半导体更新 ①隔夜美股存储芯...

①隔夜美股存储芯片板块飙升，美光科技收盘大涨19.29%，市值首破万亿美元。

②今早，韩国综合股价指数KOSPI涨幅扩大至5%，续刷历史新高。存储巨头SK海力士股价飙涨11%，市值突破1万亿美元大关。

③美光宣布弗吉尼亚Fab 6已投产1α nm LPDDR4/DDR4；瑞银在最新报告中将美光目标价从535美元大幅上调至1625美元，对应市值1.8万亿美元。

④长鑫科技科创板IPO今日上会。

⑤工信部发布2026年汽车标准化工作要点，其中包括加速汽车芯片标准发布实施。

随着长期协议（LTAs）在行业大部分领域已稳固落实，我们再次上调了2027至2029年的预测，预计在此期间EPS将稳定保持在100美元以上，而美光科技（MU）在同一时期产生的自由现金流将超过4000亿美元。我们认为，市场将开始为该股票赋予更“正常”的估值倍数，15X。

我们在存储行业长期协议方面的供应链研究显示，全球DDR产品总量中高达30%的份额即将锁定在略低于当前水平的价格上，这些协议将使美光能够以部分短期收入换取需求可见性以及更平稳的盈利表现。

考虑到投资者通常会因企业的持续性和可预见性而给予股票溢价，我们认为美光EPS在2029财年之前将保持在100美元以上。

在 DRAM 领域，我们认为 20%至 30%的行业 C2027 DDR 位出货量现在将纳入“增强型”长期供应协议的范畴。

按公司划分，我们预计 SK 海力士占 18%，MU 占 20%，三星占 30%——这是带有固定价格的合同量，而其余的位数价格仍会“浮动”。

目前，我们认为仅大型企业就已成功获得了行业服务器 DDR5 量的约 60%至 70%的“增强型”长期供应协议份额--换句话说，这确保了 MU 等其他方对该量级的需求。

在 NAND 领域，类似的定价模式或许正在形成，大约 20%的出货量可能会转为固定出货量协议，但三星、SK 海力士以及可能的 MU 等公司似乎不太愿意像对待 DRAM 那样以同样的确定性为 NAND 投入新的产能。这些协议应将 DDR 的峰值至谷值价格波动幅度降低约 2 倍。

大型云计算企业似乎越来越愿意用价格来换取长期的供应保障、以及对未来部署成本效益的更高可预测性。

目前我们预计，DRAM 行业的供应仍将不足，这种情况至少会持续到下一财年第一季度（即 C2Q28，之前的财年为 4Q27），而 NAND 产品的供应不足状况也将持续到 2027 财年（此前为 2027 财年第三季度）。

与我们之前的模型相比，价格上涨的另一个驱动因素源于更高的 HBM 单价（每 GB）假设——这一点我们在 4 月初就已经提到过——因为 MU/SK/三星计划在 2027 年之前将 HBM 价格的溢价重新纳入其定价体系，这使得我们现在将 MU 的 HBM 单价模型上调约 50%（与之前的 +35% 相比），同时保持 MU 的 HBM 位移量假设不变，即 2026 年为 77.8 亿 GB，2027 年为 120.5 亿 GB。

存储演绎主要经过四个阶段

1）现货价/合约价上涨，市场半信半疑相信涨价都是利润。

2）合约价逐渐落地到业绩端，市场开始为真实业绩买单，线性外推全年利润，业绩低估，PE处于历史低位。

3）大存储长协落地，小存储供给端长期不可逆减产。利润持续性不止当年，估值周期切成长。

4）成长性的存储股：需求更缺，扩产更难，存力较算力在单片晶圆的提升更难，估值对标甚至超过先进制程FAB/IDM。

当下：

海外原厂逻辑演绎至第三阶段 ：闪迪发说会后加速，昨晚美光大涨19%的原因。

模组厂演绎至第二阶段 ：Q1业绩兑现，业绩后PE不到10倍，成为美伊期间“科技避险资产”

