半导体更新 ①国内GPU独角...

①国内GPU独角兽摩尔线程定价确定。发行价格：114.28元/股，发行市值：537.15亿元，募集资金金额：80亿元。

②存储龙头SK海力士在韩国NEXTRADE盘前交易中一度下跌9.3%；三星在NEXTRADE盘前交易中下跌7.8%。

新闻“三星押注1c DRAM晶圆：2026年剑指月产20万片”以及“26年海力士1c DRAM产能从2万片增加至18万片”是否形成大扩产，是否影响周期，我们解读如下：

三星25年底DRAM产能约65-70万片，其中1c约5万片。明年1c节点上的15万片扩产预期并非完全新增扩产，部分新产能由较低节点转换而来（推测可能为一半），实际并未达到激进扩产。

海力士类似，25年底DRAM产能约55-60万片，其中1c约2万片。新闻中所说8倍产能以及14万片扩产计划，一方面夸张的倍数对应的是1c节点的低基数，另一方面扩产数包含了转产部分的产能，总产能增长并非这么多。

对原厂而言，过去几年的Capex投入（DRAM大头在HBM，NAND没有增长）以及扩产的周期限制了短时间内产能的大幅度扩张，较低节点的转产成为新增预期外产能最快的方式。

但是，转产同样会使得落后节点产能退出，总产能增长其实仅仅比市场估计的产能增加幅度略多，还远达不到激进扩产的程度。

国金电子樊志远团队 应明哲

根据我们的SiC深度报告：

-主流算力芯片基本标配CoWoS封装，因此我们认为AI算力芯片的发展亟需解决CoWoS封装散热的难题。

-CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，因为SiC在性能与可行性两方面的优势，有望成为未来CoWoS interposer的最适宜替代材料。

市场需求有望数倍增长

如CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且如按CoWoS 28年后35%复合增长率和70%替换SiC 来推演：

需求： 30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋。

供给： 2025年全球碳化硅衬底（6英寸等效）年产能预计超过300万片。

CoWoS对SiC的需求有望数倍于当前的全球供给总和。晶盛机电、晶升股份、天岳先进、三安光电、通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份等。

风险提示：新技术推进不及预期、行业竞争加剧、地缘政治风险等。

花旗观点

在一次竞争对手会议上，美光首席财务官发表演讲并表示，其 HBM 供应在 2026 年已 “完全签约”，这证实了我们关于客户正在寻求多年期合同的判断。我们还继续预计，鉴于对内存需求的巨大增长将需要大幅增加产量和资本支出，美光及其他内存公司将获得人工智能客户的资本注入。

我们继续预计美光毛利率将恢复到历史最高水平的 60%，2026 年每股收益将达到 23.36 美元，比市场普遍预期高出 40%。我们重申对美光的买入评级和 275.00 美元的目标价。

HBM 2026 年产能现已售罄

美光管理层今天上午表示，其 HBM 供应（包括 HBM3E 和 HBM4）在 2026 年已 “完全签约”。

美光证实将签订多年期合同

该公司还证实了我们的猜测，即客户正在寻求签订多年期合同。我们认为，鉴于需求增加，人工智能公司需要确保 DRAM 供应是促成这一趋势的动力。我们相信这将通过更高且可持续的 DRAM 定价使美光受益。

下一步是注资

我们还继续预计美光和其他存储器公司将获得人工智能客户的注资，因为所需的存储器数量将需要大幅增加生产和资本支出。

我们比市场普遍预期高出 40%，预计下个月财报公布时会有上行空间

我们对 2026 财年每股收益的预估为 23.36 美元，比市场普遍预期高出 40%。我们预计美光下个月公布财报时会有上行空间。

重申买入 我们重申对美光的买入评级，并维持 275.00 美元的目标价，即 2026 年每股收益的 12 倍，略高于其历史平均水平，这得益于 DRAM 价格上涨和强劲的 AI 需求。

三星电子为应对全球人工智能 (AI) 基础设施投资扩大带来的半导体 DRAM 需求激增，决定将平泽和华城园区的部分 NAND 闪存生产线转换为 DRAM 生产设施。同时，平泽第四工厂 (P4) 也将采用最新制程 (1c) 打造为 DRAM 专用生产线，以实现收益最大化。

半导体业界的一位相关人士 20 日表示：“三星电子对 NAND 闪存市场持保守评估态度”，“由于通用 DRAM 需求大幅增加且价格预计持续上涨，正在推进增产工作。”

作为辅助中央处理器 (CPU) 和图形处理器 (GPU) 高速运算的内存半导体，近期因全球科技巨头竞相投资 AI 基础设施而出现供不应求现象。

特别是 DRAM，当前市场需求被证实达到三星电子、SK 海力士和美光等三大内存厂商供应能力的三倍。

据业界透露，部分企业曾向三星电子提出将 96GB、128GB 双倍数据速率 5 (DDR5) 等大容量服务器用 DRAM 价格上调 70%，但因供应短缺未能确保采购量。

主要科技巨头预测 DRAM 短缺现象将持续，已启动 2027 年供应量谈判。

三星电子计划将部分 NAND 闪存生产设施转换为 DRAM 生产线，以应对激增的需求。目前，三星电子在平泽 1 工厂 (P1)、3 工厂 (P3) 和华城校区生产 DRAM 和 NAND 闪存。

平泽 P1 和华城校区是分别生产 DRAM 和 NAND 闪存的混合生产线。三星电子将通过减少 P1 和华城校区的 NAND 闪存生产设施并扩充 DRAM 生产设施的方式进行扩建。

此外，正在收尾施工的 P4 也将作为 10 纳米级第六代 (1c) DRAM 生产设施竣工，并从明年开始投入运营。此外，公司还在考虑在原本计划建设晶圆代工厂的 P4 第二区域生产 DRAM 的方案。

若明年上半年设备投资完成，平泽 P1 和华城园区等原有混合生产线将提高 DRAM 比重，P4 等地将新建 DRAM 生产线，产能将大幅提升。据悉，韩国减少的 NAND 闪存产量将通过增加中国西安工厂的产量来应对。业界相关人士表示："NAND 闪存供应商众多，但 DRAM 全部由三大内存厂商掌控，增加高收益的 DRAM 生产将同步提升利润。"

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成投资建议！