AIDC电源+燃机+储能更新 ...

0526Vicor跳空大涨，是其 “以打促谈”专利战略的又一次里程碑式胜利。

继台达之后，新 OEM 巨头全包式授权的签订，不仅直接为 Q2 贡献了营收增量，更在行业标准层面，确立了 FPA/VPD 架构在高性能计算时代的“垄断性地租权”。

1）专利授权费新客户、含VPD： 今日公司公告，新许可涵盖了 Vicor 的所有专利，包括电源转换器拓扑结构、控制系统、电源组件和配电架构，具体包括：FPA和垂直供电（VPD），可实现卓越的效率、功率密度、电流密度和电流增益，即在通往更智能 AI 的电源路径上的关键性能属性的组合。

2）商业逻辑落地、ITC接近事实上的胜诉： 这直接印证了年初 Vicor 发起 ITC 337 调查和诉讼的威力。CEO Patrizio Vinciarelli 在公告中毫不避讳地表示：“对知识产权的尊重，来自于排除令（Exclusion Orders）切断了侵权供应商的计算系统进口渠道。全包式授权能让 OEM 和 Hyperscaler（云巨头）安全地获得多源供应。”

3）上调Q2指引： 鉴于额外的特许权使用费和不断增长的产品收入，收入预期从1.26亿美元上调到1.42亿美元。

VPD垂直供电技术驱动因素：

1）技术核心目标是缩短电源输出端到GPU负载的供电距离，降低PCB阻抗带来的损耗。

2）另一核心驱动是功率密度提升需求：GPU周边平铺空间不足以放置全部电源芯片、电感、电容，催生了更高集成度的VPD模块，可放置在GPU正下方。

海外核心玩家格局：

1、整体市场份额：x86+GPU市场中英飞凌份额最高；仅GPU市场中MPS份额领先，瑞萨排第三，TI、ADI、安森美后续跟进。

2、玩家分为两大类，各有优劣势：

1）芯片厂商类（英飞凌、MPS、瑞萨等）：掌握DrMOS核心器件，对DrMOS特性、控制器适配能力更强；劣势是模块集成、散热、焊接、翘曲控制、可靠性验证等模块制造know-how积累少于传统模块厂商。

2）传统模块厂商类（台达等）：在模块集成后的散热、焊接、翘曲控制、可靠性验证等环节经验丰富；劣势是无法第一时间拿到最新的DrMOS器件

3、英伟达目前以分立器件方案为主，尚未采用模块化VPD；AMD、谷歌、AWS、特斯拉Dojo、Cerebras等采用模块式供电方案。

电源模块技术路线与价值量变化：

1、3000瓦是技术路线重要临界点：GPU功率达到3000瓦及以上时，板上空间不足以放置分立器件，必须采用模块化方案。

2、分立转模块的价值量变化：模块方案价值量约为分立方案的3倍，以AWS的GPU为例，24个模块售价达240美金，而对应拆解的DrMOS芯片价值仅不到90美金，模块中定制化电感、PCB等附加材料带来了额外价值。

MLCC陶瓷电容：

1、该环节不同厂商差距不大，电容主要向三星、村田等厂商采购。

2、MLCC技术演进方向：1）容值提升：相同封装的电容容值不断提高，如1206封装容值上限从220微法提升至470微法。2）耐温提升：GPU功率提升后，模块工作环境温度升高，需要从X6系列电容向耐温更高的X7系列升级。

硅电容：

1、技术定位：和MLCC并行发展，主要面向芯片级、芯粒级应用，可放置在芯片die附近或嵌入基板，匹配更高功率GPU的需求。

2、技术优势：采用CMOS工艺蚀刻制造，厚度薄、体积小，无压电效应，容值不会随温度、电压变化，稳定性强、寿命长、耐温高、寄生阻抗小，可减少纹波电压，减少所需电容数量，适配IVR集成DrMOS技术路线，是3000瓦以上更高功率GPU的未来配套技术，预计3-5年后逐步规模化应用。

3、产业进展：三星已经拿到10亿美金的硅电容订单，配套谷歌GPU或Marvell项目。

1）多家公司宣布进军SST或发布产品，已成燎原之势

前日海博思创宣布在内蒙算电协同项目采用SST方案，此前多家企业推出SST产品或宣布进行研发，SST已成确定性最高的柜外电源发展方向。必要性在于：（1）数据中心：一步10kV/35kV直降800V直流，节约宝贵的灰区空间，让给计算机柜；（2）充电站：减少10kV配变环节，降低成本。

2）可靠性仍是制约SST在数据中心大规模应用的主要痛点：

SST的平均无故障时间（MTBF）目前仅约1-2万小时，较UPS低一个数量级，因此应用在数据中心仍有一定障碍。而充电站中应用的核心在降本，因此我们能看到两个应用场景中的SST价格相差悬殊。

3）核心零部件制约SST可靠性，关注SiC半导体、高频隔离变、电容器三大核心方向。

SiC功率半导体： 担负输入级高压AC/DC任务，成本占比在20%以上，目前国内企业主要采用英飞凌产品，预计后续放量后国产替代空间较大。可靠性取决于SiC功率模块冗余度，因此在数据中心SST上往采用多冗余方式配置。

