股份（5N级量产）、滨化股份（电子级HF+Buffer级配套）、中欣氟材（高纯HF及电子级产品）、天际股份（子公司新泰材料布局电子级）、永太科技（含氟电子化学品平台）、兴发集团（电子级磷酸+HF协同）、晶瑞电材（自研纯化技术）、江化微等，其中多氟多是国内最大的电子级HF供应商，已进入台积电、中芯国际等供应链，但在UP-SS（6N）以上超纯级别仍与日系有差距，国产替代正加速推进。

核心逻辑：从“车用材料”到“算力基建”的超级进化、AI市场是车用市场的10倍+。

① AI的瓶颈在电力、SiC是提效&降耗的必选项。传统硅基器件在1000W+ 高热流密度下会面临严重的热失控与效率衰减，直接推升 PUE 值造成大量电力消耗。随着机柜功率迈向MW级，SiC凭借宽禁带、耐高压、极高热导率的物理特性，在800V高压&SST架构中、SiC能够实现99%的转换效率、将散热需求降低50%。

② CoWoS封装打开天花板： 随着GPU 堆叠密度提升，SiC 的高热导率特性使其有望导入 CoWoS 等先进封装体系中，作为中介层直接参与芯片级散热，彻底打破了传统功率器件的市场天花板。

③ 市场空间重估：预计到2030年、AI类应用带动的SiC衬底与功率器件市场规模有望突破2000-3000亿元。过去 SiC 下游高度依赖电动车与光储，而AI市场规模是过去的数十倍。

行业走出泥潭、步入“高质高价”的新周期。

结构性供需错配：6寸低价内卷、8/12寸供给紧张。过去几年行业盲目跟进 6 英寸通用衬底导致产能过剩，价格战惨烈。但AI 服务器对衬底的位错密度（EPD）和电学均一性有着严苛要求，只有 8 英寸及更高规格的衬底才能达标，供需紧张。

8/12寸衬底高壁垒：核心在于“长晶稳定性”与“良率控制”。目前全球仅有少数龙头（如天岳先进、Wolfspeed 等）能在大尺寸上实现高质量规模量产。

景气度验证： AI驱动行业龙头价格普涨10%+；三星重启 8 英寸产线筹建；Wolfspeed、安森美、德州仪器、英飞凌等业绩强劲；NV深度绑定 Coherent 材料产能。行业已从“产能扩张期”进入“技术兑现期”。

SiC衬底：

①天岳先进：全球衬底龙头、8寸全球份额50%、12寸已量产。

②Wolfspeed：全球 SiC衬底技术标杆、垂直一体化巨头。NV、特斯拉等巨头核心供应商。

SiCMosfet&功率模块：

①安森美：AI电源领域的黑马、深度绑定头部算力厂商，率先实现了在数据中心业务上的倍数级增长。

②英飞凌：全球功率器件霸主、行业的技术灯塔与标准制定者，AI 数据中心电源模块领域具有统治地位。

③意法半导体：全球 SiC 功率器件的超级巨头，特斯拉 SiC 核心供应商。

设备：

①晶升股份：长晶设备龙头。②宇晶股份：多线切割机。③晶盛机电：长晶炉和切磨抛设备都有布局。

代工厂

①芯联集成：国内功率芯片代工龙头。凭借高良率的代工工艺，承接了国产 AI 芯片设计公司的量产需求，成长空间广阔。

②X-FAB (德国)：全球领先的模拟/混合信号代工厂，SiC 领域的“代工巨头”之一。

SoC芯片与先进存储芯片是AI产业化的关键基础硬件，其复杂性均显著提升，从而推动了测试机需求的增长。SoC芯片作为硬件设备的“大脑”，承担着AI运算控制等核心功能，对计算性能和能耗的要求极高，这使得芯片设计和制造的复杂性大幅增加。与此同时，先进存储芯片为AI算力芯片提供高带宽的数据存储和传输支持，其容量和带宽的不断提升也进一步增加了芯片的复杂性。因此，SoC芯片和先进存储芯片的复杂性提升共同推动了对高性能测试机需求的显著增长。

