AI算力更新：英伟达+GTC+...

①英伟达将于北京时间周四凌晨公布2025财年第四财季财报，市场预期其收入将增长至636亿美元，同比增长68.3%。

②GTC大会可能展出LPU芯片。

③美股光通信龙头Lumentum大涨10.9%，花旗维持其“买入”评级，目标价上调至800美元。

GTC有望展出LPU芯片，LPU主要用于推理场景，与ASIC类似，预计存储采用SRAM降低延时，显著提升推理速度，LPU有望成为NV抢占推理市场的重要手段；LCP预计采用PCB预计层数极高，有可能超过50层，单柜PCB价值量接近4-50w人民币，进一步打开PCB市场空间。

1）新技术方向一直是PCB最核心股价驱动因素，正交背板、CoWoP等均带动PCB板块涨幅明显，我们认为LPU作为英伟达在推理端的重要布局，有望接力正交背板及CoWoP，成为PCB板块股价催化核心因素；

2）从Capex端来看，四大CSP厂商预计2026年Capex同比增速近70%，依旧维持高增。Capex仍高增的大前提下，新技术方向有望再次带动新一轮PCB板块行情！

LPU参与厂商：沪电股份、胜宏科技、景旺电子及算力PCB核心厂商：深南电路、广合科技、生益科技、鹏鼎控股、东山精密、兴森科技等

风险提示：行业竞争加剧，下游需求不及预期

中泰电子：王芳/杨旭/刘博文

1）市场预期3月GTC大会有望展示采用LPU低时延架构的Feynman芯片。LPU芯片，主要用于推理，和ASIC芯片类似，下方采用PCB板为高多层板，M9的Q布方案。

2）升级后PCB钻针产业链变化在于：

层数升级：计算类主板向更高阶HDI、更高层数PCB升级；

材料升级： CCL材料从M8向M9+Q布升级，适配高速信号、大电流场景；

钻针需求提升：通孔孔数、钻孔损耗提升，钻针、钻孔需求增加；

目前进展：pcd金刚石钻针已经在多个PCB大厂测试，可行性测试结果在M9效果良好。根据公开资料，金刚石钻针在M9打孔数1w+，约为传统钻针100倍效率提升。

在原材料钨涨价（两类钻针价差缩小）、PCB升级导致钻针供不应求（需要更多&更高效的针）背景下，Feynman芯片预期于2028年量产出货，架构确定利好专精 厚/硬材料的金刚石钻针；沃尔德、四方达。

英伟达与AI芯片初创公司Groq达成协议，斥资200亿美金获取其技术非独家许可并吸纳其核心团队。Groq专门设计了LPU，以满足LLM对速度和内存的独特需求，LPU是一种非常快速的处理器，专为顺序处理的计算密集型任务而设计，而LLM正是顺序任务的典型代表。LPU运行大型语言模型（LLMs）及其他主流模型的速度显著更快，在架构层面，从能源效率上比GPU高出多达10倍。

LPU集成了数百兆片上SRAM作为主权重存储器（而非缓存），显著降低了访问延迟。这种设计允许计算单元全速加载权重，通过将单层拆分到多个芯片上来实现张量并行。SRAM的核心价值在于高带宽与低延迟，与HBM（1T1C结构）不同，SRAM采用6T晶体管结构，无需周期性电荷刷新，消除了Bank冲突与页缺失导致的延迟，目前架构正从单纯增加SRAM容量转向“3D垂直堆叠+分层存储管理”。我们认为，LPU的应用有望带动SRAM的需求提升，建议关注SRAM相关标的。

背面供电网络（BPDN）直接从晶圆下方向前沿晶体管供电，这种架构变革能够提升处理器性能、大幅降低功率损耗并提高电源效率。AI场景的供电瞬态极其苛刻，嵌埋PCB不仅让结构更小，更重要的是提供了寄生稳定、可预测的电气环境，这对于超大电流瞬间负载的稳定性至关重要。我们认为LPU有望采用背面供电技术，带动嵌埋PCB需求，建议关注PCB厂商及上游材料。

SRAM：北京君正、恒烁股份/PCB：胜宏科技、沪电股份、世运电路、菲利华、延江股份（甬强）、中材科技、宏和科技、铜冠铜箔等

1）当前版本为V3，三星做的design service，alphawave提供serdes IP，V3的demo rack目前在面向GTC展出在设计。后续更新版本为V3 Ultra配套rubin ultra，V4配套Feynman。

2）V3版本的系统设计大面积采用现有技术，单rack 16个compute tray，每个compute tray上配有16颗LPU，2颗高端FPGA，1-2颗CPU，一个midplane板子，midplane前端接计算板，后端接少数铜缆。8个rack通过E/W网络串联，形成2048卡系统。FPGA负责2048卡系统内可配置串联通信的旁路功能。

