半导体更新 ①SK海力士股价...

①SK海力士股价上涨逾8%，创下历史新高。三星电子股价上涨超5%，刷新历史新高。

②日本信越化学将从5月11日起上调聚氯乙烯树脂出厂价，每公斤涨超30日元。

③三星电机预计将对消费电子领域部分MLCC料号实现调涨，6月1日起将实行。

④英特尔涨13.96%，据报道，苹果公司与英特尔达成协议，后者将为苹果设备生产芯片。

⑤台积电公开表态使用CoPoS封装技术，围绕面板级封装和玻璃基板的生态圈有望迎来加速迭代。

在过去24小时内，市场对HBM供给紧缺的认知已从周期性问题深化为持续到2027年底的结构性瓶颈，其核心驱动因素是洁净室等物理产能的刚性约束，并预期2027年价格涨幅将超出现有预测。这一变化正重塑存储行业的投资逻辑，AI客户通过附带财务担保的长期协议锁定未来数年产能，实质上是为存储原厂的巨额资本开支提供了信用背书，使得板块的估值体系从传统周期股向具备长期盈利能见度的成长股切换。

SK海力士/三星电子/美光科技（作为HBM核心供应商，直接受益于量价齐升和长协锁定利润），ASML/拓荆科技/北方华创（存储厂商资本开支上行，设备订单确定性高），雅克科技/联瑞新材（HBM相关先进封装材料需求爆发），长鑫存储/长江存储（国产存储厂商迎来技术追赶与扩产窗口期）。

1）受益AI需求带动，SK海力士业绩高增：2026年一季度公司营收52.58万亿韩元（约2441亿元人民币），同比+198%/环比+60%；净利润37.61万亿韩元（约1746亿元人民币），同比+406%/环比+96%；净利率约77%，创全球半导体历史新高，超过英伟达 (65%) 和台积电 (58%)。#背后核心驱动因素为AI算力需求爆发、带来HBM+DRAM价格暴涨（ASP环比+60%）、SK海力士占据绝对垄断地位、HBM市占率约60%、绑定英伟达HBM3/3E/4。

2）后摩尔时代下先进封测重要性提升，国内长鑫积极扩产HBM：后摩尔时代先进封测重要性日益提升，根据盛合晶微招股书，HBM价值量占比最高，#其中英伟达B200中HBM成本为2720美元/颗、占比约42%、博通公司TPUv6中HBM成本为991美元/颗、占比约40%、美满Trainium2中HBM成本约1060美元/颗、占比约30%。国内对标长鑫存储已启动HBM的扩产，计划通过IPO募集295亿元，用于现有产线技术升级改造、DRAM（包括HBM）技术升级以及前瞻技术研发。

3）HBM等先进封装技术快速发展，带来封测设备新需求：（1）测试机：SoC芯片设计和制造的复杂性大幅增加，同时#先进存储芯片为AI算力芯片提供高带宽的数据存储和传输支持、其容量和带宽的不断提升也进一步增加了芯片的复杂性，对高性能测试机需求显著增长；（2）封装设备：AI芯片主要采用HBM、CoWoS等2.5D、3D封装，#涉及TSV刻蚀设备、薄膜沉积设备等前道图形化设备、同时对减薄机要求提升、还新增了混合键合等新电气互联方式。

4）（1）测试设备：关注AI芯片带来的国产存储、SoC测试机突破，相关标的长川科技、华峰测控、精智达等；（2）封装设备：国产AI芯片采用CoWoS和HBM先进封装，中国在封测环节具备较强全球竞争力，国内先进封装有望进入起量元年，关注国产封装设备新机遇，相关标的为北方华创（TSV刻蚀）、中微公司（TSV刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积+键合）、芯源微（涂胶显影+键合机）、华海清科（减薄机）、盛美上海（电镀机）、晶盛机电（减薄机）、迈为股份（磨划+键合）等。

东吴机械：周尔双/李文意/谈沂鑫

由于AI服务器领域MLCC景气度持续高涨，三星电机预计将对消费电子领域部分MLCC料号实现调涨，6月1日起将实行。

☀本次价格变动主要是因为部分料号现货价上涨较多，三星预计主要针对经销商网络进行调涨，实现对市场的调控；

同时，三星后续会将更多产能切换至AI相关领域。

从此次调价中，我们可看出整体MLCC产品产能供需持续紧张；

由于产品结构调整，MLCC景气周期有望从AI传导到消费电子、车规等领域，后续有望看到更多原厂产能调整和涨价的情况！

相关：三环集团、博迁新材、风华高科、昀冢科技、洁美科技、商络电子等。

方竞/李少青/蔡濠宇

-存储材料：“永远缺存储已成共识”； 昨夜美股存储芯片股集体暴涨，闪迪涨超16%，美光科技涨超15%。

-大硅片涨价：2026Q2海外12寸轻掺硅片涨价关键节点确立，带动重掺、国内12寸轻掺、8寸硅片全面跟涨，开启量价齐升新周期。

-HBM和先进封装：据艾森股份调研纪要，HBM正从8层向12层、16层演进，每一层DRAM堆叠都需要独立的光刻工艺，光刻次数跟随层数翻倍，光刻胶需求转向超线性扩张。

......

