半导体更新：存储+先进封装+S...

①美光拟18亿美元收购力积电台湾晶圆厂，为了快速扩充2027年后DRAM产能。

②存储巨头SK海力士计划最早于今年推出HBF1样品，HBF最快明年供货英伟达，到2038年左右HBF市场将超过HBM市场。

③我国芯片制造核心装备取得重要突破，首台串列型高能氢离子注入机成功出束，核心指标达到国际先进水平；西电郝跃院士张进成教授团队将材料“岛状”连接转原子级平整“薄膜”，提升芯片散热与性能，基于此技术制备出氮化镓微波功率器件。

④澜起科技公告称，2025年净利同比预增52%-66%，互连类芯片出货量显著增加。

⑤美国商务部长卢特尼克16日威胁韩国等存储芯片制造商，如果不承诺增加在美国本土的生产，或将面临最高100%的关税。

事件催化：

1）台积电指引超预期： 25Q4业绩全线超预期，AI业务25-29复合增速上调至55%-59%，并指引2026年Capex高达520-560亿美金（大超市场预期）。

2）美光买厂（注意是买厂而非建厂）： 拟18亿美元收购力积电台湾晶圆厂，为了快速扩充2027年后DRAM产能。

3）架构升维： 英伟达BlueField-4架构与Engram等新型存储优化方案加速落地，AI对存储的需求从单一向全品类扩散。

台积电Capex锚定算力景气，美光买厂验证供给刚性+需求高景气度

-台积电超预期的资本开支指引再次验证AI需求，表明先进制程产能即使在2026年仍将维持紧平衡。

-处于产业链下游的美光选择直接收购现成晶圆厂而非新建，信号极强：#原厂预判未来两年DRAM产能缺口巨大，#时间成本已高于资金成本。存储正处于“价格由供给决定”向“价值由需求决定”的切换窗口，此前我们多次强调存储叙事将在26年发生变化。

2）BlueField-4与Engram落地，存储市场规模或迎二次爆发

市场此前仅聚焦HBM，忽视了架构演进带来的结构性增量。

英伟达BlueField-4 DPU通过管理海量NAND池，实质上将NAND从冷存储升维为温内存，极大地打开了企业级eSSD的市场空间；同时，Engram等技术方案优化了显存与内存的数据交互效率，进一步催生了对大容量DRAM作为中间缓冲层的刚性需求。

意味着AI存储的需求逻辑已从HBM单点突破演变“HBM+DRAM+eSSD三维共振”，行业天花板被物理架构重新定义。

3）供需剪刀差闭环，配置价值从周期走向成长。

当前存储行业正面临AI虹吸效应：高端产能被AI服务器锁定，叠加架构升级带来量价齐升，我们判断存储进入技术迭代与资本开支双轮驱动的成长性赛道。

存储模组：开普云、闪迪、香农芯创、国科微、德明利、佰维存储、时空科技；

存储芯片：帝科股份、兆易创新、普冉股份；

SSD企业级解决方案：同有科技；

上游&设备：雅克科技、拓荆科技、中微公司、长电科技、神工股份。

风险提示：下游需求不及预期。

东北计算机：赵宇阳

我们在去年11月提到，存储上半场逻辑是涨价，下半场逻辑是量价齐升，核心看好整个存储产业链成长性。

第8场要点更新：

1) 原厂价格：非利基型存储Dram26年季度23%/15%17%/持平；Nand 20%/12%/15%/持平微增，其中服务器和汽车电子部分可达30%以上；利基型Dram预计10%/6%/4%-7%/持平微增，nand 7%/5%-6%/7%/微降；2025Q4合约最终Dram32%，Nand28%；模组厂涨价背景下毛利率增幅至少12-13%；

2) 库存：模组Dram目前仅1个月，Nand 1.5个月，原厂+代理商Dram 2个月，Nand2.5个月；

3) 扩产周期：新建需要1.5-2年；现厂扩设备需要6个月；转产需要3-4个月（目前各大原厂还在规划，大概率用后两种，低端产能放弃的时间还在推迟，从12月底推迟到2月）

