半导体更新：存储+设备+模拟芯...

①中微公司发布公告，拟通过发行股份购买CMP厂商杭州众硅的控股权并募集配套资金。

②模拟芯片龙头ADI计划2026年2月1日起对全系列产品调价。

③摩尔线程MUSA开发者大会定档12月19日，将发布全新产品和架构。

美光26财年第一季度营收达136亿美元，qoq+21%，yoy+57%，综合毛利率56.8%，qoq+11pcts，预计第二季度营收将达创纪录187亿美元（±4亿美元），毛利率提升至 68%（±100bps），eps达8.42美元，远超一致预期。

我们持续看好本轮存储上升周期没有变化，涨价趋势仍将超预期持续，美光下季度利润率逼近行业历史最高水平。本轮周期的重要变量是AI，是需求端爆发驱动的大周期！

需求的紧缺性正在持续被印证，美光预计DRAM和 NAND行业的供应紧张状况将持续到2026日历年及以后，目前仅能满足部分关键客户约 50%到三分之二的需求。

AI技术和产品底层的变革拉动了eSSD、HBM等AI存储需求开始集中爆发，美光也预计HBM市场规模（TAM）将以约40%的cagr增长，从25年的350亿美元成长到28年的1000亿美元，千亿美元的里程碑比之前的预测提前了两年到来，HBM在DRAM中的产能占比仍将持续提升，持续加剧DRAM的供需。

相关梳理：兆易创新、香农芯创、德明利、江波龙、佰维存储、晶合集成、普冉股份、东芯股份、北京君正、金泰克、朗科科技等。

国金电子樊志远团队 应明哲

切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力。

2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。

此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。

截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份，为其第二大股东。

杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速演进。

杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备。

杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。

公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投入产线应用。

平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺。

1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。

2）ICP设备：适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。

3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。

4）量检测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。

风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。

东吴机械：周尔双/李文意/谈沂鑫

杭州众硅成立于2018年，是国内具有较强竞争力的CMP设备厂商，其产品已经进入国内存储、代工厂及大硅片等多领域的头部客户，其产品具有较强竞争力；

此次整合后续如成功落地，有助于助推中微公司向半导体平台型公司进一步迈进，持续提升公司产品市场空间。

-刻蚀机（CCP刻蚀&ICP刻蚀）：100亿美金；

-薄膜沉积（PECVD、LPCVD、ALD、PVD等）：80亿美金；

- CMP设备：15亿美金；

-量检测设备（CD-SEM、膜厚、OCD等）：10亿美金；

我们继续看好公司在刻蚀、薄膜领域的竞争力，以及量检测和CMP领域的成长性：

- 明后年国内存储及先进逻辑扩产有望形成共振，公司两存&先进逻辑订单敞口80%左右，有望充分受益；

-中长期看，公司有望成长为100亿美金收入的半导体平台型公司，20-25亿美金利润，对应当前市值有较大成长空间。

事件：12月18日晚，中微公司发布公告收购国内CMP设备龙二杭州众硅科技，至此中微公司平台化版图得以更进一步，形成了刻蚀、薄膜、量检测、CMP的全面布局，头部企业格局愈加明确。

国内设备龙头梳理：

北方华创（平台型龙头，26年600亿+订单）

中微公司（26年保守200亿+订单，存储敞口60%+）

拓荆科技（26年120亿+订单，存储敞口60%+）

盛美上海（26年120亿+订单，存储敞口50%+，1.4nm逻辑工艺验证中）

中科飞测（26年50亿+订单，关键设备进展顺利，存储敞口有望提升）

京仪装备（26年38亿+订单，存储敞口50%+、分子泵即将进入cc）

华海清科、长川科技、精智达等

事件：根据芯榜消息，ADI计划2026年2月1日起对全系列产品调价，2025年底前将向客户下发正式调价函，推出差异化方案。

此次调价整体涨幅约15%，主因原材料、劳动力等成本持续通胀，内部优化已无法完全覆盖压力。26年2月1日及之后的新订单、当日起处理的积压发货按新价执行。

25Q4ADI实现营收30.8e美元，同比+26%，其中工业同比+34%，汽车同比+19%，通信同比+37%。25年全年实现收入110e美元，同比+17%。

预计26Q1收入约为31e美金，略高于季节性预期，工业与通信业务有望带动增长；26年全年持续保持增长，乐观看待。

结论：模拟芯片市场出现明显复苏，有望受益周期回升，叠加国内政策推动加速国产替代进程，建议重点关注。

美光2026 财年第一季度总收入达到 136 亿美元，环比增长 21%，同比增长 57%，连续三个季度创下历史新高。 综合毛利率为 56.8%，环比提升 11 pcts，主要得益于定价提高、成本控制和有利的产品组合。

预计第二季度收入将达到创纪录的 187 亿美元（±4 亿美元）。 预计毛利率将进一步攀升至 68%（±100 bps）预计每股收益将达到创纪录的 8.42 美元（±0.20 美元）。

预计 DRAM 和 NAND 行业的供应紧张状况将持续到 2026 日历年及以后。公司目前仅能满足部分关键客户约 50% 到三分之二的需求。2026 日历年的 HBM 全部供应量（包括 HBM4）已在价格和数量上与客户签订了协议。

预计 HBM 市场规模（TAM）将以约 40% 的年复合增长率增长，从 2025 年的 350 亿美元增至 2028 年的 1000 亿美元；这一千亿美元的里程碑比之前的预测提前了两年到来。美光的 HBM4 产品按计划将在 CY26Q2以高良率量产，拥有超过 11 Gbps 的行业领先速度。

