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乐晴行业观察
2026/05/28 08:13
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半导体更新 ①长鑫科技科创板...

发布者:乐晴

①长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。

②海外功率半导体龙头厂商英飞凌发布第二轮涨价函。英飞凌在涨价函中明确表示,AI专用数据中心的部署导致多款功率开关及集成电路出现供应短缺。

③费城半导体指数跌1%。台积电创历史新高,据悉3纳米下半年涨价15%明年或再涨10%。

④EDA巨头新思科技第二季度营收22.8亿美元,同比增长42%,并上调全年营收指引。

⑤华为郑俊:Mate90系列新机将使用τ定律的麒麟2026,3.1GHz主频,238MTr/mm²,实现接近业界3nm先进工艺水平。

⑥香农芯创在业绩说明会上表示,预计2026年海普存储的收入会有显著增长。龙芯中科公告,拟定增募资不超23亿元,用于基于Xnm工艺的信息化芯片研发及产业化项目等。

全线品种开启涨价模式,功率半导体步入“需求驱动型”景气上升周期。

2026年1月起,功率板块迎来密集涨价函:士兰微对部分器件价格上调10%,新洁能宣布MOSFET产品涨价10%,本轮调价本质由下游需求回暖驱动,而非单纯成本传导,我们认为功率器件行业有望稳步复苏,行业主流公司订单能见度高,板块毛利率修复弹性大。

AI算力成为核心增长引擎,SiC与硅基MOS价值量双重爆发。2026年AI增量需求斜率进一步陡峭,AI芯片对功率器件等半导体产能形成刚性挤占,技术路径上,前端高压侧全面采用SiC MOS及二极管,后端低压侧大量消耗硅基MOS,SiC与硅基器件在AI服务器中广泛应用。

具备提价权与AI高占比的功率:中低压领域收入占比高的新洁能、捷捷微电、扬杰科技等;晶圆厂华虹半导体、华润微、士兰微、燕东微;受益于AI服务器的SiC公司天岳先进。

风险提示:下游需求不及预期风险,行业竞争格局恶化风险。

英飞凌26Q2财年实现营收38.12e欧元,展望下一个季度预计环比+8%;并上调全年营收指引至160e欧元。

AI数据中心电源需求强劲,GaN及SiC在AI领域加速放量;今年预计达15e欧元,明年预计达到25e欧元,同比增长有望接近7成。目前AI高密度电源转换方案需求强劲到供不应求,前端产能将优先分配。

工业应用Q2季增15%,部门利润率环比增长。受益全球电网升级,输配电设备需求旺盛,储能与再生能源发电配套系统进一步加速,传统工业需求也同步复苏。

结论:功率半导体有望受益AI服务器电源需求带动,迎来量价齐升超预期机会;随着下游各应用周期复苏+国产替代持续推进,叠加涨价趋势,有望带动国内半导体业绩+估值双提升。

英飞凌发布第二轮涨价函,供不应求情况加剧,涨价不可避免。

据产业链反馈,头部衬底厂也已有涨价的想法,一旦开始涨价,其他厂可能也会跟进。

此前设备、器件均已涨价,随着衬底涨价, 行业开启全面涨价模式!

根据产业链反馈,全行业景气度爆棚,产业链从上至下:

设备: 晶升股份、新益昌、联动科技等,目前SiC在手订单均为去年两倍以上;

衬底: 天岳先进、三安光电、晶盛机电、天科合达等头部厂家均已满产,部分厂已经开始涨价;

芯片器件: 英飞凌连涨两轮价,新洁能、芯联集成、士兰微、宏微科技等mos产品均已涨10%;

英飞凌二轮涨价和头部衬底厂有望开始涨价,对行业来说是历史性的一刻,从过去的产能过剩到现在的供不应求,AI等需求仅用半年就完全改变了碳化硅行业。

据了解,这次涨价是需求拉动,成本并未上行甚至还有下降,但供不应求促使产业链不得不一再涨价。随着下半年AI电源需求的放量,景气度更将达到空前的高度。

核心(碳化硅占比过半):

天岳先进=以前的胜宏

晶升股份=以前的中际

相关:

设备:新益昌、联动科技等;

衬底:三安光电、晶盛机电等;

芯片器件:新洁能、芯联集成、士兰微、扬杰科技、宏微科技等;

SST: 阳光电源、金盘科技、四方股份等。

以上仅供参考,不作为任何投资建议!