4) 终端品类：服务器Dram全年分季度涨幅32%/20%/23%；Nand 27%/15%/20%。

5) 封测：传统封测价格涨幅在10-20%，先进封测20%-30%；

6)合约：CSP最长可以半年，手机厂季度；部分CSP现已签约（AWS、Google），Oracle尚未；

核心统理（不构成投资建议）

原厂：美光、海力士、三星

模组：闪迪、香农芯创、开普云、德明利

芯片：帝科（Q4利润超预期）

设备&封测材料等：雅克科技、佰维存储、长电科技、华源控股

赵宇阳/廖岚琪

逻辑重构：

1）需求侧：AI模型持续迭代，应用持续落地拉动存储需求激增；

2）供给侧：存储厂商格局固化，两家韩国企业（内部不恶性竞争）与两家美国企业（战略地位稳固），存储行业共识稳供给、保价格。

细分赛道逻辑：

1）DRAM(HBM/LPDDR)：与GPU/CPU深度耦合，打破内存墙限制，直接决定模型参数上限。作为AI核心算力要素，其供需逻辑独立于传统周期，占据AICapEx份额稳步提升，享有高技术门槛带来的估值溢价。

2）NAND(eSSD)：随着多模态模型及RAG(检索增强生成)架构的普及，海量冷热数据的吞吐需求激增。产品结构向QLC大容量、PCIe6.0高性能演进，需求将随模型参数与用户量的双重增长而持续扩张。

核心梳理：

1）SKHynix(SK海力士)：在HBM3e/4领域拥有绝对先发优势，深度绑定NVIDIAGPU，是AIDC核心高溢价标的。

2）Micron(美光科技)：美国唯一的DRAM龙头，HBM扩产策略激进，具备显著的业绩弹性。

3）SamsungElectronics(三星电子)：存储行业巨头，制造规模庞大。NAND领域统治力稳固，HBM领域加速追赶验证。

4）Sandisk(闪迪)：NAND核心，NVBlueField4架构强化NAND在AI领域中的核心地位。

风险提示：竞争加剧，数据中心资本开支不及预期

据韩国经济日报等外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。

该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。

据“HBM之父”韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩透露：“三星电子和闪迪计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。”

“由于在研发HBM的过程中积累了丰富的工艺和设计技术，能将这些经验应用于HBF设计中。因此HBF技术的研发速度会更快。”

HBF即高带宽闪存，其结构与堆叠DRAM芯片的HBM类似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。金正浩认为，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。

金正浩指出待迭代至HBM6，HBF将迎来广泛应用，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。他预测，2至3年内，HBF方案将频繁涌现，到2038年左右，HBF市场将超过HBM市场。

随着AI需求不断加大，如今各存储厂商正纷纷扩充产能。

美光科技被曝拟以18亿美元从力积电收购其位于中国台湾的一处晶圆厂设施，并计划在交易于第二季度完成后分阶段提升DRAM产量。美光预计，该交易将在2027年下半年带来显著的DRAM晶圆产出。

另有三星电子透露，已将泰勒晶圆厂原规划的每月2万片晶圆提升至每月5万片晶圆，初始制造计划最早在今年第二季度启动。

国内封测主要交易的内容除先进封装资本景气度提升，资本开支出现显著增长外，第二个重要逻辑就是海外无论是对先进ai芯片，还是存储芯片的封测正面临涨价。

目前，从封测厂扩产的设备交期角度出发，测试设备是交期最久的，爱德万的93k交期已至8-12个月。因此，osat委外测试比例短期将提升，对于第三方测试厂的产能将面临进一步结构性短缺。#涨价已开始逐步成趋势，短期难以缓解。每轮半导体周期上行时，第三方测试厂均将爆发充足利润弹性（涨的价格转化为利润）。

从海外产业链趋势上来看，ai芯片热功耗持续提升，为确保芯片功能正常，需要额外进行老化及slt测试，这进一步提升了芯片测试需求。Blackwell的测试成本从Hopper的53美元增加到95美元，展望Rubin将进一步提升。这一通胀对国内厂商也适用，带来测试及分选数倍增量需求。

