半导体更新：存储芯片+碳化硅+...

①截至美股周四收盘，美国内存芯片公司美光科技涨超7%，闪存巨头闪迪（Sandisk）收涨14%两家公司均走出七连阳的暴力拉升节奏。

②花旗在周四的最新报告中预期，美光科技将在本月晚些时候发布财报时，给出远超预期的指引。

③CFM闪存市场最新报告：四季度存储市场价格将迎来全面上涨。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。

供给端，减产效应显现，原厂将产能锚定更具利润空间的先进产品，存储大厂合约开启涨价。例如，25Q3DRAM与NAND合约价环比均不同程度涨价，DRAM涨幅更甚。

需求端，云计算大厂capex投入开始启动，AI相关需求预期被大幅调高，对应企业级存储需求开始增多。

消费电子终端为旺季备货，补库需求也在加强。

整体存储器进入明显的趋势向上阶段。持续关注企业级存储需求及利基型DRAM国产化替代。

NAND三季度价格上涨预期增强：闪迪宣布全面涨价10%以上，预计竞争对手也有望效仿。我们认为此次提价源于供需格局转变，供需缺口或持续扩大。

全球DRAM市场规模持续扩张，AI订单预期乐观，持续看好国产存储产业链。Omdia 9月最新数据显示，25Q2全球DRAM市场规模季增约17%至309亿美元，主要受益AI带动DRAM合约价持续上涨和HBM出货增长。SK海力士高层认为2030年前有望保持高速增长。

随三大原厂停产进展，利基DRAM供给缺口持续存在，兆易创新等中国大陆厂商有望在本轮利基 DRAM 代际更迭中取得更大市场空间。

长存三期成立，产能扩充可期。据此前消息称，长江存储NAND 今年有望在国内市场占据约三成的份额，而到2026年底长江存储产能有望达到全球 NAND 闪存的15%。我们认为，国产存储产业链成长有望加速。

存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI驱动+国产替代机遇，存储产业链相关标的：兆易操作、普冉股份、德明利、佰维存储、开普云等。

根据产业封装、衬底调研，基于热导率、可行性等多种因素考虑，#未来高功率AI芯片的CoWoS选择SiC作为中介层（interposer）基本已为主要的可行方案。

1）热导率领先当前可量产材料

-SiC 300~490W/（m·K）；

-硅约 150W/（m·K）；玻璃约 1W/（m·K）。金刚石热导系数更高，但实际量产难度过大。

2）为什么热导率重要

目前向上传热已有液冷等多种方式进一步解决，#但向下传热始终是难题，热量容易在局部堆积。

根据公开信息和KAIST，以单die维度，H100单位面积功率约0.86w/mm²，Rubin 约1w/mm²，下一代Feynman约1.2w/mm²。

伴随着多die和更多HBM的设计，热传导的压力进一步加大，因此热导率变得更加关键。

3）可行性上更为领先

SiC的难点目前在于12吋衬底，大规模量产还需要一定时间。

从导热、应力、量产化等多个角度看，其他方案目前看来还达不到理论上完全可行，而SiC方案已经在安排12吋衬底的送样，主要等SiC的12吋产业化，目前看其他环节没有太多阻碍。

4）行业正加快重视相关布局

SiC做interposer从两三年前开始研发，近期推动送样测试。

近期发酵也利于快速推动12吋的产业化，因为一旦大规模使用，目前12吋的产能缺口是巨大的。

部分衬底厂接到了不少客户关于这方面的问询，对于这个巨大的增量，产业链正积极推进。

我们认为从产业端、行业媒体等多维度都在肯定SiC作为未来CoWoS的重要增量，按我们此前测算，仅T的CoWoS增量就有望超越车规市场，SiC市场空间有望翻倍。

SiC梳理：晶升股份（设备）、闻泰科技（器件）、三安光电（衬底、外延）、天岳先进（衬底龙头）、露笑科技、晶盛机电、东尼电子、阳光电源等。

以上信息为部分产业链反馈。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！