高频隔离变：成本占比超过SiC，在20-30%，担负高频降压、绝缘隔离作用。其中非晶合金 是解决高频损耗问题的主要材料，替代传统硅钢；而高频交流电下绝缘材料局放损伤远高于工频，需要对环氧树脂绝缘材料 提出更高要求。高频隔离变是SST从10kV向35kV电压等级进化的核心环节，门槛壁垒高。

电容器： 主要给输出直流进行滤波，是电能质量提升的核心环节。 数据中心对直流纹波容忍度低，需增配电容器以提升电能质量

SiC、高频隔离变、电容器是解决目前SST可靠性、高压化、电能质量等几大问题的核心零部件，SiC（天岳、新洁能、扬杰、斯达等）；高频隔离变及非晶磁材（京泉华、可立克、云路股份等）；电容器（江海、法拉等）。

以下为公开资料整理，不构成投资建议！

牛角电容：出货 年底前达到500w只/月，明年全年预计8000w只，产能 明年内产能预计1000w只/月，扩产周期6个月，通胀 海外尼吉康等供应商产能在600w~700w只/月，预计Q3供需缺口将会伴随NV Rubin放量而出现，需求预计超1e只，20%缺口，通胀开始，明年价格预计逐季+10%，利润8e→24e；

MLPC：全球当前仅松下和公司可生产满足服务器要求的MLPC产品，松下占据80%-90%的市场份额，仅NV AI服务器需求就达10e只，松下产能6e只，缺口40%，江海年底产能将达到2000w只/月，远期20e只 明年底3000w只/月 利润3.2e→8.6e；

超级电容：公司是全球第二家可批量生产LIC系列产品的企业，EDLC今年已交付约100万只用于AI服务器，产品稳定性和性能暂无竞争对手，随着AI服务器功率提升，LIC需求将快速增长，预计2026年三四季度或迎来大幅增长，2027年将进入爆发期。保守给予27年200w只EDLC，2.8e利润；

电极箔：公司电极箔自给率70%-80%，当前产能可满足2027年上半年生产需求；规划新建2个电极箔工厂，单厂新增产能120-150万平/月，总新增250-300万平/月，可满足27年电容扩产（1500微法）。

客户：台达过测；麦米、欧陆通，华为独供。

公司今日公告，董事长李志勇先生、副总裁李慧涛先生、副总裁路伟先生计划自2026年5月27日起6个月内，使用自筹资金以集中竞价方式增持公司股票，增持金额合计不低于800万元且不超过1,000万元人民币。本次增持【不设价格区间】，体现公司高管对公司经营的绝对信心。

公司在电力及数据中心相关方面的成长性被市场低估：

1）燃机业务在手机头资源充足，且不断拓展来源，单FTAI可改造的航改燃机头每年就有2.5GW。在美销售渠道和品牌认知已打开，公司有望充分受益。

2）公司积极从事柜外一体化业务，包括供配电储能-简称电相关的业务，由敏电做；热处理相关的给能控，包括液冷、储能热管理、一站式热控等等。含热管理在内的数据中心一体化柜外部分每GW价值量可达150亿美金以上，市场空间大幅扩容。

后续无论是主业（油气）还是数据中心相关，公司发展空间乐观。

年初以来大储集成板块调整已久，锂涨价下板块也经历较长压制。时至6月，边际利空已在股价充分体现，利好因素不断累积，我们从四个维度看好板块行情启动：

1）海外需求超预期：

3月以来海外签单明显提速，阳光加大欧洲布局，落地中东7.5GWh项目；海博在手海外订单超15GWh，预计6月底慕尼黑展还将签署多个大单。随签单及交付旺季到来，2027年海外装机增速有望上修。

2）AI进展加速期权兑现：

AI储能方面，阳光等集成商均在谈北美订单，GWh级项目有望加速落地，夏季北美电价或超预期上涨，有望进一步形成需求与情绪催化；国内算电协同进入落地阶段，电力配套先行，海博思创指引年底前开工3-4个算电项目，含储能数GWh。AIDC方面，阳光高频对接NV、谷歌等终端，预计年底前获得SST订单；海博预计年底国内规模化应用35kV SST。

3）锂价担忧边际减弱：

一是锂价逐步接近下游接受极限，集成利润短期受损主要是商业模式原因，市场已修正盈利预期，若后续再涨，盈利预期见底；二是钠电进展超预期，测算看钠电循环及效率提升下，储能IRR可提高约2-3个百分点，当前成本与15w碳酸锂平价，规模化后可与12w锂平价，H2海博&宁德GWh级应用等进展有望对冲中长期锂上涨对储能盈利与需求的担忧。

4）政策利好集中释放：

预计未来数月政策密集出台，包括6月底前各省容量电价政策逐步落地、《“十五五”新型储能发展实施方案》、算电协同相关政策及潜在钠电支持政策等。

关注看好大储板块利好释放，锂价对股价的压制缓解。大储：阳光电源、海博思创、阿特斯、正泰电源等；户储：德业股份、锦浪科技、固德威、艾罗能源、鹏辉能源、派能科技等。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！