建议关注：

第三方测试厂：利扬芯片，伟测科技

测试设备：金海通，长川科技，联动科技

先进封装：长电科技，通富微电，佰维存储

测试耗材：强一股份，和林

随着台积电Q4超预期，SiC（碳化硅）板块作为核心映射集体大涨，其中天岳先进、三安光电、宇晶股份纷纷涨停，晶升股份、晶盛机电等也大涨。

1）为什么台积电在A股的核心映射是SiC

因为SiC有望成为CoWoS先进封装的新一代核心材料，这是A股产业链第一次有望深度参与台积电最核心环节。

很多领导没听过我们路演，我们将核心逻辑简单梳理一下：

1）为什么最近关注先进封装？

功率上升热量激增➠热堆积产生翘曲、裂纹➠CoWoS良率低产能严重不足➠先进封装扩产涨价

2）为什么原有材料不行？

硅热导率低硬度低➠热堆积更严重，翘曲裂纹更易发生➠从CoWoS-S转到L，做小牺牲性能实现量产➠B系列用L依然翘曲➠硅材料已经达到瓶颈

3）为什么选SiC？

-热导率高：500高于硅130、玻璃5，散热更快；

-硬度高：莫氏硬度9.5高于硅7，应力表现更好；

-可行性高：金刚石等没法光刻刻蚀，SiC数十年芯片工艺积累。

综合来看换SiC基本已是确定性趋势，从市场炒的液冷、先进封装，也都能看出这个趋势。

需求量是现有供给的三倍，产业链正十分积极推进，重视产业大趋势。

相关梳理（不构成投资建议）：天岳先进、晶升股份、晶盛机电、三安光电、通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份等。

华西中小盘 卜灿华

COWOS先进封装：碳化硅热导率比硅高出2-3倍，应用于中阶层能提高芯片散热效率，有望成为COWOS中的关键材料。

AIDC电源：柜内功率持续提高，柜外电源英伟达逐步采用sst+800hvdc供电架构，碳化硅在高压环境下能显著提高效率。

AR眼镜：碳化硅具有良好的折射率，能制作出更轻薄的镜片，产业内正积极推动光波导技术+碳化硅基材作为AR眼镜的下一代显示解决方案。

台积电将2026年capex上调至520-560亿美元，AI产业趋势明确，技术不断迭代。

相关公司：天岳先进（衬底）、三安光电（衬底+外延+芯片）。

风险提示：下游需求不及预期；市场竞争加剧。

国投证券电子团队

事件：英伟达计划在新一代GPU芯片的CoWoS工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计2027年导入。

英伟达高阶GPU均采用CoWoS结构，后续高性能版本散热需求更高。

英伟达GPU芯片从H100到B200均采用CoWoS封装（芯片-晶圆-基板）技术。CoWoS通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着GPU芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。

SiC凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升CoWoS结构散热并降低封装尺寸。

①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到490 W/m·K，比硅高出2–3倍，是高性能CoWoS结构中介层的理想材料。

②与硅中介层相比，单晶SiC还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小CoWoS封装尺寸。美国尼尔森科学采用的350 μm碳化硅能够制备出109:1的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的17:1深宽比。

SiC新应用场景打开，带来增量市场。

以当前英伟达H100 3倍光罩的2,500 mm²中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器，中介层面积增至1.44万mm²，对应更多衬底需求。

风险提示：碳化硅导入CoWoS工艺不及预期，技术研发不及预期。

东吴机械：周尔双/李文意/谈沂鑫

台积电25Q4法说会继续强调先进封装重要性，营收贡献从25年8%有望26年进一步上升至10%，520~560亿美元的资本开支规划里也保持10%的先进封装投入，先进封装在AI芯片中的重要性持续提升，结合近期台湾先进封装、存储封装全面涨价，以及国产算力芯片今年的显著上量、盛合晶微即将上市，继续全面看多先进封装板块。相关：汇成股份、甬矽电子、长电科技、通富微电、伟测科技等。

