AI链更新：光通信+陶瓷基板 ...

1） 能稳定交付给北美客户的3.4英寸INP衬底紧张。

2）光纤 光棒紧张

3）DCI里要用到的DSP，光纤，高端陶瓷件，高端PCB紧张

4）OCS里包括液晶，透镜等多种物料紧张

5）CPU英特尔5月中下旬会有一次涨价，AMD 6月会有一次涨价。

6） SSD HBM紧张

7）ABF载板及所有上游材料紧张，CPU GPU双重压力，T-Glass供应缺口40%-50%

在亮眼成绩的背后，全球磷化铟（InP）衬底的短缺正成为一道无形的天花板，限制着出货量的进一步增长。

高（Kao）直言不讳地表示：“磷化铟衬底短缺是整个 AI 基础设施的瓶颈，我们预计这一问题在一两年内无法得到解决。”

1）光芯片业绩高增验证AI光互连景气，磷化铟材料瓶颈有望迎来重估。

近期光通信产业链年报及一季报持续兑现高景气，光芯片公司收入及利润实现快速增长，头部光模块厂商订单能见度延伸至2026-2027年，部分客户已开始规划2028年需求，表明AI超节点、万卡集群建设带来的高速光互连需求并非短期脉冲，而是进入持续放量阶段。

光芯片作为光模块核心器件，其业绩高增意味着产业链景气已从下游模块向中上游核心器件传导。

2）InP是高速光芯片的重要材料底座，光芯片放量将强化上游衬底稀缺性。

技术路径上，VCSEL退出1.6T，EML和硅光接力，InP方案占比提升。

光模块路线从 VCSEL→EML→硅光。VCSEL用GaAs砷化镓衬底，EML用磷化铟磷化铟衬底，是当前高速主流；硅光是Si+外挂磷化铟光源，磷化铟用量降到EML的约1/10，属于未来方向。

材料端，根据光芯片龙头Lumentum在OFC大会指引，2025年GaAs占21%、磷化铟路线占79%，预计到2030年变成9%:91%，对未来五年磷化铟磷化铟CAGR指引约85%。

3）行业刺激：磷化铟管制+高纯铟对日限制升级，供给扰动催化涨价，国内供应链渗透率提升，量价齐升

25年2月4日，商务部、海关总署对铟相关物项实施出口管制，磷化铟被列入管制范围，出口需向商务主管部门申请许可。海外磷化铟进入短缺。

26年2月24日，商务部将20家日本实体列入出口管制管控名单，另20家日本实体列入关注名单；关注名单下，出口经营者不得申请通用许可，最终用户、最终用途审查更严，日本住友、日本金属均在关注名单上，日本材料链条压力加大，海外原料高纯铟紧缺，导致磷化铟进一步紧张。

国内磷化铟衬底在国内物料相对宽裕的大背景下，逐步实现国产替代，市占率提升，且磷化铟衬底同步涨价下，国内产业链量价齐升空间打开。

吴晋恺/郑元昊

黄仁勋：下一代AI基础设施将需要大量的光学连接 铜线已无法满足需求

AXT云南锗业继续发力，磷化铟大概在在Q2\Q3释放业绩

汇绿生态因物料保障有利，创历史新高！

除了磷化铟，光芯片是最紧缺环节，持续释放业绩验证双击！

磷化铟出口需要申请许可证，但在中国境内发货不受相关限制。

如果出口管制政策进一步强化，将最利好中国光芯片公司。

5月8日，日本核心厂商确认停供法拉第旋光片，正式引爆光模块上游关键材料的全球性供应危机，直接威胁下游AI算力基础设施的扩产进度。

这一供给侧的突发中断，使得产业链的焦点彻底转向国内，具备从SGGG衬底到旋光片一体化生产能力的企业，因其在解决“卡脖子”问题上的稀缺性和战略价值，获得了极强的定价权和市场重估空间。

