半导体更新：设备+存储 1、...

当地时间 2025 年10 月7日，美国众议院“中美战略竞争特别委员会”两党议员在经过数月的调查之后发现，包括ASML、TEL以及美国的Applied Materials、KLA和Lam Research在内的美国及其盟国的公司，为中国的半导体制造业提供了支持。

调查报告显示：2024 年，东京电子 44% 的收入来自中国，泛林集团为 42%，科磊为 41%，阿斯麦和应用材料公司均为 36%。美国政府认定的五家对美国家安全构成严重威胁的公司是其主要客户，涵盖SMIC背景、青岛芯恩、鹏芯旭、长江存储。

特别委员会提出多项政策建议

-统一美国及盟友的出口管制

- 扩大中国国内转移的管制，包括限制【较旧制程的DUV】

-防止任何仍允许向中国销售的半导体制造设备出现转移情况

- 限制向中国出口对半导体制造设备生产至关重要的零部件

- 扩大实体清单范围

们的观点：作为最坚定推荐设备的团队，我们坚定认为美国对于国内半导体制造工业的限制只会持续层层加码，这次限制的核心是【进一步锁死海外设备厂对华销售、有可能把限制提升至45nm、扩大实体名单、限制DUV出口】。

半导体设备即将迎来【自主可控+AI产业共振】超级大周期！

产业链梳理（不构成投资建议）：

前道制造：中微、华创、飞测、芯源微、拓荆

后道测试：精智达、华峰、长川

光刻：汇成、茂莱、波长、洪田

制造：中芯国际+华虹

零部件：聚和材料、富创精密

美发布半导体重要报告，或加强出口管制

10月7日，美众议院“特别委员会”发布涉华半导体出口管制重要报告，美国及其盟友在限制中国进行先进制程建设时存在漏洞，这使得中国能够购买近 400 亿美元的海外尖端芯片制造设备。立法者希望对中国实施全面的管制，要点如下：

1）统一出口管制。确保美国的盟友和伙伴国家，尤其是荷兰和日本，能够完全遵循并执行美国的出口管制政策。

2）防止设备转用与规避。要求设备商只能向最终用户销售设备，并安装定位追踪技术，防止设备被转移到受限实体。

3）禁止全球任何使用美荷日设备的晶圆厂同时使用中国制造的半导体设备。

4）加强零部件管制，将更多半导体公司列入实体清单，并加强执法力度。

半导体是国家战略重心，中美对抗核心，先进制程&国产设备面临突破关键时刻，建议重点关注。

下游扩产+国产化提升强势带动国产设备。

1）扩产：存储端当前“超级周期”来临，长存三期成立，长鑫有望上市，推动存储端持续积极扩产；逻辑端先进制程持续迭代演进，下游AI芯片需求旺盛。

2）国产环节持续突破，扩产与替代共振。

持续看好国产自主可控链（仅梳理，不构成投资建议）

光刻：福晶科技、阿石创、茂莱光学、汇成真空、福光股份、波长光电等；

设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、芯源微、中科飞测、精测电子、微导纳米、精智达等；

零部件：江丰电子、新莱应材、富创精密、正帆科技等

若荷兰、日本完全遵循并执行美国的出口管制政策，重点关注光刻机、涂胶显影（芯源微）、CMP/划切（华海清科）等环节加速替代。

风险提示：行业景气度不及预期、技术突破不及预期等。

2025年10月7日，美国众议院“对华战略竞争特别委员会”发布的报告《Selling the Forges of the Future》准备进一步提升对华半导体设备限制，外部制裁拟继续收紧，提议计划将更多中国半导体公司列入实体清单，包括制造 45nm 及以下节点的逻辑芯片厂商。

要求所有盟友企业对清单内公司实施同样的禁售政策。

年初至今，我们坚定认为明年将是：存储扩产大年，无论是从ai拉动需求推动还是从自主可控角度出发，两存三期进度提速势在必行。

此外，国产先进逻辑产线进展顺利，SMIC N+3产能持续放量，设备板块beta反转时刻已至；从产业调研情况，#我们判断零部件厂商Q4订单增长显著，设备订单大年有望积极带动零部件厂商稼动率提升，业绩有望迎来拐点，建议持续重视。

GKJ：汇成真空，茂莱光学，波长光电

设备：北方华创，中微公司，拓荆科技，精测电子、京仪装备

零部件：先锋精科，江丰电子，富创精密，新莱应材

美国国会建议加强对中国大陆的半导体设备的出口管制，并联合欧日盟友统一管制标准。

24年国内半导体设备进口规模达2800亿量级，今年前8月仍呈现同比5-10%的增长。主要品类为刻蚀机，cvd，量检测设备等，存在较大替代空间。

结合产业情况，进口设备多数为纯成熟或成熟/亚先进混用设备（国产替代可行性高），先进制程专用极罕见。潜在出口限制有望为国内企业带来额外订单。

基于目前的国际外交，荷兰与欧盟配合美国进一步行动的概率有限。但日本极右政客上台，政策性表演的可能性存在。产业链主要厂商：芯源微（涂胶机），北方华创（炉管），上海新阳（光刻胶），路维光电，清溢光电，聚合材料（光罩/基板）等。