利基存储仅演绎至第一阶段，逐渐切换至第二阶段 ：Q1业绩初步反映业绩，Q1涨价（nor、利基NAND）开始反映Q2业绩。

看好利基随着大存储周期切成长，利基存储市值空间也将进一步打开。

AI产业趋势太强了，需求会把大部分相关的芯片环节供给拉爆，存储、GPU、CPU、模拟功率等供需紧张程度会持续加剧，上游晶圆厂产能也会被拉爆，无论是先进制程还是成熟制程，我们全面看好半导体产业各个环节，目前最重要的是仓位（仅供参考）

—晶圆厂：中芯国际（港股）华虹半导体（港股）

—设备材料零部件：中微中科飞测北方华创拓荆科技华海清科安集鼎龙上海新阳广钢气体江丰电子富创精密

—国产算力：寒武纪

—存储：兆易、普冉、北京君正

—模拟&功率：圣邦股份思瑞浦纳芯微杰华特芯朋微新洁能扬杰科技

—CPU相关：澜起科技海光

—先进封测：长电科技通富微电甬矽电子

—EDA:华大九天

—FPGA:安路科技

1）兆易创新公告，持有长鑫科技股份仅占其当前总股本的1.80%，持股比例较小。公司还公告，在5月11日至5月25日期间，实控人朱一明累计减持公司股份632.99万股。

2）燕东微公告，股东亦庄国投拟减持不超1%股份；甬矽电子公告，2.5D封装产品线目前正在与客户送样验证中，尚未实现量产。

3）深科技公告，子公司拟扩大高端存储芯片封测产能，项目计划总投资14.7亿元。

在τ住并学完何博士论文和即华为在ISCAS的展示后，我们对华为提出的逻辑折叠做更细致的解读：

逻辑折叠本质上是降低各系统的延时

逻辑折叠分为系统折叠、芯片折叠、电路折叠和器件折叠。最简单的理解：系统折叠就是scale up、芯片折叠就是3D封装、器件折叠就是晶体管结构的演进，电路折叠则是相对比较新的概念，同样用3d工艺完成，区别在于功能定位。

从定位来看，器件折叠减少晶体管内部的延时、电路折叠减少不同晶体管间的延时、芯片折叠减少芯片系统内部之间的延时、系统折叠则是减少芯片芯片系统外部的延时，让所有芯片像一个大系统一样工作。

以鲲鹏960为例看看各部分如何折叠

鲲鹏960分为3层：top die、middle die和bottom die，其中上中两层是核心die，承担计算任务，采用face to face的方式用高精度W2W混合键合方式连接，预计有垂直的细通孔连或较少的金属互联层连接上下层器件，保证各晶体管间的高速通信，定义为电路折叠。

bottom die是非核心die，预计承担供电、内存控制器、缓存等外围电路，通过C2W键合+ubumps+TSV的方式连接到middle die的正面金属层。该环节的折叠满足核心计算单元和外围电路的高速通信，定义为芯片折叠。

再往后就是大家所熟悉的scale up（系统折叠），不过鲲鹏作为孤立系统并不涵盖这一点，预计将在昇腾更为细致的体现。

1）电路折叠：这是此次发布最核心的创新，价值量大部分会体现在Fab与配合工艺开发的设备/EDA：中芯、华虹、燕东微、华创、中微、拓荆、华大九天、概伦电子；

2）芯片折叠：预计部分价值量将会迁移至OSAT与键合设备：盛合、通富、长电、精测、拓荆、百傲

3）系统折叠：大家熟悉的scale up标的：盛科、澜起、万通（已有华为合作）、华丰。

陈蓉芳/陈瑜熙/向俊儒/祁海超

贯彻落实汽车芯片标准体系，提升汽车芯片环境可靠性、电磁兼容、功能安全和信息安全水平，推进汽车芯片应力试验要求、信息安全技术规范等标准审查报批。

系统性推进汽车芯片产品与技术应用标准研究，推动电源管理芯片等标准发布，推进控制芯片、计算芯片、车内通信芯片、安全芯片、功率芯片等标准审查报批，加快传感芯片、车外通信芯片等标准研制，开展汽车存储芯片、驱动芯片等标准预研及汽车芯片匹配试验方法标准研究。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！