半导体：存储+光刻机更新 ①...

①据TrendForce，西部数据近日通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。西部数据声称，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平，并且该公司正在投资先进的创新技术。

②三星电子第九代高容量QLC NAND上市时间或推迟至2026年上半年，原因是设计缺陷导致的性能问题。

③金融时报：中国首次试验其先进的光刻机。

本轮存储涨价绝非短期供给收缩的周期性波动，而是由AI需求侧强力驱动、叠加供给端战略性转向所引发的结构性行情。我们重申对存储板块的乐观展望，预期涨价强度与持续性将超市场预期。

1）价格预期全面上修

2024Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%，LPDDR4暴涨40-50%，NAND Flash合约价涨幅预期升至15%。市场已全面上修价格预期， 2026Q1传统淡季价格继续看涨。

2）供给侧改革深化：海外原厂战略转向明确， 持续退出

DDR4/LPDDR4产能（导致涨幅最大），将资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品。但高端产能瓶颈突出：DDR5/HBM产能利用率持续打满，新增产能到2025年底前有限；NAND产能利用率仍低于80%但无大规模扩产，供给弹性严重不足。

3）需求端：AI驱动从“训练”走向“推理”，需求逻辑发生根本性转变

存储器下游需求中，手机/PC/服务器占比超80%，其中服务器占比约30%。当前需求侧正经历范式转换：

-核心驱动：AI应用正从训练侧（消耗HBM）向推理侧/边缘侧扩散，驱动移动设备（LPDDR5x）、通用服务器（DDR5）、高带宽内存（HBM）及企业级SSD（eSSD）需求迎来爆发式增长。

-数据中心需求最强：北美云厂商加大AI数据中心投入，存储池扩容与升级（HDD→SSD）为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量。

-我们判断，此轮存储行情由“AI需求升级”与“供给结构性退出”双轮驱动，其持续性与强度将远超传统周期。

重点关注三条主线

1）布局DDR5/HBM先进技术的龙头； 2）受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；3） 企业级SSD替代受益。

存储模组：开普云（金泰克企业级DDR5）、德明利、江波龙（信创SSD龙头）、佰维存储（华为生态）、香农芯创（SK海力士代理）；

存储芯片：兆易创新（DRAM设计）、澜起科技（内存接口芯片）、东芯股份（SLC NAND）、普冉股份（Nor Flash）。

中芯国际正在测试由上海初创企业宇量昇制造的深紫外光刻机，两位知情人士透露了这一进展。 尽管中芯国际的试验初步结果令人鼓舞，但目前尚不清楚该机器是否以及何时能用于大规模芯片生产，其中一位知情人士表示。 中芯国际正在测试一款国产28纳米深紫外光刻机，并采用所谓的"多重曝光技术"生产7纳米芯片，两位知情人士透露。

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