半导体+算力更新 事件：三星...

美光首席商务官发言、充分论证我们对存储大周期的判断

美光首席商务官称，预计2026年DRAM市场仍将保持季度紧张，供需失衡将加剧；亦充分论证我们此前对存储大周期的判断。

供需视角看大周期有望逐步来临

存储核心逻辑已从供给端逻辑逐步演绎为#需求成长型逻辑。需求端：伴随着AI推理端持续落地，“训练-推理-训练”的正循环催生存储需求（机械硬盘、固态硬盘、DRAM）的持续增长，#据海外原厂反馈、北美CSP厂商对明年的forecast指引为大比例增长；供给端，过去4-5年内dram、nand、机械硬盘尚未形成有效的产能释放，供需缺口持续形成，存储大周期持续来临。

四季度存储涨价超预期

NAND Flash方面，互联网厂商及服务器ODM备货旺季的持续拉动，叠加北美CSP厂商采购需求逐步从HDD转至企业级存储，手机新机持续推出，NAND Flash搭载容量提升，NAND Flash需求持续向上，四季度NAND Flash价格持续向上。

DRAM方面，DDR4伴随大厂持续退出，供需错配，延续涨价趋势。同步，服务器DDR5渗透率提升及搭载量的提升，助力DRAM需求持续上扬，价格持续向上。

利基存储方面，需求持续增长，供给端稳定，nor、slc nand均已处于涨价周期。

产业链再梳理（不构成投资建议）：

模组公司：德明利、江波龙、开普云、佰维存储、香农芯创、大为股份

设计公司：兆易创新、澜起科技、聚辰股份、普冉股份、东芯股份、恒烁股份

长鑫/长存产业链：深科技、晶合集成、汇成股份、精智达、雅克科技、北方华创、中科飞测、华海清科、中微公司、精测电子、安集科技、鼎龙股份、中船特气

事件：上周五下午，根据集微网转载报道，美光科技计划停止向中国数据中心供应服务器芯片。此前该公司在2023年遭遇中国对其产品在关键基础设施中的禁令后，业务未能恢复。

这条报道发出后，适逢周五市场调整，部分投资者认为存储板块调整是受这个新闻影响，周末也有向我咨询影响程度。但很显然，将这件事归为市场利空、那就大错特错了，因为不仅仅它本身几乎没有实质影响，相反还佐证了存储行业的缺货程度仍在不断加剧，这应该是行业利好才对！

新闻里本身就讲了：“美光此前在2023年遭遇中国对其产品在关键基础设施中的禁令后，业务未能恢复”。这个事情的引申新闻可以查阅2023年的报道，美光是首家被我国列入限制名单的美国芯片制造商，当时我国政府2023年时以「国家安全」为由，禁止美光产品用于关键基础设施，使其错失在全球第二大服务器存储器市场的AI建设热潮，这个禁令迄今仍未解除。

理解这个“前因”后，就能明白为什么我们判断它“本身几乎没有实质影响”：因为美光的产品本来就不能用于我国的关键基础设施，其中就包括绝大多数的数据中心。美光这次发表计划停止，其本身就像是把本来就不咋能做且也基本没有做的事情，再自己主动喊一遍“以后我也不干了”。虽然看起来确实有点委屈，但也只是聊胜于无，我国的数据中心存储器供应商这几年也一直都是以三星、海力士、以及本土的长存长鑫这些为主。

虽然美光的退出，这样解释以后，有点意料之中的意味，但是也反映出贸易科技战背景下的长期供应链分化趋势，已由高端GPU蔓延至存储器与服务器领域。川普持续扩大对我国AI芯片与制造设备的出口限制，我国则透过政策扶持本土供应商自给自足。

在这种背景下，结合八月底川普撤销三星海力士，以及被海力士收购的英特尔半导体（大连）在中国业务的“验证最终用户”（VEU）授权的行为，可以认识到：存储整体需求受全球AI基建大浪潮影响、本身就严重供给不足、还要受到贸易战影响、供给端进一步分化、这会导致行业的缺货程度进一步加剧，而在这个环境里，在我国，在长存和长鑫仍未完全成长起来的当下，存储器模组厂或者说解决方案厂、以及各种行业代理、起到了一个非常重要的桥梁和缓冲的作用，其行业地位和盈利能力，是值得深思和重视的，依然继续看好存储行业后续成长空间！

1）DRAM 周期：上行趋势明确

2026 年 DRAM 行业 bit 供需增速差预计达 3 个百分点，为 2016 年以来最大缺口，驱动合约价持续上涨。

服务器 DRAM 需求是核心引擎：2026 年服务器 DRAM bit 需求预计达 1264.8 亿 Gb，同比增长 25.2%，其中 AI 服务器 HBM 需求占比超 40%。