通过多地的实地野外调研，判断中芯国际、长江存储、长鑫存储、北京永芯等企业在北上广皖等多地的产能扩建步伐加快，今明两年的资本开支规模有望大幅超出市场预期。主要设备布局企业包括中微公司、京仪装备、拓荆科技等。

1）BIS强化出口管制范围，应用材料发出预警

上周，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了新的“附属公司规则”（BIS Affiliates Rule），进一步扩大了实体清单的限制范围，将受限实体持股超过50%的子公司也纳入管制

这一举措旨在封堵此前存在的潜在漏洞，标志着监管进入了更为严苛的阶段。作为对这一新规的直接回应，全球设备龙头应用材料（AMAT）发布预警，明确指出新规将使其2026财年营收减少约6亿美元。

这一预警首次清晰地量化了政策对美国头部企业造成的直接财务冲击，也成为产业格局“东升西降”加速演变的关键信号。

2）中国市场：AI芯片需求推动下，中国进入新扩产周期，增速从上半年-7%恢复到持平

我们认为随着华为等AI芯片的发布，国内对先进工艺产能需求快速增长。中国半导体设备市场有望从1H25的-7%，到2H25持平，2026年有望进入新的资本开支周期。美国BIS这次收紧也是为了遏制中国先进工艺国产进度，但这会倒逼国产设备（北方/中微/盛美）等有望实现显著份额提升（2Q25：国产率20%）。

持续关注目前正在进行的中芯国际、华虹募集资金、长鑫上市辅导等动向，以及中芯/华虹/中微/北方等。

存储观点更新：持续看好本轮存储持续性，本轮存储周期的重要需求因素是AI。无论是多模态模型和应用的落地，亦还是端侧用户数量和tokens的指数级增长，技术和产品底层的变革拉动了eSSD、HBM等需求开始集中爆发，看好原厂涨价趋势整体延续到明年二季度至三季度。因供给增量有限，原厂惜售以及客户急单等因素，看好Q4原厂涨价斜率有望继续放大。

端侧观点更新：端侧AI加速落地，有望迎来密集催化期。Meta Ray-Ban Display眼镜销售情况优于预期，端侧硬件正在成为大模型后的第二战场。OpenAI积极入局端侧硬件，争夺模型流量的第一入口。25年Q4有望迎来密集催化，国内有众多端侧产品发布，关注潜在爆款。

存储板块持续关注企业级存储需求及利基型DRAM国产替代，兆易创新、香农芯创、德明利、佰维存储、普冉股份、东芯股份、江波龙等。

端侧板块持续看好国内SoC厂商的卡位及竞争优势，充分受益端侧落地带来的升级，瑞芯微、恒玄科技、乐鑫科技、泰凌微、炬芯科技、中科蓝讯、全志科技等。

10月7日，存储模组厂商威刚科技公布了9月营收快报，受益于存储市场旺盛的需求及涨价趋势，威刚当月合并营收金额达新台币52.44亿元，环比增长5.24%，同比暴涨超61.18%，创近19年来单月新高。

在威刚的9月营收当中，DRAM 营收贡献达54.02%，SSD 比重为27.85%，存储卡、随身硬盘与其他产品占比18.13%。

威刚2025年第三季合并营收也达到了新台币144.88亿元，同比大涨55.19%，环比增长13.33%，创历史单季次高，较第二季也增加。

累计，2025年前三季合并营收达新台币371.73亿元，同比增长22.9%，全年营收有望改写历史新高。其中，DRAM 营收占比为59.62%，SSD占比为27.25%，存储卡、随身硬盘与其他产品占比13.13%。

而威刚第三季业绩的同比大涨，主要得益于今年下半年以来DRAM、NAND Flash市场需求的旺盛以及合约价格的持续上涨。

从整个存储市场来看，由于人工智能的持续火爆，带动大规模的数据中心建设，引发了对于大容量且高性能的DRAM（包括HBM）和NAND Flash的需求高速增长。

10月1日，人工智能（AI）技术大厂OpenAI就分别与三星和SK海力士签署了合作协议，这两大韩国存储芯片厂商将为OpenAI预期高达每月 90 万片 DRAM晶圆和HBM晶圆的需求保障供应。

而目前三星只有约60万片/月的DRAM产能，SK海力士也只有约50万片/月的DRAM产能。显然，这当中还有着很大的产能需求的缺口。

而对于上游存储芯片原厂来说，他们更愿意将产能放到利润更丰厚的数据中心产品上（比如三星、SK海力士、美光这三大原厂都在逐步退出DDR4市场，增加HBM的产能），这也在一定程度上对于消费类电子等市场需求造成了排挤，又加剧了这部分市场的供需矛盾。

根据供应链消息显示，9月初，SanDisk已宣布将NAND Flash报价上调10%。

随后，美光也通知客户，对包括DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等内存产品全部停止报价，且相关产品价格可能调涨20%-30%；