因对日稀土断供及Cohr商业策略，国内光模块企业面临法拉第旋片供应紧缺，据传部分一二线光模块公司4月处于完全没有拿货的紧急状态。

原因和现状: 对日稀土出口管制原因导致Granpot拿不到晶体原材料，3月已经停炉，这个月库存基本用完，国内只有前期中际签订合同在履行。

全球法拉第旋转片格局，granpot产能占据30%，而50%产能的cohr和中际新易盛等光模块厂商存在竞争关系不对外销售，国内（飞锐特森一福晶）法拉第旋转片扩产缓慢，主要还是SGGG晶体原因。友商段子里说的一线光模块厂锁定的旋转片出了点问题，4月开始基本拿不到日本的旋转片，如果不能解决的话，二季度可能继续miss。

定性框架角度，旋光片环节有望复刻光纤涨价路径

利好两类公司，第一是法拉第旋转片生产商，第二是物料有保障光模块公司。

相关：福晶科技（SGGG衬底到旋光片一体化，国产替代核心）、东田微（具备旋光片潜在产能）、光电股份（偏振片国产突破且旋光片在研）、新易盛/中际旭创（供应链优势强的头部模块厂）等。

我们认为字节阿里腾讯AI投入信心很足，围绕此背景下无论是NV还是国产芯片等也有望提升出货量。

我们认为除了市场关注的算力芯片、半导体，通信里面好的方向和有行业预期差的很多，5月份重点关注：

国产光模块需求有望超预期增长。我们观察到，国内800G需求在翻倍提升，1.6T需求也有望出现。光模块企业也在积极扩产，甚至已经开始为明年准备物料；同时明年预计出现不少1.6T需求。

1）国产光模块：华工光迅等；物料端需求也较为迫切，

2）旋光片：行业仍然紧缺，大家加紧备货，涨价在即：福晶科技、东田微；

3）国产光芯片：源杰、长光、仕佳、永鼎；

4）MSAP订单增加，800G/1.6T需求迫切，红板科技/方正/深南/鹏鼎/景旺等；5）DSP：Maxlinear。

国产光纤需求有望大幅增长。我们观察到，阿里腾讯字节国内网络架构逐步从多模转向单模，随着光模块需求量大幅增大，招标量也在大幅提升。我们预计国内云厂商市场需求今年起有望超过4000万芯公里，AI收入占比大幅度提升。相关：长飞/亨通/中天，以及国内MPO主要参与者：特发等。

国产设备增量机会突出，芯片渗透率加速提升。Q2以来交付进度整体加速，3、4月份环比增长突出，其中Scale out侧与光模块需求同步增长，预计TH5、TH6需求将超预期，同时此前Q1面临的交换芯片交付紧张的问题进入Q2后也在明显改善，预计进入H2交付规模将进一步提升。同时Scale up侧是重要增量，拥有全栈能力的整机厂商和解耦架构独立tray部分供应公司都将迎来机会，预计Q2开始有所交付，H2进入全面量产。因此我们预计Q2是业绩斜率最显著的季度，同时今年的H2更有看点。

相关：1）交换机/服务器：锐捷网络，紫光股份，华勤技术，菲菱科思等；2）存储：大普微；3）交换芯片：盛科通信；4）ASIC芯片：翱捷科技；5）PCIE芯片：万通发展；

IDC、算力租赁链均有望受益。配套超预期增长的需求，我们预计后续IDC也会持续落地大规模招标，同时25年高速交付的IDC资源在26年也将在业绩端兑现，IDC公司进入需求和业绩同步共振向上的阶段；同时，算力租赁也是重要供给支持，业务模式升级带动盈利能力变化，市场份额向头部厂商集中。相关：东阳光、润泽科技、奥飞数据、润建股份、光环新网、宏景科技、协创数据等。