先进封装头部厂商产能利用率逼近满载，部分企业已启动30%的首轮涨价。

盛合晶微，先进封装封测市占率第一，为昇腾910 920系列提供封测（亿道信息、上峰水泥）。

长电科技，先进封装市占率第二，为长鑫、长存提供封测。

通富微电，先进封装市占率第三，为长鑫、长存提供封测。

核心逻辑：在全球算力从需求驱动转向供给限速的背景下，先进封测不仅是AI芯片出货的核心瓶颈，更是决定半导体板块景气度的核心逻辑主线。

国产先进制程产能有望成倍释放，催化先进封测产能持续紧张+叠加国产替代驱动，持续重点关注国产先进封测产业链。

1） 先进封装侧AI推动CoWoS 供需缺口巨大：国内产能紧缺

-海外需求上修： 博通 CoWoS 分配近期上修，Google预期27年tpu产能同比翻倍，产能绝对龙头台积电先进产能几乎被海外巨头加速垄断，这种“产能掐尖”使瓶颈处于先进封装链。

- 本土需求高增：未来预期国产先进制程产能成倍释放，带动 CoWoS 需求高增

-本土产能抢占： 高端算力大芯片从 CoWoS-S 升级至 CoWoS-L，1片所需的封装设备时间总量倍增，进一步加剧国产先进封装产能紧缺，部分国内龙头公司产能已被抢空

-估值逻辑重构： 过去看封装是“后道代工”，现在看先进封装是“算力分配器”。没有先封产能，前道制程空有算力却无法成片，赋予先进封装更高的议价权和确定性溢价。

2） 先进测试壁垒重塑：算力爆发+国产替代，AI开启“量价齐升”新周期

-从Hopper到Blackwell，晶体管数量增加了约2.6倍。然而，由于内部逻辑状态的指数级增加，实际所需的测试向量增加了约3-4倍 。

-物理复杂度登顶： 随着 Rubin 等下一代架构迈入量产，驱动测试数据量或呈 3 倍以上扩张 。

-HBM4 资源挤兑： Rubin 集成 8 颗 HBM4，单堆栈位宽倍增至 2048-bit，导致测试机数字板卡资源消耗翻倍，单台测试机 ASP 预期推高 30%-50% 。

3） 国产链近期催化密集：资本市场双重共振

-IPO 标杆效应： 盛合晶微科创板 IPO 审核快速推进，作为行业龙头其上市有望类长鑫催化带动整条后道产业链的估值重塑

-龙头定增落地： 通富微电近期发布44亿定增方案重点投向存储及高性能计算封测领域等，反映出行业领军企业对 2026 年 CAPEX 继续增长的坚定信心

- 投资外延： 甬矽电子拟21亿投资马来西亚封测基地，完善海外战略布局，标志对产业链景气度信心

国产算力需求催动后道先进封测的逻辑正在持续兑现。

先进封测：甬矽电子、长电科技、通富微电、汇成股份、伟测科技、华天科技、利扬芯片等

先进封测相关设备材料：长川科技、华峰测控、金海通、矽电股份、精智达、和林微纳、艾森股份、强一股份等

天风电子 李泓依

重要事件:

海外云厂拟采购中国存储：1月9日，据外媒报道，作为全球顶尖 PC 厂商之一，惠普正考虑将中国存储供应商纳入供应链以保障 DRAM 供应。

通富微电募资44亿加速扩产：1月9日，公司发出44亿定增预案用于产能扩充，分别为存储封测、汽车等新兴领域封测、晶圆级封测、高性能计算封测等。

我们认为:

1）半导体设备【出海逻辑】未被定价；

2）此前外媒报道盛美半导体清洗设备在海外1.4nm工艺进行验证，但距离重复批量订单仍有距离，因此资本市场并无充足动力对此提前定价；

3）存储大周期下，供应链紧缺导致需求外溢，国内存储产品导入海外云厂的机会千载难逢，这不仅仅是存储出海，更是中国半导体设备间接出海。

半导体设备核心：

设备:北方华创、中微公司、拓荆科技等；

设备:长川科技、精测电子、精智达等；

零部件:江丰电子、富创精密等；

零部件:先锋精科、珂玛科技等。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！