华西中小盘团队卜灿华

全线品种开启涨价模式,功率半导体步入 “需求驱动型”景气上升周期。2026年1月起,功率板块迎来密集涨价函:士兰微对部分器件价格上调10%,新洁能宣布MOSFET产品涨价10%,本轮调价本质由下游需求回暖驱动,而非单纯成本传导,我们认为功率器件行业有望稳步复苏,行业主流公司订单能见度高,板块毛利率修复弹性大。

AI算力成为核心增长引擎,SiC与硅 基MOS价值量双重爆发。2026年AI增量需求斜率进一步陡峭,AI芯片对功率器件等半导体产能形成刚性挤占,技术路径上,前端高压侧全面采用SiC MOS及二极管,后端低压侧大量消耗硅基MOS,SiC与硅基器件在AI服务器中广泛应用。

具备提价权与AI高占比的:中低压领域收入占比高的新洁能、捷捷微电、扬杰科技等;晶圆厂华虹半导体、华润微、士兰微、燕东微;受益于AI服务器的SiC公司天岳先进。

风险提示:下游需求不及预期风险,行业竞争格局恶化风险。

1)Q1全球DRAM市占排名:三星继续领跑,长鑫存储份额升至7.7%

据CFM闪存市场数据显示,三星一季度DRAM销售收入达382.14亿美元,环比增长98.4%,市场份额为40.5%,进一步拉大和其他供应商的份额差距,排名第一。

SK海力士一季度DRAM销售收入达279.25亿美元,因其HBM供应占比较多,总收入环比增长62.1%低于其他供应商,市场份额为29.6%,排名第二。

美光一季度(2025年12月-2026年2月)DRAM销售收入达187.68亿美元,环比增长73.6%,市场份额19.9%,排名第三。

长鑫存储一季度DRAM销售收入达73.09亿美元,环比增长115.1%,市场份额进一步提升至7.7%,排名第四。

2)SK海力士iHBM散热破局,三巨头HBM迭代加速【国海海外】

iHBM散热破局

SK海力士推出iHBM解决方案,通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”,相较传统方案可将热阻降低30%以上。公司计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品,以满足高性能计算、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求。

HBM4/HBM4E存储三巨头竞逐:

-美光HBM4产能爬坡速度较HBM3 12层产品快两倍,核心Die采用1β工艺、基础Die为自研优化,产品将搭载于英伟达下一代AI计算平台Vera Rubin;HBM4E核心Die采用1γ工艺,首次引入EUV,基础Die转由台积电代工,预计2027年量产。

-三星电子基于1c工艺开发HBM4E,计划26Q2出货首批样品,基础Die由自家晶圆代工部门采用4纳米工艺制造。

-SK海力士基于1c工艺开发HBM4E,目标26H2向客户提供样品、2027年实现量产,基础Die继续交由台积电采用3纳米工艺生产。

重要提示:以上信息为公开资料整理,不涉及投资建议及研究观点,仅供参考,本公司不保证其准确性、完整性与时效性;市场有风险,投资需谨慎!

陈梦竹/林臻/辛心然

1)多个龙头停止部分料号接单,MLCC或将迎来缺货潮【华泰电子】

供应链传近期风华高科稼动率已达90%,暂停0402/0603MLCC及电阻接单,另一龙头近期也通知客户暂停0603MLCC接单。当前MLCC产业链供需逐步趋紧,陆续出现原厂稼动率满载、交期拉长甚至停止接单,以及渠道商扫货迹象。

价格端,太诱已率先发起全系MLCC涨价,其他龙头有望在六月逐步落地原厂涨价,微容/宇阳/利和兴等国内MLCC厂已出现对经销商涨价或取消折扣率变相涨价的情况。

我们判断随着下半年Rubin平台量产交付,非AI高容的交付将出现更大缺口,并对消费级中低容形成产能大幅挤压而进一步涨价。

对应两重受益逻辑:

1)日韩龙头层层转产,国内具备量产能力的公司有较大概率承接外溢高中低容订单;

2)供需错配+代理商牛鞭效应将驱动MLCC新一轮价格涨幅超预期。同时建议关注配套电阻电感的涨价机遇!