康宁+NV指引中长期AI光纤需求、长期看好光纤成长性。

Scale-up“光入柜内”形成强指引，数通光纤需求将扩大数倍，供需缺口有望长期持续。

行业层面，产能挤占与外溢、海外光棒扩产刚性、国内产能受益量价齐升等逻辑不变。

康宁、长飞；以及光纤领军、中天科技、烽火通信等。

光通信持续看好，美股财报+订单+技术变革等催化，同时光芯片供需缺口加剧及硅光CPO持续上修等因素叠加。

看好硅光/CPO等布局的光芯片光器件/二三线光及垂直整合相关。

相关：仕佳、长光、永鼎、源杰、光库、华工、东山等。

申万宏源通信团队 李国盛/刘菁菁/郝知雨/陈力扬等

1）作用：在光模块中的作用是耦合器件，将激光器发出的发散光聚焦到光纤中，减少光损耗。

2）用量：800G需要16颗、1.6T需要32颗，未来CPO方案需要更多，导致目前产能缺口30-40%

3）价格：硅光透镜1-2美元/颗，球面透镜约2元人民币，价值提升3-7倍，紧急单加价10-20%

4）苏纳光电全球龙头未上市，炬光科技、蓝特光学、宇瞳、开勒股份收购的威泰思有相关业务。

1）带宽跃升是核心驱动力

随着光模块从800G→1.6T→3.2T演进，单波速率从100Gbps提升至200Gbps乃至400Gbps，对应的电信号传输带宽从28GHz跃升至112GHz+。高频信号对基板材料的尺寸稳定性、CTE提出极为严苛的要求，Low CTE成为刚需。

2）封装架构变革放大材料需求

第一代CPO：采用CoWoS封装，树脂基板尺寸在100×100mm以内，电传输为厘米级，封装密度低、射频损耗大。

未来趋势：硅光引擎直接放置于中介板上，电传输缩短至毫米级，封装密度大幅提升。中介板的热门技术路线为TGV玻璃基板+PSPI积层结构，该架构对基板与中介层材料的CTE匹配度要求极高，必须采用Low CTE材料以避免热应力导致的可靠性问题。

3）3.2T节点明确锁定Low CTE高速材料

3.2T光引擎必须使用Low CTE高速材料，同时其下方的承载板PCB也需要对应的高速材料。这意味着Low CTE材料的需求将从光引擎基板向下渗透至整个封装层级（包括载板）。

4）市场格局

传统高速材料市场由松下，斗山、台光等厂商占据优势份额，传统low CTE材料市场力森诺科，三菱瓦斯等占据绝对主导地位，但是low CTE 高速材料目前还处于早期导入阶段，竞争格局不明晰。新材料导入存在验证周期长、可靠性风险高等障碍，但一旦3.2T NPO方案进入批量阶段，Low CTE材料将成为供应链卡位关键点。

目前国产材料厂家还处于low cte材料导入初期，仅有生益科技、广东盈骅等少数几位玩家具备市场竞争力，同时Low CTE高速材料还将大规模扩张T布的市场应用空间，利好国产T布厂商宏和科技（已经通过力森诺科，三菱瓦斯等认证）。

-Lumentum 收入同比+90%，环比+21.5%；利润同比+315%，环比+89%；

-Coherent收入同比+20.5%，数据中心业务环比+13%；eps 同比+55%，环比16%；

-AAOI收入同比+51.3%，环比12.5%；利润同比环比亏损扩大（扩产）

同时，对比一组数据：

-我们预测，2026年全球数据中心光模块市场约400亿美金，同比25年增长150%-160%；

-中际旭创一季度收入同比+192%，环比+47

3%；利润同比+262%，环比不参考，费用有波动

结论：

-26年行业增速150%-160%，占全球市场份额40%+的中际旭创有望全年210%的增长；占全球市场份额20%+的新易盛有望达到行业平均增速，那剩下30%+份额总体会低于行业平均增速，个别甚至不到100%，从coherent和AAOI一季报中可以看到一些端倪；（lumentum主业光芯片，是光模块上游，业绩爆发性更强）

-为什么是这个格局？核心是物料，而且这个影响将贯穿26-27年。我们预计中际旭创凭物料优势将持续超越行业增速，新易盛Q2物料压力将大幅缓解，26-27年光模块行业市场集中度将进一步上升，旭创/新易盛一线龙头优势明显， 目前估值倒挂严重。

-Lumentum、Coherent和AAOI业绩表现将大幅好于往年并有很强持续性，前期股价涨幅是合理的；但市场预期也在走高，三家公司绩后股价表现就是反应预期和增速的短期失衡；

