半导体存储：HBM+DDR更新...

HBM是成为高性能计算领域的关键存储技术，可以突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助。，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，国产供应链加速配套。

中微公司是TSV设备主要供应商。芯碁微装、芯源微（临时键合+解键合）、华海清科 （减薄+CMP）、中微公司（刻蚀+沉积）、拓荆科技（沉积+混合键合）、北方华创（刻蚀+沉积）、盛美上海（电镀+清洗）等公司也提供生产HBM所需的关键设备。HBM对检测和量测设备需求提升，国外科磊半导体在国内市场占比最高，国内有一批优秀的量检测企业，如精测电子、中科飞测、赛腾股份、睿励科学等。

环氧塑封料需要大量添加核心材料low-α球硅和low-α球铝，成本占GMC中的70%~90%。 HBM由于3D堆叠导致芯片厚度较高，因此需要用特殊的颗粒状环氧塑封料GMC封装。 全球GMC量产只有2家日系公司掌握，分别是日本住友和日本昭和。日本住友和日本昭和这两家的国内供应商是联瑞新材，联瑞新材前身是东海硅微粉厂，专注于硅微粉的研发。 华海诚科通过收购衡所华威，年产销量有望突破2.5万吨，有望跃居全球第二位，与日系企业展开竞争，产品已通过客户验证，进入送样阶段，有望突破技术封锁。

：HBM生产的核心难点在于晶圆级先进封装技术，先进封装技术TSV、凸点制造、堆叠键合是HBM制备的关键。 中国大陆独立封测第一梯队代表企业有长电科技、通富微电、华天科技等，三家厂商在全球前十大OSAT（封测企业）排名中，分别占据了第三、第四、第六的位置。

25Q2以来DDR4涨幅超30%，近一周以来加快上涨，主要由于原厂退出、下游拉货；主流存储与利基DRAM涨价，主要存储厂商环比均增长，存储模组厂Q2为盈利拐点；我们预计25Q3维持环增态势。

内存条涨价下，香农芯创有望显著获得利润弹性；兆易创新DDR4新品放量、盈利修复并有望受益于原厂退出获得市场份额。

此外，部分DDR4价格大涨后超过DDR5价格，叠加原厂逐步退出DDR4，我们认为DDR5渗透率有望加快提升，产业链相关还包括聚辰股份、澜起科技。

兆易创新：利基型DDR4涨价，MCU持续增长，定制化DRAM打开空间。

澜起科技：DDR5加速渗透，PCIe Retimer持续放量，MRDIMM和PCIe switch提供弹性。

聚辰股份：服务器SPD伴随DDR5加速渗透增长。汽车级EEPROM行业增长+国产替代，有望再造一个聚辰股份。

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