【核心观点】：

我们认为半导体材料板块正迎来四重强逻辑共振：

1.需求超线性扩张：先进封装和HBM等工艺堆叠层数指数级增长，光刻胶及配套试剂需求呈超线性扩张。同时AI服务器拉动12寸硅片需求，存储芯片龙头暴涨映射景气等。

2.涨价周期开启：大多数非硅半导体材料上游均为石油化工相关衍生品，当前行业需求高景气叠加霍尔木兹海峡封锁导致上游材料价格大涨；光刻胶、封装材料（如电镀液等）、特气等材料已开启涨价周期。

3.复刻PCB材料的三击： 以钻针为例，去年的PCB钻针逻辑在于高阶产品用量大增×下游PCB放量×上游涨价（钨），行业超线性爆发；而当下的半导体材料：工艺堆叠层数增加（HBM等）×先进封装/高端产品用量大增×上游涨价，

4.国产替代 ：（日韩石油依赖进口、日本被限制重要金属出口）。

产业链相关梳理：

-存储/先进封装材料（国产替代）：

兴福电子 （海力士、长存参股+磷化铟上游）

艾森科技 （两存HBM工艺baseline确认）

-半导体硅片：

立昂微 （重掺-硅光下游、满产满销涨价在即）

西安奕材 （国内12英寸硅片龙头）

沪硅产业 （Q1销量增速超过90%）

-靶材：

欧莱新材 (存储靶材黑马)

江丰电子 （叠加静电卡盘）

应瑛/方闻千

展望 Q2，全球科技行业业绩和产业趋势密集催化的窗口期将持续，全球共振的焦点和亮点仍在于科技。

同时 5 月美国科技巨头财报披露期继续，尤其 5 月 20 日英伟达业绩公布将再度成为市场关注焦点，科技板块的景气在未来一段时间将迎来更多财报的验证和催化。

近期，美股费城半导体指数也持续跑出季节性超额收益，也将对 A 股科技板块形成有效映射。在全球科技产业共振、地缘冲突影响逐步钝化、特朗普访华等外部偏顺风的环境下，有利于科技成长的配置。

一、存储材料、国内存储短期及中长期扩产均有望超预期。 短期看，Q2起长存（4、5厂）、长鑫、华力、中芯陆续开始招标，预计体量将超预期；中长期看，消费电子领域苹果开始对接长存、长鑫存储芯片，安卓品牌年初就在谈两长货源，预计未来消费电子领域国产存储芯片有望在全球占据主导地位，长期扩产体量仍有预期差。

1）核心产品在大厂占据主导、扩产受益确定性高：鼎龙股份、雅克科技、安集科技、兴福电子等，以及广钢气体前期设备、后期材料逻辑，新一轮招标率先受益；

2）先进封装材料重要程度提升、盛合晶微上市催化持续，关注有重要进展企业：艾森股份、华海诚科等，艾森长鑫HBM封装光刻胶baseline、华海长鑫审厂完成整改中。

二、中日题材、一方面关注对日依赖度高的品种、一方面关注日本受到国内反制品种。

1）国产替代：天禄科技-京东方牵头联合产业链，公司与京东方、三利谱成立合资公司共同推进国产化，项目确定性强。目前全球面板用TAC膜需求约12亿平，中国需求占比约70%，均价15元/平计算国内市场过120亿+，替代空间显著，且目前市场主要被日本企业垄断，替代意愿强。

2）反制品种：国瓷材料（中国氧化钇出口限制，中国占全球9成以上，竞争对手日本东曹）；中船特气（中国钨产品出口限制，中国占全球7成左右，六氟化钨竞争对手日韩企业）；海外企业原材料成本显著上涨，且存在供应不足风险，国瓷、中船有望量价齐升。

我们继续看好存储设备材料零部件板块性机会，新发布深度报告《半导体设备专题：本轮扩产空间和盈利能力担忧的思考》，解决市场核心担忧“扩产空间”+“设备竞争格局”

扩产空间：全球2年翻倍、国产仅实现自给仍有近4倍空间

@全球存储市场2027年有望达万亿美金，较25年超3倍增长。近期长协落地重塑行业资本开支逻辑，美光/海力士等持续上修资本开支，我们按照20%资本开支/收入占比，预计27年全球存储开支有望超1600亿美金，较25年超2倍增长。

@中国大陆：国产长存长鑫全球市占不到5%，按照AI驱动下的DRAM/NAND需求测算，要想对标中国大陆30-35%的全球需求占比实现自给国产存储仍有超4倍扩产空间；长鑫2022-2024年累计资本开支1503亿元，2024年单年712亿元，资本开支/营收比例高达480%，正以远超营收规模的高强度资本开支加速追赶，长期充分利好上游设备材料零部件板块！

格局和盈利能力：长期看工艺迭代强者恒强、短期看景气位置

@长期：一代工艺一代设备，半导体“高投资+强迭代”属性造就半导体设备强者恒强的竞争格局，尤其国内进入先进工艺突破期，头部设备公司已铸就核心壁垒，为长期毛利率提供坚实基础。

@短期：超高景气下客户关注的是交付而非价格，即使类比周期性显著的光伏行业，资本开支上行周期中订单规模的爆发式增长是决定设备公司业绩的核心矛盾，毛利率的阶段性小幅波动无需过度担忧。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！