三星近期也被曝已通知大客户今年第四季度DRAM类的LPDDR4X、LPDDR5/5X的协议价格预计上涨15%-30%以上。NAND类eMMC/UFS协议价格预计涨幅5%-10%。而将逐步停产的DDR4相关产品的2026年产能预计只有2025年的20%。

同样受益于AI需求所带来的增长，目前大容量HDD（机械硬盘）的交期也几乎已排到了一年后。

展望后市，威刚董事长陈立白表示，2025年第四季才是存储大多头的起点，也是存储严重缺货的开始，2026年产业繁荣的景气度可期。特别是在AI 军备竞赛的快速扩张下，全球大型云端服务供应商（CSP）的刚性需求不仅让未来DRAM、NAND Flash 合约价续扬走强，也敲开了2026年存储产业高景气度的大门。

陈立白也指出，自8月下旬开始即感受到存储市场快速翻转，全球大型CSP 对2026年的存储需求量远高于预期，并提前下单巩固明年货源，使得上游原厂相继传出暂停报价并重新审视现有产能配置，陆续释出立即涨价的信息。加上目前正值AI 应用模型从训练走向推理，AI 服务器规模高速扩增，使得原本应用于PC 及手机等系列产品的传统存储产能遭到强大排挤，供货已明显缩减。威刚看好2026年全年存储产业都将处于供货吃紧，价格持续上升的强势格局。

寒武纪披露2025年度向特定对象发行A股股票发行情况报告书，本次定增发行价格为1195.02元/股，发行对象确定为13家，发行股数333.49万股，募集资金总额39.85亿元。扣除各项发行费用3217.13万元，公司实际募集资金净额为39.53亿元。募集资金将用于面向大模型的芯片平台项目、面向大模型的软件平台项目及补充流动资金。

在半导体制程的竞赛中，台积电的2nm进展速度已超出市场预期。

随着新竹Fab 20和高雄Fab 22两座工厂的加速投产，2nm节点正快速从试产迈向全面量产。

1）良率突破80%，量产条件成熟

目前，台积电2nm的良率已超过80%，较年中市场传闻的65%有显著提升。良率突破意味着产线工艺趋于成熟，也为下半年量产铺平道路。

2nm制程主要集中在新竹Fab 20和高雄Fab 22两座工厂，其中Fab 20起步更早，被视为“母厂（mother fab）”，负责先行验证与工艺稳定；待技术成熟后，再转移至Fab 22进行大规模生产。

2）年底产能翻倍，2026年冲刺10万片

目前，Fab 20与Fab 22合计月产能约1.6万～1.8万片。预计到2025年底，Fab 20月产能将提升至3万片以上，Fab 22也将陆续扩充至约1万片。

明年起，随着设备持续导入与新phase开放，两座工厂的合计产能将在第二季度突破8万片，年底达到10万片以上。

其中，Fab 22将成为2nm的主力量产基地，规划有六个phase专用于N2节点，并预留两个phase用于1.4nm的下一世代制程。相比之下，Fab 20则将转向1.4/1.6nm的验证与早期导入角色。

3）客户需求旺盛，推动节奏空前

台积电2nm节点的ramp-up速度远超3nm当年。除了工艺验证顺利，关键在于强劲的客户需求。

Apple已锁定超过一半的2nm产能，用于下一代iPhone与Mac芯片；AMD、Qualcomm、Broadcom等大客户亦已签约导入。即便单片晶圆报价高达3万美元，客户下单仍异常积极，带动台积电不得不提前扩产。

4）美国厂同步提速，P2进入导入阶段

台积电在美国的进展同样快于预期。原本计划于2026年下半年导入机台的P2厂，现已提前至2025年下半年开始move-in。P2A将生产3nm，P2B则布局2nm。

每个phase规划产能约2.5万～3万片，未来将逐步扩展至6个厂区，覆盖4nm至2nm多个节点。业界认为，这种“并行制程”策略反映出客户端对先进制程的多元化需求，也意味着台积电在美国的生产节奏正在加速追赶台湾总部。

5）3nm持续满载，成熟制程趋稳

在3nm方面，台积电台湾Fab 18B目前产能已达12万片，年底将增至15万片，稼动率持续维持在110%以上。Apple与Nvidia仍是主要驱动来源。

另一方面，7nm与成熟制程产能利用率稳定，内地晶圆厂价格战趋缓，台系厂商报价逐步稳定。联电等成熟制程厂稼动率约在70-80%，预期年底前维持持平水平。

6）展望：2027年2nm全球布局将达20万片

台积电的目标是到2027年底，将全球2nm总产能（包括台湾、新竹、高雄与美国）提升至20万片/月。届时，高雄Fab 22将成为主要量产重镇，Fab 20继续承担新世代节点的导入职能，美国厂则作为北美战略布局的重要支点。

台积电2nm的快速量产，不仅意味着技术上的成熟，更体现了AI时代下全球算力需求的爆发性增长。从良率突破到产能翻倍，台积电正在以历史上罕见的速度推动晶圆制程的进化。

10月8日，美股芯片股走势分化，截止目前费城半导体指数上涨1.3%，美光科技涨超3%，英伟达、博通、台积电涨超2%，英特尔、阿斯麦跌超1%。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！