半导体更新 ①光刻机巨头阿斯...
发布者:乐晴
①光刻机巨头阿斯麦发布一季报,隔夜跌2.41%。
②美股存储回调,希捷跌2.59%、美光跌2.03%。
③佰维存储业绩披露:一季度净赚近29亿,净利环比增252%。
④模拟芯片龙头德州仪器4月22日将发一季报。
【财务概览】
1)公司当季营收87.7亿欧元(环比-10%),处于此前公司指引82-89亿欧元的上沿,且高于彭博一致预期的86.9亿欧元。
2)公司当季毛利率53.0%(环比+0.8ppts),处于此前公司指引51%-53%的上界,且高于52.2%的彭博一致预期。
3)公司当季净利润27.6亿欧元(环比-3%),高于25.6亿欧元的彭博一致预期。
4)业绩指引:(a)公司预计26Q2营收84-90亿欧元,低于90.7亿欧元的彭博一致预期;预计毛利率51%-52%,低于52.5%的彭博一致预期。(b)公司预计2026年营收360-400亿欧元(原指引为340-390亿欧元),指引中值持平彭博一致预期的380亿欧元;维持预计毛利率51%-53%,指引中值低于52.6%的彭博一致预期。
【营收拆分】
1)按两大部门拆分:设备收入63亿欧元(环比-17%),服务收入25亿欧元(环比+17%)。
2)设备销量按产品拆分:EUV销售16台(环比+2台),收入占比66%;ArFi DUV销售17台(环比-20台),收入占比23%;其他DUV和检测量测机台销售46台(环比-5台),收入占比11%。
3)设备收入按下游应用拆分:存储收入占比51%、逻辑收入占比49%。
4)设备收入按地域拆分:中国大陆占比19%(环比-17ppts)、中国台湾占比23%、韩国占比45%、美国占比12%、其他占比1%。
ASML公布1Q26业绩,1Q26营收87.67亿欧元(同比+13%/环比-10%),符合彭博一致预期;毛利率53%达指引上限;净利润27.57亿欧元,超彭博预期7.7%。
FY26全年收入指引上调至360-400亿欧元(前值:340-390亿),毛利率指引51%-53%不变。核心看点:1)韩国区销售28.26亿(同比+23%,环比+69%,占比45%)创单季单地区历史新高;中国大陆11.93亿(环比-56%,占比19%)回归正常化,但MATCH法案等政策风险值得关注。
☀ 韩国出货爆发验证存储超级周期
韩国地区收入同比+23.1%/环比+69.3%,占比环比+23pct。与此对应,Memory终端占比51%(4Q25仅30%),EUV占比达66%。三组数据指向同一驱动力:韩国存储客户加速向1c/0A节点迁移,DRAM EUV层数增加叠加HBM扩产刚需。韩国1Q26年化113亿欧元,接近FY25全年61亿欧元的近2倍,印证我们此前#“DRAM的EUV光刻强度提升是2026年核心驱动力” 的判断。
☀ 中国区收入占比同比-8pct回落至19%
占比符合预期且基本回归正常化水平,中期关注MATCH法案风险。 但美国MATCH法案若通过,可能进一步限制对华DUV销售和服务,按1Q26年化中国仅48亿欧元(FY24的54%),若法案落地仍有下行空间。管理层已在forward-looking中明确提及出口管制和关税风险。
☀ 全年收入指引上调确认增长可见度
FY26收入指引上调20-10亿欧元,2Q指引84-90亿欧元,环比基本持平。产能方面,2026/2027年Low NA EUV目标分别至少60/80台,NXE:3800E升级至230 WpH。大客户已安装首台High-NA EXE:5200。 自本季度起不再披露订单数据 (参考4Q25订单131.6亿)。公司维持2030年收入440-600亿欧元/毛利率56-60%不变。
黄乐平 / 陈旭东 / 于可熠
事件:佰维披露26年一季报,26Q1实现营收68e,同增342%。实现归母净利润29e,Q1业绩大爆发。
看好几大核心逻辑,库存逻辑,Q1公司库存水位120e,环增42e。同时库存结构中仍具备充足低价货源,在行业上行周期中提供充足利润弹性。
拿货逻辑,公司已与原厂签订2年15e美金保供,保供协议于Q1末生效,公司Q2库存有望持续环增,在供需紧张情况下利好公司市占率提升。#先进封装逻辑,先进封测产能持续扩产,品类持续拓宽。
我们看好存储在26年进入高景气周期,且存储周期有望持续至27年上半年。
看好26年合约涨价超预期及下游需求超预期。涨价的前提是需求持续,而近期各类新模型和新应用的落地,全球大模型Token调用斜率日渐抬升,很有可能在未来某个时间带来存储需求再一次爆发的奇点。行业正在从周期走向成长。
国金电子樊志远团队 周焕博/应明哲
德州仪器4月22日发一季报。
