半导体芯片+存储更新 ①美股...

①美股半导体ETF涨1.28%。AMD涨9%，首席执行官苏姿丰预计，未来三至五年公司整体营收预计将以约35%的年均速度增长。

②三星电子、SK海力士和铠侠等存储龙头计划提高NAND价格并削减产量。

③香农芯创公告，第三大股东无锡高新区新动能产业发展基金减持54.92万股公司股份。江波龙公告，第二大股东李志雄9月2日至11月11日累计减持419.15万股，减持计划实施完毕。

公司预计未来3-5年整体收入CAGR超35%，数据中心业务收入CAGR超60%（AI相关CAGR超80%），其他业务收入CAGR超10%，毛利率在55-58%（vs2025e约54%），OPM超35%（vs2025e约24%），EPS>20。其中，【利润率指引超我们预期】。

【数据中心业务】公司预计数据中心TAM将从2025年的2000亿美金增长至2030年的10000亿美金，五年CAGR>40%。

数据中心目前在手订单包括：1）OpenAI6GW（从2H26开始部署）2）甲骨文5万颗MI450GPU（从2H26开始出货）3）和Meta共同设计Helios机架4）和美国能源部合作。预计27年数据中心收入将达数百亿美元。

机架互联方案：CPU和GPU之间采用InifinityFabric；Scaleup采用UALinkoverEthernet，带宽3.6TB/s；GPU和NIC之间采用UALink；Scaleout采用UltraEthernetUEC，带宽300GB/s。

性能vs英伟达VeraRubin：内存带宽、FP4/FP8、Scaleup带宽性能相当，内存容量和Scaleout带宽为1.5倍。

时间：MI450Helios机架预计从3Q26开始出货。

【其他业务】公司预计到30年1）服务器CPU收入市占率超50%（25年约40%）；2）客户业务含PC和gaming收入市占率超40%（25年约28%）；3）FPGA收入市占率超70%。2030年数据中心CPU市场规模达600亿美元。

看好AMDMI450Helios开放式机架解决方案在训练场景性能大幅提升，以及算力卡在推理侧的高性价比优势，有望显著提升AMD在AIGPU的市场份额。建议关注26年MI450出货节奏，看好27年批量出货带来的利润水平显著改善。目前【公司估值仅交易在27年21倍左右】，我们认为仍存较大上行空间。

摩根大通在最新发布的研究报告中指出，尽管市场对“AI泡沫”的担忧情绪升温，但由AI驱动的半导体上升周期远未见顶，其持续时间将延长至2027年。

摩根大通预测，全球半导体收入在2026年、2027年将分别增长18%、11%。

摩根大通在报告中给出了以下四个理由：

1）这一轮半导体上升属于“K型复苏”周期。市场呈现AI与非AI需求的分化格局，AI相关需求表现强劲，而其他领域的科技需求则面临调整趋势。

2）本轮半导体复苏的发展轨迹与智能手机或公有云的早期阶段更为相似。智能手机经历了约7年，公有云则经历了约9年，其年度增长率才降至20%以下。相比之下，生成式AI目前仅处于第四年，预计2026年仍将具有较大的增长潜力。

3）头部云服务商（CSP）拥有持续投入的能力和意愿。摩根大通的分析显示，排名前六的CSP资本支出在2025年强劲增长67%后，预计2026年仍能增长约32%。

4）关键领域的供应反应迟缓。本轮周期中，半导体资本支出增长一直相当保守，供应高度集中在台积电和SK海力士等少数厂商手中。报告预计，3纳米制程、CoWoS和HBM等关键环节的供应短缺将持续到2026年，从而延长半导体上升周期。

报告指出，AI需求的强劲正“挤占”整个科技行业的供应，导致从先进封装（CoWoS）、前沿晶圆代工和高带宽内存（HBM），到普通封测（OSAT）、多层陶瓷电容器（MLCC）和普通DRAM/NAND等多个领域出现供应短缺。

1）龙头厂商集体减产提价，涨幅超预期

闪迪于11月初率先大幅调涨NAND闪存合约价格50%，此举已引发创见、宜鼎国际等模组厂暂停出货并重新评估报价。在闪迪的带动下，三星电子、SK海力士和铠侠等主要存储厂商正在谋划推动NAND价格上调，其中三星内部考虑将价格上调20%-30%以上。

四大存储龙头今年下半年均计划主动削减NAND闪存供应量： 三星将今年NAND晶圆产量目标从507万片下调约7%至472万片；铠侠将年产量从480万片调减至469万片；SK海力士产量从201万片降至约180万片，降幅约10%；美光则维持新加坡Fab 7工厂约30万片的保守供给水平。Omdia预计三星和铠侠的减产趋势将持续到明年，意味着供应偏紧状态将至少维持至2026年。