-这种失衡在A股的二三线公司中也有体现，Q1市场统一选择原谅，建议投资者密切跟踪相关公司Q2、Q3物料备货及业绩兑现情况

风险提示：产业发展不及预期

JP摩根（26/05/08）

- 核心判断：Lumentum在scale-across、OCS和1.6T光模块三条线上同时受益，AI集群网络架构升级正在把需求外溢到高份额光组件。

-关键数字：公司在泵浦激光器和ITLA等scale-across组件上的份额部分可达70%-80%，计划4-6个季度内把相关产出扩至当前收入的3-4倍。

- 关注点：OCS的4亿美元F1H27 backlog交付、double-digit涨价落地、6英寸迁移和新fab需求，以及收发器毛利率改善路径。

JP摩根会后纪要显示，Lumentum管理层对scale-across机会的判断比几周前更积极。公司在泵浦激光器、ITLA等关键组件中的份额很高，部分场景达到70%-80%，因此AI网络需求上行会直接拉动其组件业务。当前相关收入约每季度5000万美元，公司计划在4-6个季度内把产出能力提升到当前的3-4倍。供需不平衡也改善了定价环境，管理层表示公司正推进双位数涨价，并且对需求可持续性有信心，因为已经看到放大器和pluggable部署的可见度。

OCS方面，公司重申有信心执行F1H27的4亿美元backlog。虽然OFC之后制造爬坡略慢，主要受基础零部件采购和测试时间影响，但相关瓶颈已逐步解决。

产品路线会分为训练用高radix、推理用低radix和scale-up用小radix三类，目前只有其中一个用例进入部署阶段，软件能力仍是差异化来源。EML和收发器业务虽受到部分垂直整合影响，但幅度不大，内部激光预计只占收发器量的20%；1.6T单一主客户地位和Google Virgo等新架构仍支持需求。利润率层面，收发器毛利率仍在20%+、低于同业约40%，但管理层看到提升至30%+的路径，后续驱动来自成本、价格和高毛利组件mix。

5月8日市场最新变化是，英伟达Rubin平台高达2850W的功耗被明确指向必须采用陶瓷基板作为散热方案，这一定性判断将该材料从可选升级项变为刚需。投资上，这意味着AI硬件供应链的关键瓶颈已从封装（CoWoS）向上游材料扩散，具备高端陶瓷基板量产及客户认证能力的厂商将迎来由国产替代和需求爆发驱动的双重逻辑。

苏奥传感/科翔股份/中瓷电子/天和防务（核心受益于英伟达Rubin功耗激增带来的陶瓷基板刚性需求与国产替代逻辑），胜宏科技/沪电股份（AI PCB核心供应商，直接受益于Rubin平台备货放量），生益科技/中国巨石/铜冠铜箔（上游覆铜板、电子布、铜箔等核心材料因AI服务器需求出现供需缺口，迎来涨价周期）

在NV产品体系的应用逻辑：

1）NV新一代芯片功耗大幅提升，Rubin功耗达2850瓦，Ultra功耗达3000瓦，传统PCB为环氧树脂体系，高温下易融化翘曲，且高频信号传输完整性不足；

2）当前明确技术路线为HDI中PCB与陶瓷基板混压，并非完全替代PCB：在高电流、热量集中的区域用陶瓷基板替代，高精密电路部分仍使用PCB；当前一代产品可以接受的程度，陶瓷基板对PCB的替代比例约为30%，未来随芯片功耗提升，替代比例将逐步上升；

3）作用：60%用于提升散热能力，40%用于保障高频信号传输的完整性。

AI服务器场景：

1）GPU底部区域：陶瓷基板成本为HDI PCB的18-20倍，使用混压方案后，整体板卡价值量提升30%-35%；仅高发热区域使用，并非全覆盖；

2）正交背板区域：陶瓷基板成本为普通PCB的8-10倍，混压后整体板卡价值量提升20%-25%；仅在电源层和地层替换，替换层数约为2-3层。

CoWoP封装场景：

1）技术方案：将原6-8层ABF载板的中间core层替换为HTCC工艺烧结的多层陶瓷基板，外部再压合ABF载板，整体变为“陶瓷core层+4层ABF”结构；

2）价值量变化：陶瓷基板占混压后载板总价值量的65%-70%，ABF占30%；整体载板采购成本相比纯ABF方案提升70%-80%，但可解决ABF层叠后的板翘、流胶问题；

3）竞争格局：目前仅日本京瓷实现该工艺量产，国内暂无企业具备相关技术。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！