在BCD产能紧张、国内外部分厂商涨价的背景下,模拟芯片价格环境改善,成本规模优势和丰富的产品有助于模拟芯片头部厂商份额提升。
全球模拟芯片处于周期向上初期,2025年下半年全球所有下游去库完成,TI、ADI近期法说会口径乐观,均预计一季度淡季不淡。
随着各下游去库存完成,行业恢复采购,国内模拟芯片公司近几年研发的【新料号有望迎来规模导入期】,同时竞争格局好转带来毛利率趋稳,叠加控费,收入端改善有望传导至【利润端改善】。
模拟芯片设计企业:圣邦股份、思瑞浦、纳芯微、杰华特、南芯科技、艾为电子、晶丰明源、芯朋微、帝奥微
晶圆代工龙头:中芯国际、华虹半导体
情绪上:近期先进封装和测试设备领域,不断有催化,包括盛合晶微即将上市,长电科技资本开支新高超预期,海外测试设备龙头泰瑞达近期创新高,爱德万即将新高,情绪上不断升温。
先进封装领域:
1)逻辑领域,先进封装能有效弥补国内的制程瓶颈;存储领域,无论3DNAND,还是HBM,均是向垂直方向发展,提高集成度。
2)资本开支持续上行,较多本土的封测厂商积极布局,同时也有较多新兴的厂商也在积极投入,持续下单;并持续高Capex投入扩产,具备承接需求爆发的基础。
测试领域,AI和HBM驱动测试设备的测试复杂度大幅提升,测试时间拉长,测试节点也向晶圆、封装后的SLT等拓展,测试环节设备通胀,爱德万、泰瑞达的业绩即是印证。
近期跟踪下来,包括长电科技等封测厂资本开支增长,海外设备交付周期拉长,国产替代也在持续推进,部分国产封装设备公司和测试设备公司订单均创新高,供不应求,部分市占率低的环节如SoC测试机也在持续推进验证。可重点关注相关先进封装设备和测试设备公司。
封装设备
骄成超声,3D超扫进多个龙头客户,Q1整体订单高增
芯碁微装,直写光刻设备,Q1业绩预告超预期,半导体订单放量
芯源微,先进封装订单超预期+第四代Track验证取得关键进展
德龙激光,激光划切大客户突破
快克智能,热压键合推进验证
新益昌,固晶机订单新高
测试设备
华峰测控,Q1订单新高,SoC持续推进
长川科技,订单业绩持续释放
精智达,存储测试机持续放量
我们在美国会见了 30 多位投资者,讨论韩国科技板块。我们在本报告中总结了他们的反馈。相比亚洲投资者,对内存行业的看法更为分歧,多头与空头之间存在激烈讨论。
长期协议(LTAs)是关注的首要问题,投资者对其普遍持较为负面的看法,普遍认为这些协议难以具有约束力。对传统内存和 HBM 的定价看法总体上较为正面,预计进一步上行空间。
尽管我们与美国投资者的讨论中对三星电子(SEC)和 SK 海力士(Hynix)的关注度都很高,但相较于 SK 海力士,投资者对三星电子的偏好略高。我们重申对三星电子和 SK 海力士的买入评级。
1. 行业观点分歧加剧
- 对内存行业的看法比亚洲更分裂:投资者的兴趣高度集中在三星电子和 SK 海力士,而与我们最近在亚洲的推介行程相比,对内存行业的观点分歧要大得多。
这表明,相对于亚洲,可能有更高比例的投资者对韩国内存股的股价前景持悲观看法。
2. 空头论点
- 看空论点:看空者的主要论点包括,如果内存价格增长很可能从2026 年第二季度开始放缓,并在 2026 年下半年更加明显,那么这些股票如何还能上涨。
- 一些投资者提到价格可能从2026 年底或 2027 年初开始环比下跌,如果情况属实,则认为很难对这些股票持乐观态度。
- 由于我们已经接近历史峰值利润率,利润率上行空间可能有限,这也是被普遍引用的看空理由之一。
- 目前正在讨论的长期合同(LTA)也被提及为周期见顶的迹象,因为在其他行业中,这类协议往往在周期接近顶点时被讨论。
- 智能手机 / 个人电脑需求可能受挫,以及供应商对资本支出可能变得更激进,这些也被列为对内存领域持谨慎态度的原因。
3. 多头论点
- 多头观点:多头的主要论点是,价格增长放缓已被充分理解,这一需要改变这种看法,因为存储厂商的盈利能力相比以往任何周期都处于另一个层面(例如,三星电子以 2026 年第一季度营业利润单季度就已高于其在 2017-2018 周期中所产生的年度平均利润,该周期通常被视为在当前周期之前最强劲的)。
- 这意味着此次的股本回报率(ROE)相对于市净率(P/B)应当显著更高,而且这些存储公司的账面价值将快速复合增长,即便以市净率衡量也会使估值倍
3. 多头论点
- 多头观点:多头的主要论点是,价格增长放缓已被充分理解,这一需要改变这种看法,因为存储厂商的盈利能力相比以往任何周期都处于另一个层面(例如,三星电子以 2026 年第一季度营业利润单季度就已高于其在 2017-2018 周期中所产生的年度平均利润,该周期通常被视为在当前周期之前最强劲的)。