受 AI 数据中心建设推动，预计 2025 日历年服务器单位增长率将达到high teen百分比，高于此前预测的 10%。

计划将 2026 财年的资本支出从之前的 180 亿美元增加到约 200 亿美元，主要用于支持 HBM 和 1-gamma 节点的供应能力。 爱达荷州晶圆厂时间表提前，预计 2027 年上半年首次产出晶圆。 纽约州晶圆厂计划于 2026 年初破土动工，预计 2030 年及以后提供供应。 正在日本广岛扩建洁净室以支持先进节点，并在新加坡和印度推进封装测试设施。

美光1QFY26 营收 136.43 亿美元，YoY/QoQ +57%/+21%；Non-GAAP EPS 为4.78 美元，YoY/QoQ +167%/+57.8%。Non-GAAP毛利率达 56.8%，环比+11ppt创历史新高，主要受 AI 驱动的高性能内存需求强劲、行业供应紧张及公司技术领先推动。

分技术来看：

1）DRAM：108.12 亿美元，占总收入79%，YoY/QoQ +69%/+20%，出货量小幅增长，ASP 提升约20%，由高端产品需求强劲与供应紧张驱动；

2）NAND：27.43 亿美元，占总收入的20%，YoY/QoQ +22%/+22%，出货量中高个位数增长，ASP 提升mid-teens，受数据中心高容量 SSD 与 QLC 需求拉动。

分业务板块来看：

1）云存储业务：52.84 亿美元，占总收入39%，YoY/QoQ +100%/+16%，收入增长创纪录，由位元出货量增长与价格上涨共同推动；

2）核心数据中心业务：23.79 亿美，占总收入17%，YoY/QoQ +4%/+51%；

3）移动与客户端业务：42.55 亿美元，占总收入31%，YoY/QoQ +63%/+13%；

4）汽车与嵌入式业务：17.20 亿美元，占总收入13%，YoY/QoQ +49%/+20%。

业务亮点

1）DRAM 技术：1γ节点良率提升顺利，将成为 2026 年下半年位元增长主力；1δ与 1ε节点已在研发中。

2）NAND 技术：G9 节点良率快速提升，QLC 占比创历史新高，预计成为 2026 年最大 NAND 节点。

3）HBM ：HBM4 将于 2026 年二季度开始量产爬坡，良率提升速度快于前代；2026 年 HBM 产能已全部预订，包含量价。

4）产能扩张：

·2026 财年资本支出上调至约 200 亿美元（前值180亿美元）重点投入 HBM 与 1γ 产能；

·爱达荷州首座工厂预计 2027 年中投产，第二座工厂 2026 年开建；

·纽约州工厂预计 2026 年初动工，2030 年贡献产能；

·日本广岛工厂新增洁净室空间，支持下一代 DRAM 技术；

·新加坡 HBM 先进封装厂预计 2027 年贡献产能；

·印度封测厂已启动试产，2026 年上量。

5）AI 数据中心需求强劲：2025 年服务器出货量预计实现high teens增长，2026 年持续强劲；HBM 市场规模预计 2028 年达 1000 亿美元，较此前预期提前两年，未来三年40%CAGR。

6.）客户：和关键客户正在沟通多年协议，含一些特定条款，包含DRAM和NAND。多年协议客户不仅有数据中心客户，包含其他市场。

7）全行业供应紧张：DRAM 与 NAND 行业位元需求增速上调，2025 年 DRAM 位元需求增长预计低 20%，NAND 为high teens。2026 年存储受供给限制，DRAM和NAND出货量约20%，供应短缺态势预计持续至 2026 年后。

展望 2QFY26，公司预计营收187亿美元 ± 4亿美元，毛利率 68% ± 1%，Non-GAAP EPS 8.42 美元 ± 0.20 美元

12月17日，美光科技（Micron）发布2026财年Q1财报，宣布受益于强劲的产业需求、供给吃紧背景下，26财年第一季度收入、毛利率及EPS超出此前指引上限，公司综合收入达历史新高。美光预计到2028年HBM的市场容量复合增速为40%，从2025年的350亿美元达到28年的1000亿美元。

为应对强劲的市场需求，美光宣布上调2026财年资本开支至200亿美元（前指引值180亿美元，上调11%），主要用于增加2026年公司的HBM及1γ供应能力。

25年6月美光曾宣布将在北美的总资本开支规划扩大至2000亿美元，包括新建爱德华州的2座Fab、纽约州的4座Fab及弗吉尼亚州的原有Fab改扩建；11月宣布投资1.5万亿日元在日本投资建设HBM工厂，预计26年5月动工。

我们认为美光上调26财年资本开支，进一步印证了AI驱动全球范围泛半导体产业链大扩产/建厂加速，推动高端洁净室工程服务公司需求景气持续上行，海外良好的竞争格局叠加短期供给紧缺保障盈利能力。

自亚翔集成Q3业绩超预期以来，股价表现持续引起市场广泛关注，电子、外资等认可度提升，估值比较对象从建筑变成半导体资本开支产业链、出海等多重纬度，市场通过深入学习正在逐步改变对该类特殊建筑公司的排斥印象，业务版图扩张下向上景气持续周期延长，我们持续强调重视扩圈带动的重新定价拔估值。

*公开资料整理，仅作为行业分析参考，不构成任何投资建议！