2）结构性驱动因素：AI需求与工艺转型共促供需格局优化

本轮涨价的深层动力来自AI需求推动的产品结构转型。随着AI应用推动更多产线转向四层单元(QLC)工艺，NAND闪存产量下降在所难免，这意味着当前的供应收缩具有技术迭代带来的结构性特征。同时，北美大型科技企业因担心NAND价格持续飙升，已开启“恐慌性囤货”，部分供应商明年NAND供货量已被抢订一空。这种恐慌性采购行为进一步加剧了供需失衡，形成了价格上涨的正反馈循环。从产业规律看，在经过去年一整年NAND售价几乎停留在成本价水平的艰难时期后，行业龙头有意愿通过调节供应推动价格回归合理水平，这一轮涨价具有扎实的产业逻辑支撑。

3）供应链连锁反应：现货市场跟涨，惜售情绪浓厚

涨价效应已从合约市场传导至现货市场。TrendForce报告指出，受合约市场强势拉动，NAND现货市场氛围进一步升温，价格上涨幅度及报价频率均显著增加。由于中小型买家难以通过原厂取得货源，转向现货市场采购的需求明显增温，然而现货供应相对稀缺，持货商普遍看好后市走势，延后出货、惜售情绪浓厚，导致成交量有限但价格持续上扬。这种市场心理的转变极为关键，#表明行业已从去年的去库存压力转变为当前的供给紧张状态，#持货商定价能力显著增强，为价格进一步上涨创造了条件。

我们看好存储尤其是具有原厂供应链优势的企业。1）与三星、SK海力士、铠侠、美光等龙头厂商有稳定合作关系的供应链企业；2）在NAND模组和固态硬盘领域有较强市场地位的公司。

产业链再梳理，不构成投资建议！

-海外：闪迪、铠侠、美光、海力士；

-模组：德明利、线上线下、香农芯创、时空科技、江波龙、开普云；

-存储芯片：兆易创新、帝科；

-SSD企业级解决方案：同有科技；

-上游：雅克科技、神工

东北计算机赵宇阳/ 赵骁翔/ 廖岚琪

三星电子、SK 海力士、铠侠、美光等全球四大 NAND 闪存制造商在今年下半年一致减少 NAND 闪存供应量。分析指出，通过供应调控引导价格上涨的同时，在以人工智能数据中心为核心需求激增的 QLC 工艺生产设备更换过程中，产量损失不可避免。

与此同时，三星电子、SK 海力士、铠侠等公司正在推动 NAND 闪存价格上调，该价格去年全年一直维持在成本水平。特别是三星电子在与海外大型客户讨论明年 NAND 供应量的同时，据内部消息，公司正考虑将价格提高20% 至 30% 以上。

12 日，市场调查机构 Omdia 的年度 NAND 闪存生产量资料显示，三星电子今年将 NAND 晶圆生产目标下调至约 472 万张，较去年（507 万张）减少约 7%。Kioxia 也从去年的 480 万张调整至今年的 469 万张。Omdia 预测，三星电子和 Kioxia 的减产趋势将持续至明年。

SK 海力士和美光也保守限制生产规模，意在追求涨价效果。SK 海力士的 NAND 生产规模从去年的 201 万张降至今年约 180 万张水平，下降约 10%。美光情况也类似。美光将其最大 NAND 生产基地新加坡 Fab7 工厂的产量维持在 30 万张出头水平，保持保守供应态势。

随着主要供应商纷纷调整生产量，NAND 产品的平均售价（ASP）也急剧上涨。据海外市场调研机构预测，上一季度已上涨 15% 的 NAND 价格，未来可能飙升40~50% 以上。根据 TrendForce 数据，市场上最广泛使用的 512Gb 三阶存储单元（TLC）NAND 芯片的晶圆现货价格较前一周上涨 14.2%，达到 5.51 美元。现货价格指的是在流通市场中即时交易的价格，该价格上涨意味着产品采购难度相应加大。

TLC 基 NAND 闪存供不应求的现象，也意味着主要 NAND 供应商正将重心从 TLC 转向利润更高的 QLC。QLC 和 TLC 指的是 NAND 闪存基本单元 —— 单个存储单元能存储的比特数。TLC 每个单元可存储 3 比特，而 QLC 可存储 4 比特。由于相同面积下 QLC 比 TLC 能多提供 30% 的容量，这对制造 AI 数据中心必需的大容量 SSD 更为有利。

半导体业界相关人士解释：“在将现有 TLC 基础的 NAND 生产线转换为 AI 数据中心用 SSD 必需的 QLC 过程中，四大主要供应商均出现了 TLC NAND 生产设备部分停机的自然减产效应”，并指出 “通常设备转换和工艺转换过程中产生的产量损失，会引发市场价格飙升，这已成为惯例”。

与此同时，长期因供应过剩而陷入困境的三星电子和 SK 海力士也因 NAND 价格出现上涨迹象而开始追求利润最大化。据悉，美国闪迪公司自本月起已将 NAND 产品合约价格最高上调约 50%。有分析指出，由于担忧 NAND 价格暴涨的北美主要大型科技公司开始 “囤货”，明年 NAND 供应量已全部售罄。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成投资建议！