- 这意味着此次的股本回报率(ROE)相对于市净率(P/B)应当显著更高,而且这些存储公司的账面价值将快速复合增长,即便以市净率衡量也会使估值倍数显得具有吸引力。
- 盈利能力应当显著更强,并且长期协议(LTAs)可能具有更具约束性的性质,这将带来更高的需求 / 盈利能见度并减少相较过去的波动性,从而使存储板块的估值倍数可能得到重估。
- 此外,这还暗示在股东回报方面存在更大空间,无论是通过派息还是回购,鉴于这些公司预计将产生可观的自由现金流,股东回报率都可能显著提高。
4. 传统存储器价格的预期
- 对传统存储器价格的预期:投资者普遍认为 DRAM 和 NAND(尤其是后者)的价格在近期应继续上涨。
- 我们接触的每位投资者都清楚2026 年下半年 DRAM 和 NAND 的价格增长将放缓,而对2027 年价格的看法则略有分歧,但大多数人预计价格将趋于持平或略有上行。
5. 对长期协议的一般负面看法
- 对长期协议的一般负面看法:我们交谈的投资者对长期协议(LTAs)普遍持负面看法,他们指出在其他行业中,LTA 讨论的开始往往意味着上行周期的结束。
- 此外,投资者对 LTA 的可信度较低,因为我们在存储器行业中尚未真正看到这些协议起作用,客户经常在协议上反悔,这通常导致下行周期。
- 我们对 LTAs 的看法更为积极,鉴于供应商正极度紧张地发起 LTA 讨论,而非供应商发起,因此除非条款对供应商更有利,否则供应商不太可能轻易同意这些 LTA。
- 此外,我们认为供应商从过去的经验中吸取了教训,因此很可能会倾向于包含预付款、联合投资、价格下限等条款,这将使 LTA 相较于过去更具约束力。
- 我们预计将在韩国内存厂商即将发布的财报电话会议后听到这些 LTA 的更多细节。
6. 内存优化并非主要担忧
- 内存优化并非主要担忧:关于内存优化(例如 TurboQuart)可能带来的需求下行的质疑和担忧相对较少,因为我们交谈的大多数投资者认为在这种情况下将适用杰文斯悖论,并在长期内导致可寻址市场(TAM)更快增长。
- 少数客户还指出,所有主要超大规模服务商的活跃内存采购保持不变,且这些客户都已承认内存优化不一定会实质性地影响整体需求。
7. 对意外供应与中国供应的担忧
- 对意外供应的担忧有限,但投资者仍在核实来自中国的潜在供应:鉴于投资者理解在未来 12-18 个月内几乎没有足够的洁净室空间来显著增加晶圆产能,对意外供应的担忧并不大。
- 与此同时,投资者想了解 2028 年投产的供应是否足以引起行业潜在的供应过剩,也想了解中国在 DRAM 和 NAND 方面是否会有任何实质性产能投产。
- 还有若干问题涉及市场份额领先者三星电子的潜在进军策略,要涉及该公司相较同业有充足的洁净室空间。
8. 潜在的 HBM4 市场份额上行对三星电子有利
- 潜在的 HBM4 市场份额上行对三星电子有利:鉴于媒体报道称某些供应商在 HBM4 上可能存在问题,许多投资者询问各供应商间 HBM4 市场份额的潜在上行空间。
- 普遍观点是,基于有关高速(11Gbps)HBM4 放量的积极报道,三星电子在 HBM4 市场份额方面很可能拥有更大的上行空间。
- 然而,一些投资者认为 HBM 的重要性并不那么高,因为由于过去几个季度价格大幅上涨,传统 DRAM 的投入 / 利润驱动级增长,而 HBM 目前只占较小的部分 DRAM 收入 / 利润。
9. 2027 年 HBM 价格上行空间
- 鉴于传统 DRAM 价格强劲,部分客户认为 2027 年 HBM 价格存在上行空间:鉴于当前传统 DRAM 持续强劲的定价,2027 年 HBM 价格可能有上行空间。
- 我们也相信 HBM 定价可能会出现有意义的上行,除了传统 DRAM 定价,我们认为 HBM 定价已超过 HBM3E 的价格水平,并且我们预计到今年年底将接近 HBM4 的价格水平,明年 HBM4 价格将出现可观的上行。
10. 三星电子 vs SK 海力士
- 三星电子与 SK 海力士:虽然投资者对三星电子和海力士的兴趣都很高,但根据我们与美国投资者的讨论,相较于海力士,投资者对三星电子的偏好略高。
- 对三星电子的偏好常归因于其更大常规存储暴露、对 SEC 的更有利杠杆 / HBM 追赶故事以及股东回报的更快上行前景。
- 与此同时,偏好海力士的投资者则表示,海力士具有更高的高带宽内存(HBM)的敞口,可能带来的估值上行空间。许多投资者也询问了相关标的的估值进行时间点以及 ADR 上市,链相关标的,以及这两家公司在其中的角色。
- 同时,一些投资者对现在的累积这两只股票持谨慎态度,原因是持续的宏观风险(如中东冲突、油价高企、利率等)以及潜在长期协议(LTAs)条款尚不明确。
*公开资料整理,仅作为行业分析参考,不构成任何投资建议!