根据爱德万预测，受IIPC/AI芯片需求增加，2026年全球存储与S0C测试机市场空间有望突破120亿美元。

建议关注AI芯片带来的国产存储、SoC测试机突破，相关：长川科技、华峰测控、精智达等。

风险提示：AI算力投资节奏不及预期，国产替代推进节奏存在不确定性。

时间轴对应：2026.1-2026.3

1.整体业绩高增：Q1营收209.45亿日元，同比+48.3%、环比+6.0%；归母净利润43.92亿日元，同比+162.5%，盈利大幅翻倍。

2.储存探针卡绝对主力：营收206.29亿日元，同比+51.0%、环比+6.3%，贡献超98%总收入。

存储类收入192.45亿日元，同比+57.4%、环比+6.5%，占探针卡收入93%，DRAM/HBM需求驱动创季度新高。

3、探针测试设备持续亏损：营收3.16亿日元，同比-31.4%、环比-10.5%，分部亏损3.10亿日元，拖累整体盈利。

4、盈利结构优化：1Q26整体毛利率47.3%，营业利润率27.0%，同比+6.8pct，利润率持续提升。

5、全年展望上调：上调2026财年上半年/前三季度业绩指引，预计全年营收增速显著超26%，受益产能爬坡与探针卡市场扩容。

全球扩张与运营布局

· 全球建厂计划：正在全球范围内建设或改造18座晶圆厂（包含5座先进封装厂）。

· 中国台湾核心地位：其中12座设施位于台湾。

· 加速扩张：建厂速度已提升至每年9座新厂（2025-2026年），相比2017-2024年间的每年4座实现翻倍增长。

国际站点进展

· 亚利桑那州（美国）：

- 2026 年 Fab 1 产能将提升 1.8 倍

- Fab 2 设备将于 2026 年下半年搬入（N3 制程于 2027 年下半年投产）

- Fab 3 已于 2025 年上半年动工

- 第四座晶圆厂和首座先进封装厂（AP1）正处于初期建设阶段。

· 熊本（日本）：

- 第一座晶圆厂（28/22纳米制程）的良率已与台湾水平持平；2026年产量目标同比增长2.3倍。

- 第二座晶圆厂于 2025 年动工，将用于生产 N3 制程芯片。

· 德累斯顿（德国）：

-ESMC 设施专注于 12 纳米至 28 纳米制程，服务于汽车/工业领域。

先进制程路线图（N2 / A14 / A12）

· N2 进展：新竹的 Fab 20 和高雄的 Fab 22 已进入大规模生产阶段，台中 Fab 25 预计于 2028 年跟进。

· N2 性能：预计首年产量将比 N3 首年高出 45%，2026 至 2028 年产能年复合增长率预计达 70%。

· 良品率成熟度：得益于 AI 优化的制造流程，N2 的良品率学习曲线比同期 N3 提前了两个季度。

· A14（1.4 纳米）：已在 256Mb SRAM 上实现超过 80%的良率；相比 N2，速度提升 10-15%或功耗降低 25-30%。

· 新节点：

- A12（专注于性能，采用背面供电/超级电源轨）和 A13 均瞄准 2029 年投产。

- N2U（增强型 2 纳米）计划于 2028 年推出。

· 下一代技术：CFET 架构相比纳米片技术，将 SRAM 单元面积减少 30%。

先进封装与硅光子技术

· CoWoS 规模：5.5 倍光罩尺寸晶圆良率已达 98%。计划至 2028 年扩展至 14 倍光罩尺寸以支持 20 个 HBM，2029 年进一步支持 24 个 HBM。

· 晶圆级系统：未来"超级交换"芯片将集成 64 个 HBM/16 个 CoWoS 单元，突破 40 倍光罩尺寸，实现超过 100TB 的带宽。

· 增长：2022-2027 年 3DIC/CoWoS 产能年复合增长率预计超过 80%。

· COUPE：全光互连技术将取代铜互连，以应对数据中心 GPU 规模达数百万、功耗需求激增 200 倍的发展趋势。

专业与记忆技术转型

· 记忆技术革新：在汽车、AI 智能眼镜与边缘 AI 领域，针对先进制程（≤28 纳米）从嵌入式闪存转向电阻式随机存取存储器与磁阻随机存取存储器。

· 边缘 AI 技术规格：

-采用 N4PRF（射频工艺）实现功耗降低 39%

-专为 AI 智能眼镜/增强现实显示设备开发的 N16HV（16 纳米高压工艺）

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！