3）V3U版本大概率是V3的合封版本，V4版本目前在考虑N3P工艺+CoWoS R来替代A16工艺，整体是成本考量为主。V3通过scale out网络与GPU集群通信，负责部分模型的decode功能。V3U/V4开始考虑在nvlink网络里与GPU共存。

增量：PCB，FPGA，液冷，铜缆，光模块

Feynman芯片：25年底英伟达获得Groq的技术许可并吸纳其核心团队，Groq的LPU是专为AI推理设计的ASIC芯片。市场预期3月GTC大会有望展示采用LPU低时延架构的Feynman芯片。

背面供电：Feynman芯片有较大可能采用背面供电方案以提高供电效率。目前台积电16A、三星SF2、英特尔18A等先进制程均已支持背面供电。另据台媒《电子时报》报道，英伟达或将在Feynman芯片导入英特尔的先进封装技术。

PCB新变化：之前市场已围绕垂直供电的预埋电感电容、高端MLCC、散热片等方向挖掘。我们在此提出#PCB产业链为适配背面供电亦有显著变化，主要体现在：

1）计算类主板向更高阶HDI、更高层数PCB升级；

2）CCL材料从M8向M9+Q布升级，适配高速信号、大电流场景；

3）通孔孔数、钻孔损耗提升，钻针、钻孔需求增加；

4）沉铜工艺要求提高，电镀设备需求增加。

Feynman芯片预期于2028年量产出货，技术架构提前定型将对PCB上游设备、材料景气度形成强支撑！建议关注：Q布、钻针、钻孔设备、电镀设备等受益环节。

今日CPO回调较多，市场解读为花旗在CPO预测中下调了scale out的出货量到4万台，但市场未关注的点为上调了scale up的出货量到16.9万台。我们的观点如下：

Scale out :

→花旗当前预测为4万台，此前我们对于市场的预期是4-6万台，花旗的预测符合市场一致预期。

→根据FY2026 Q 2 LITE在业绩会中的表述，Scale out层有数亿美金新订单，加上之前披露的订单，对应8-9万台CPO交换机。

Scale up：

→上调。花旗基于60%渗透率预测16.9万台scale-up层CPO。花旗假设2027年1.4万台Rubin Ultra中60%采用Scale-up配置，即约8,333台机架，对应16.9万台CPO。

→此前我们基于1万台Rubin Ultra,100%渗透率预测up层交换机的量为18万台，和花旗当前预测基本一致。我们认为，up层渗透率有望进一步超预期。

我们认为：CPO产业趋势依旧，后期催化较多：GTC和OFC大会预计推出新CPO产品，国内&国外产业链及台积电角度，均可看到CPO从明年开始快速放量，市场依旧存在预期差。

我们仍建议关注CPO产业链：致尚科技、天孚通信、罗博特科、炬光科技、太辰光等。

国联民生电子团队：方竞/袁妲

0225市场传言花旗下修27年CPO交换机需求量预测，实际上是断章取义。我们查阅了花旗研报原文，一方面，花旗确实下调了27年柜外（scale-out）交换机需求量预测，从10万台下修至4万台。

另一方面，花旗对CPO进入柜内（scale-up）进展表示乐观，认为英伟达正在大力推动scale-up侧的CPO方案，将在Rubin Ultra NVL576开始部署。花旗预测scale-up侧的CPO交换机将于2027年底开始部署，并且预测27年scale-up需求量将达到16.9万台。

由此，花旗实际上修了27年CPO交换机需求量：新增16.9万台scale-up，总需求量预测达20.9万台。此外，花旗也上修了可插拔光模块的预测。

花旗整体看多CPO和可插拔光模块产业，上修了新易胜（472至495）、天孚通信（222至446）、太辰光（137至184）的目标价，可以看到花旗实际上相当看好CPO，对其认为受益的天孚通信和太辰光大幅上调了目标价。

以上观点仅供参考，不构成任何投资建议！

另外有很多领导问到，关于npo/cpo、可插拔/不可插拔相关问题，我们梳理流程如下，欢迎交流、指正：

1）台积电 CPO线：

光引擎设计 - 光引擎流片 - OSA模组封装（3个1.6T合成一个模组） - OSA和switch asic共封装 - 可插拔FAU ；cpo交换机组装

2）Mellanox NPO线：

PIC设计 - PIC流片 - EIC外采 - EIC和PIC封装成NPO - NPO贴装到PCB主板，和switch asic解耦

3）Scaleup NPO线（光模块厂商与csp主导）：

PIC设计光模块厂商 - PIC流片 - EIC - EIC和PIC封装成NPO 国内封测厂 - NPO贴装到PCB主板，和switch asic解耦 国内封测厂

总结：1）区分NPO与CPO核心看 光引擎/模块 与switch asic共封装（CPO）or 与其解耦，直接封装在PCB板上（NPO）。2）是否有socket/是否可拆卸不重要，台积电CPO链中，OSA模组通过socket，和switch aisc封装在一个substrate上，detachable可拆卸，但仍然是CPO。3）3D封装指的是EIC和PIC之间的封装形式，台积电CPO中明确3D封装，NPO中可以3D/2.5D/2D，看设计方案。