2）NAND 周期：供需逐步改善

2026 年 NAND 终端消费 bit 需求预计增长 17.0%，供给增速仅 13.7%，供需差从 2025 年的 - 0.2% 转正至 3.3%。

智能手机与 SSD 是主要需求来源：2026 年智能手机 NAND 需求增长 12.9%，服务器 SSD 需求增长 29.2%

1）需求爆发：2026 年需求规模翻倍

2025 年全球 HBM 终端消费 bit 需求预计达 113.1 亿 Gb，2026 年将激增至275.7 亿 Gb，同比增长 60.9%；从绝对量看，2026 年 HBM 需求（275.7 亿 Gb）是 2024 年（49.5 亿 Gb）的 5.6 倍。

2） 需求来源：英伟达与超算厂商主导

英伟达：GB300（2×GPU，12HBM）等产品带动 HBM3E 需求，2026 年预计贡献超 105.9 万 GB（约 847 亿 Gb），占全球总需求的 30.7%。

谷歌 / 亚马逊 / 微软：TPU、Trainium 等 AI 芯片配套 HBM 需求快速增长，2026 年合计占比超 20%。

其他厂商：AMD（M 系列）、Intel（Gaudi 系列）及初创企业合计贡献剩余需求。

3）供给格局：SK 海力士领跑，三星、美光追赶

在高带宽存储器（HBM）领域，全球主要厂商的出货量呈现显著增长趋势。

2024 年，SK 海力士、三星、美光三大厂商的 HBM bit 出货量合计达 12.8 亿 Gb，其中 SK 海力士以 6.8 亿 Gb 的出货量占据领先地位，三星和美光分别出货 5.1 亿 Gb 和 0.9 亿 Gb。展望未来，2025 年各厂商出货量预计出现分化，SK 海力士预计增长至 12.7 亿 Gb，保持高速增长态势；

美光预计大幅提升至 4.7 亿 Gb，增速显著；而三星预计小幅回落至 4.3 亿 Gb。到 2026 年，全球 HBM 供给格局进一步清晰，SK 海力士仍将占据主导地位，以 15.8 亿 Gb 的出货量贡献 49.9% 的全球供给；

美光预计出货 8.3 亿 Gb，占比 26.3%；三星预计出货 7.5 亿 Gb，占比 23.8%，三大厂商将共同主导全球 HBM 市场供给。

2026 年 HBM 前端产能预计达 48 万片 / 月（12 英寸等效），仍难以完全匹配需求，供需缺口或持续支撑 HBM 价格。

1）需求端：服务器与整体 bit 需求双增长

上调 2026 年服务器出货量预测至 1800 万台，同比增长 5.7%（此前为 + 4.0%）；其中超大规模企业传统服务器采购量预计增长 9.8%（2025 年为 17.8%）。

上调整体 DRAM 终端消费 bit 增长率：2025 年从 + 19.8% 上调至 +20.6%，2026 年从 + 17.5% 上调至+19.1%（含 HBM）。

2）供给端：增速受限，供需缺口显现

预计 2026 年 DRAM 厂商 bit 出货增速难以达到 20% 及以上：三星预计 + 15%、SK 海力士 + 14%、美光（MU）+19%。

2026 年 DRAM 整体 bit 供给（出货端）与需求（终端消费）预计存在近 3 个百分点的缺口，这也是客户担忧未来可能出现短缺的核心原因。

①9月9日英伟达发布新一代机型 VR200 NVL144 CPX，其中对1.6T光模块的需求将从GB300的1：2.5，变1:5；

②最近高盛对明年1.6T光模块的需求从1000万只上修至1500万只；而根据国内产业链内的调研，现在1.6T光模块基本上被海外大厂预定，因此预期明年1.6T光模块紧缺；

③海外大厂将陆续披露三季报，形成催化；

那么市场演绎了4个方向：

1）1.6T光模块的核心供应商—旭创；

2）800G光模块供应商—新易盛；

3）光模块的上游，光芯片—源杰（最近源杰的25G光芯片预期就是下半年量产，近期应该进展顺利，因为收到了较大的订单）

4）英伟达的潜在光模块供应商—思科(合作伙伴是—剑桥）、全球第二大光模块厂商Coherent（国内合作伙伴是—汇绿）

行业逻辑缺点：相较于GB300的9月份出炉，7月份炒作，时间线比较近，实际上 VR200 NVL144 CPX 明年下半年才出来，所以预期做的非常远。

PS: AI算力应该是科技继机器人的三花之后，第二个抢跑的方向，提前于中美战略30号左右出结果之前做的，因此说明资金认可度依然比较高。

我们不得不提及当前不断扩大的人工智能泡沫与 20 世纪 90 年代互联网泡沫的相似性 —— 人工智能支出远超收入，更不用说现金流。OpenAI 通过与英伟达、AMD、博通、谷歌、Meta、微软、Coreweave、甲骨文、亚马逊 AWS 等企业达成合作与交易，似乎单方面推高了科技行业的预期与估值。尽管当前形势类似泡沫，但鉴于大量资金涌入人工智能领域，我们认为半导体企业的预期与估值仍有上行空间。未来需密切关注企业对人工智能服务的需求、企业融资能力及 IPO 进展，这些将是判断泡沫何时破裂的关键指标。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成投资建议！