半导体：存储+光刻机更新 1...

据Omida预测，长鑫存储2024年DRAM晶圆产量为162万片，2025年将增至273万片，yoy+68%。其中，2024年月均DRAM晶圆产量为10万片（以DDR4为主），25Q1增至 20万片/月，预计2026年增至30万片/月。

据媒体报道，美国准备取消台积电、三星、海力士等向其中国工厂运输美国芯片制造设备，如属实或后续落地执行，将加速推动国内存储从制造、设备、材料到封测等全环节国产化进程。同时，随着长鑫产能持续释放，及更多转向高毛利DDR5、HBM等产品，有望打破“三足鼎立”，国内存储或将迎来发展新纪元。

据Counterpoint预测，长鑫存储2025年DRAM出货量yoy+50%，25Q1其在DRAM市场出货份额预计为6%，25Q4将增至8%。其中，在DDR5市场份额25Q1不到1%，至年底将增至7%；LPDDR5将从25Q1的0.5%到年底增至9%。

据Trendforce预测，25Q3中国DRAM+NAND出货量份额预计将超10%。未来“规模增长、份额提升、结构优化“三轮驱动，有望带动国内存储进入发展快车道。

据韩媒报道，长鑫存储计划在2025年底前交付HBM3样品，从2026年开始全面量产，2027年开发HBM3E。据CFM数据，2024年全球存储市场规模达1670亿美元，创历史新高，2025年DRAM/NAND Flash bit容量需求同比增长超10%；

其中，2025年HBM有望达300亿美元，占DRAM市场规模约30%。随着国内DDR5良率持续提升、HBM产品不断突破等，有望带动相关产业链公司业绩释放与盈利改善。

产业链相关：

经销：香农芯创 模组：德明利、佰维存储、*江波龙等 设计：*兆易创新等 接口芯片：*澜起科技、聚辰股份等 注*为公告拟发H股

国内技术与相关公司产品进度不及预期、需求不及预期、市场竞争加剧等。

上周五受国产存储大客户的HBM3通过验证的消息刺激，精智达、芯源微等核心涨幅明显。 算力需求爆发，叠加外部对HBM在带宽等环节的管制，将刺激国产HBM的突破和供应。

国产存储大客户已经具备DDR5颗粒的制造能力，传输速率等核心指标已经达成，只是目前在散热和能耗等方面还有提升空间。HBM3的底层存储颗粒具备量产条件。且已经有部分设备公司拿到了HBM相关的TCB和CMP等订单，国产HBM扩产的确定性在快速加强。

目前各个关键工序如TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机均实现国产或较容易买到，颗粒具备量产条件+各关键工序的设备处于ready状态，我们认为国产HBM的突破将落在今年下半年！预期今年HBM的扩产量级有望实现5000片的8层晶圆。

扩产将为TCB、CMP、键合解键合、电镀、测试机（专指HBM专用CP测试机—KGSD）环节分别带来1.6亿、10亿、6亿、4亿、7亿的订单增量。

涨价情况：1）24年下半年服务器OEM有2-3个季度的库存，市场上有大量DDR4现货，合约价和现货价到今年Q1一直在下降。2）4月份后现货价格上涨，5月份新一轮合约价比之前涨30%-40%。目前DDR4的合约价与DDR5相差约20%，现货价差在10%。

企业级产品：1）春节之后阿里、腾讯加单较多，字节上半年情况低于预期，真正交付要在Q2，所以Q2营收会是高点。2）海普存储主要做企业级的SSD，主控用大普微的产品，颗粒用海力士的产品，面向信创市场。

还有很多领导问我们GKJ euv什么时候能做出来，有外媒报道说的是年底出样机。我了解到的情况是整机不会那么快，尚处于实验室阶段，但是零部件确实启动了确收，产业内也在针对过去交付产品进行加单。

euv各环节里最看好的也是波长光电和汇成真空。euv镜片组装用的干涉仪是浙大的，波长和浙大签了战略合作协议，成立了联合实验室。

另外，波长后续与长春方面会展开深度合作，近期长春市市长也莅临波长，充分证明其产业地位。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！