1)原厂--MLCC:三环/风华/昀冢/利和兴,电阻:钧崴电子,电感:顺络电子;

2)MLCC上游:洁美/博迁/国瓷;

3)经销商:商洛电子/盈方微/云汉芯城等

2)MLCC历史级周期,拥抱高容最强斜率【天风电子】

数据中心功率需求持续增长,元件需求量价齐升:随着对服务器需求的大幅增长,电路设计需要不断提高的元件数量以及性能要求。

以电容为核心,被动元件周期启动 :Murata的BB值连续6个月环比提升,元件接单持续高于库存,MLCC订单需求领先元件平均水平。

三星电机核心供应商,博迁新材最强卡位: 精细镍粉生产工艺壁垒十足!博迁新材PVD技术国内独家,包揽三星未来五年新增需求,增长空间持续拉开。下游持续反馈镍粉紧张,高阶产品占比推高单价。 公司量、价、利;三维齐升!

观点:GPU晶体管密度增加拉高功率需求,供电强度提升意味着大电流,高压差,高功率。技术升级推动电阻、电容、电感同步迈向高阶。

天风电子团队李双亮、高杨

0527半导体硅片逆势大涨,分析原因;芯片制造商联电确定下半年涨价,台积电3纳米下半年喊涨15%明年恐再涨10%,而 半导体硅片是制造芯片最核心、最基础的原材料, 12英寸先进制程/AI专用硅片:明显紧缺,订单排到2027年,价格持续上涨。

科普硅片知识:

1)硅片:高纯度硅制成的圆形薄片,是芯片的基底/载体。

2) 后续在硅片上通过光刻、刻蚀、镀膜等工艺,做出晶体管、电路。

3) 切割、封装后,最终成为我们使用的芯片。

一句话总结:硅片=芯片的“地基”,没有硅片就做不出主流硅基芯片。

此前我们判断量增周期+龙头提价诉求+结构性紧缺共同作用下2026年半导体硅片有望迎来涨价。

参考上轮周期硅片公司股价表现较为前置,因此即使还未涨价,但是海外硅片公司上涨已经足够作为催化带动国内硅片公司,本轮行情已经由左侧转向右侧。

本轮周期的两个特征:

-AI需求的确定性可能使得本轮周期持续时间超过上次,带动周期强度超预期;

-硅光/CPO驱动SOI硅片需求爆发(可以参考磷化铟),海外SOITEC暴涨可映射国内标的。

2)近几天相关公司横盘消化前期上涨,是非常好的布局时点,重掺硅片订单爆满且陆续在兑现涨价逻辑,重掺占比高的公司Q2业绩将显著改善。

3)立昂微:硅片芯片平台型公司,立昂微重掺外延片的技术领先,6-8英寸产品出货量在国内市场名列前茅,12英寸重掺硅片受益于AI服务器的不间断电源需求,12英寸轻掺硅片加速导入客户促进稼动率和正片率提升,功率芯片+射频/光电芯片也迎来拐点。估值:硅片34亿收入13倍PS+功率1.5亿利润40倍PE+化合物半导体100亿,看到600+亿元,仍有70+%空间。

4)上海合晶:硅光/CPO驱动相关SOI硅片市场规模至少3年10倍增长,核心标的SOITEC 26年涨幅8倍,上海合晶有望成为A股最佳映射交易载体,原因包括:1)上海合晶的的I-Cut技术及薄化工艺具备与国际大厂的竞争能力;2)股东台资背景有利于导入台系厂商。

中信证券新材料

李超/陈旺/郭柯宇/俞腾/何鑫圣/陈健/杨博钧

板块复苏主业稳步向上

工业、汽车稳定增长,国产叠加替代逻辑需求向上。TI作为全球模拟龙头,连续两个季度业绩修复明显,大型工业设备和汽车领域的模拟芯片与MCU需求呈现出大幅回升轨迹。公司表示工业元器件需求的复苏覆盖了所有地区和所有细分市场,仍有很大增长空间。国内企业价格优势明显,叠加多年国产化率提升,业绩增长明显。

光通信打造增量

光通信带动超强增量alpha。受益于AI驱动,光模块和服务器市场需求爆发:随着800G/1.6T/3.2T高速光模块升级,高速信号传输、电源管理等环节模拟芯片的用量及性能要求全面提升,拉动电源管理芯片(PMIC/LDO/DC‑DC)、AFE、数据转换器等核心品类需求持续放量,增量空间广阔,龙头公司光通信收入占比不断上修,重视。

模拟板块Q1超预期,预计今年业绩增长持续亮眼。相关:圣邦股份、思瑞浦、纳芯微、芯朋微、南芯科技、富满微等。

风险提示:市场竞争加剧;下游需求不及预期等。

*公开资料整理,仅作为行业分析参考,不构成任何投资建议!