公司预计2025年全年实现净利润23.9亿港元，同增超80%，其中25H2实现净利润14.6亿港元。

1）25H2覆铜板连续提价

2025年8月至12月，公司累计对覆铜板进行5次提价（12月单月两次）。

国泰海通测算单张覆铜板累计提价幅度超40港元；公司电子布自供，成本端仅受铜价上涨部分影响，涨价传导顺畅；瞬时单张净利有望提升至40港元左右。

按净利润/销量测算，25H2单张覆铜板净利约23港元，环比25H1提升7-8港元。25H2覆铜板总销量预计超6000万张，25Q4受益于AI需求拉动，产销环比进一步提升。

2）电子布→覆铜板顺价机制成型，涨价良性传导

2026年2月首周，7628电子布报价已达4.9-5.45元/米，环比提升0.5-0.6元/米，提价幅度远超此前0.1-0.2元/米水平；

公司为传统电子布产能规模行业第二，外售部分直接受益于涨价；下游覆铜板保持高稼动率、持续顺价，为电子布继续健康涨价提供支撑。

国泰海通预计公司#2026年迎“涨价+高端化”双轮驱动，推动公司盈利中枢抬升

电子布方面，公司第一条低介电电子纱窑炉已公告投产，伴随下游客户认证，公司公告第二代低介电，低膨胀纤维布，石英布等产能有望在25年下半年到26年逐步投放。

铜箔方面，公司的HVLP-3铜箔已公告产品推出进入验证周期，进一步升级在推进。电子布和铜箔先行，预计公司M6级别以上覆铜板产品和产能也将逐步推出。

上调公司2025-2027年净利分别为23.99/45.62/51.72亿港元，给予26年估值25xPE，目标价32.3港元。

（风险提示：所提观点仅做学习交流，所涉标的不作为推荐依据。

美股AXTI大涨23%、近一周涨幅超过50%，核心逻辑是AI算力基础设施对磷化铟的刚性需求爆发，印证2026年涨价线中“科技材料”这一核心主线

一、AXTI暴涨的核心逻辑：AI算力驱动的“光子基石”紧缺

1. 需求端：AI数据中心光连接爆发

用量激增：800G光模块需4-8颗磷化铟激光器芯片，1.6T光模块的衬底用量是800G的2.7-3倍。英伟达Quantum-X交换机单台配备18个硅光引擎，均依赖磷化铟衬底。

订单爆满：AXTI在手订单超6000万美元，客户需求预测已排至2027年，部分延伸至2030年后。公司预计2026年机柜间（scale-out）订单翻倍，2027年再翻一倍。

CPO催化：共封装光学（CPO）技术2026年进入商用元年，将光引擎与计算芯片紧密封装，对磷化铟衬底稳定性要求更高，单位芯片需求密度大幅提升。

2. 供给端：扩产周期长，缺口达70%

产能高度集中：全球90%以上产能集中在住友（42%）、AXTI（36%）、JX（13%）三家企业。

扩产周期长达2-3年：磷化铟衬底扩产需要场地建设、炉房建设、工人培训，短期难以响应爆发式需求。

供需缺口：2025年全球需求约200万片，产能仅60万片，缺口70%。预计2026年需求220-250万片，缺口仍将维持70%以上。

3. 价格已进入上涨通道

2英寸衬底：从2025年初800美元/片涨至当前2300美元/片，涨幅187.5%。

6英寸衬底：价格突破5000美元/片，较去年同期上涨250%。

涨价预期：下游对涨价的接受度高（衬底在光模块成本中仅占2%左右），紧缺型号溢价可达30%。

当前消息：NV预计会在即将召开的 GTC 2026 大会上，#正式发布整合Groq技术的首款英伟达原生LPU（专攻即时推理）产品 （或是一款 GPU+LPU 的混合架构芯片）。

LPU来源：NV于2025/12/24向Groq完成针对LPU技术的“准收购”，金额约200亿美金（NV史上最大交易），#Groq的创始人JonathanRoss也是谷歌TPU之父。

收购LPU原因：

1) 加强即使推理：#GPU在处理实时对话时（低延迟需求）不如LPU快，NV需要LPU的SRAM（静态随机存取存储器）架构来补齐短板。

2) 摆脱HBM依赖：#LPU不依赖昂贵的HBM（高带宽显存），后续可推出成本低、速度快的推理芯片。

LPU对于PCB的要求：

GPU很多数据交换发生在芯片内部的 HBM，#LPU的大量数据需要在PCB上高速“奔跑”去寻找下一个处理单元，其PCB边缘往往有专门的高速电缆接口，允许卡与卡之间直接通信，而不经过传统的服务器主板，这种“横向连接”是 LPU PCB 设计的重点，要求PCB最大程度减少信号偏移，M9石英电子布依托极低的Df/Dk等特性，可满足LPU对于时延零容忍的要求，技术方向确定。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！