半导体更新：长鑫+存储+碳化硅...

①12月30日，根据证监会官网显示，长鑫科技集团股份有限公司IPO审核状态更新为已受理。

②英媒：美政府已颁发许可证，批准韩企向中国出口芯片制造设备，需每年获得批准。

③三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心。

12月30日，根据证监会官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（下文简称“公司”）IPO审核状态更新为已受理。

据公司招股书，第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业，直接持有公司21.67%股份，公司持有长鑫存储100%股权。公司2024年营收/净利润为242/-91亿元，2025年前三季度营收321亿，净利润-60亿，预计全年550~580亿收入，20~35亿利润，对应25Q4营收单季度229~259亿收入，80~95亿利润。

我们看好国内存储链三条受益逻辑：

1）存储涨价受益逻辑：DRAM价格激增，长鑫25Q3单季毛利率35%，净利润亏损，#Q4净利率近40%；我们看好涨价受益的存储厂商及长鑫客户，模组厂及兆易创新（当前持有长鑫股权1.80%）、北京君正；

2）募投扩产设备受益：长鑫本次募投345亿，其中90亿用于技术研发，255亿用于技改/技术升级（扩产）项目，我们估算约80%比例——约200亿元用于设备采购。未来国内存储扩产有望持续加速。国内存储敞口大的公司包括北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米、精智达、中科飞测、华海清科、京仪装备、珂玛科技等，本轮存储扩产持续受益；

3）跳代研发配套：据招股书，长鑫采取“跳代研发”策略完成了第一代到第四代工艺技术平台的量产。我们预计未来产能有望全部切换至4F²+CBA工艺新增逻辑晶圆1：1配套存储晶圆，配套逻辑厂商晶合集成、燕东微。

以上不构成投资建议！

IPO进度：已预先审阅，并公布了两轮预先审阅回复（分别在11月5日和11月19日发出问询）。

募集资金情况：

1）存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：项目投资总额为75亿元，拟全部使用募集资金75亿元。25Q3前完成项目设计，27年底前分批试试改造、设备搬入等，28H1完成竣工验收。

2） DRAM存储器技术升级项目：项目投资总额为180亿元，拟使用募集资金130亿元。项目周期3年，25Q4开启设备购买计划，26-27年底分批施舍设备搬入等，28H1完成竣工验收

3）DRAM前瞻技术研究与开发项目：项目投资总额为90亿元，拟全部使用募集资金90亿元。合计投资345亿元，拟使用募集资金金额合计295亿元。长鑫是中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM IDM

-2016年成立，专注DRAM，按出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，25Q2全球份额7%。

-采取“跳代研发”的策略，完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产。

3）完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

受益存储大周期，25H2大幅扭亏为盈！

1）收入：24年242亿元，预计25年550～580亿元，yoy+127%～140%；25Q4收入229~259亿元，qoq+38%~56%。

2）归母净利润：24年-71亿元，预计25年-16~60亿元；25Q4 37~113亿元，环比大幅扭亏。

3）扣非：24年-79亿元；预计25年28~30亿元；25Q4 39~41亿元，qoq+191%~206%

4）盈利能力：25Q3毛利率已上升至35%，25Q4净利率中值36%，qoq+41pcts。

产业链相关梳理：

1）两存敞口大的设备公司：微导纳米、拓荆科技、中微公司、精智达、华海清科、中科飞测、京仪装备、骄成超声、百傲化学，及设备龙头北方华创等；

2）长鑫链：兆易创新、晶合集成、汇成股份、深科技、长电科技等；

3）存储模组公司：德明利、江波龙、香农芯创、佰维存储、开普云，时空科技等。

4）其他存储设计公司：普冉股份、聚辰股份、澜起科技、东芯股份、恒烁股份等。

产业趋势反馈一致，一致认为激进降价已过去，未来向好；

需求比市场预期好，电源（车、服务器）需求强劲，先进封装、眼镜带来超量的成长空间； 加快布局AI带来的全新增量，电源与先进封装均成为后续业务的重点方向；

SiC大尺寸化是重要变化，8/12吋可见需求显著，市场旧印象的4/6吋内卷时代终将过去，正加速推进大尺寸化；

设备厂已感受到大尺寸对应订单加速，先导指标明显。

市场对行业的认知仍停留在过去，面对行业未来的巨大增量还未重视，而产业的重大变化已悄然到来，26年有望迎来全面反转。

华西中小盘团队：卜灿华

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！